Siemens LPA672-M Super sideled high-current led Datasheet

Super SIDELED®
High-Current LED
LS A672, LO A672, LY A672
LG A672, LP A672
Besondere Merkmale
●
●
●
●
erhöhten Betriebsstrom (≤ 50 mA DC)
zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet
gegurtet (12-mm-Filmgurt)
Störimpulsfest nach DIN 40839
VPL06880
● Gehäusefarbe: weiß
● als optischer Indikator einsetzbar
● besonders geeignet bei hohem Umgebungslicht durch
Features
● color of package: white
● for use as optical indicator
● appropriate for high ambient light because of the higher
●
●
●
●
operating current (≤ 50 mA DC)
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
suitable for all SMT assembly and reflow soldering methods
available taped on reel (12 mm tape)
load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
1998-11-12
LS A672, LO A672, LY A672
LG A672, LP A672
■
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■
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■
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■
■
Farbe der
Lichtaustrittsfläche
Color of the
Light Emitting
Area
Lichtstärke
Lichtstrom
Bestellnummer
Luminous
Intensity
IF = 50 mA
IV (mcd)
Luminous
Flux
IF = 50 mA
ΦV (mlm)
Ordering Code
super-red
colorless clear
10
25
40
25
... 80
... 50
... 80
... 200
100 (typ.)
180 (typ.)
-
Q62703-Q2761
Q62703-Q2849
Q62703-Q3226
Q62703-Q2850
LO A672-LP
LO A672-N
LO A672-P
LO A672-NR
orange
colorless clear
10
25
40
25
... 80
... 50
... 80
... 200
100 (typ.)
180 (typ.)
-
Q62703-Q2548
Q62703-Q2851
Q62703-Q2852
Q62703-Q2853
LY A672-LN
LY A672-N
LY A672-P
LY A672-MQ
yellow
colorless clear
10
25
40
16
... 50
... 50
... 80
... 125
100 (typ.)
180 (typ.)
-
Q62703-Q2553
Q62703-Q2854
Q62703-Q2855
Q62703-Q2856
LG A672-LP
LG A672-N
LG A672-P
LG A672-MQ
green
colorless clear
10
25
40
16
... 80
... 50
... 80
... 125
100 (typ.)
180 (typ.)
-
Q62703-Q2544
Q62703-Q2857
Q62703-Q2858
Q62703-Q2859
LP A672-KN
LP A672-L
LP A672-M
LP A672-N
LP A672-LP
pure green
colorless clear
6.3 ...
10 ...
16 ...
25 ...
10 ...
45 (typ.)
75 (typ.)
100 (typ.)
-
Q62703-Q2860
Q62703-Q3838
Q62703-Q3839
Q62703-Q3148
Q62703-Q2863
Typ
Emissionsfarbe
Type
Color of
Emission
LS A672-LP
LS A672-N
LS A672-P
LS A672-NR
50
20
32
50
80
■ Nicht für Neuentwicklungen / Not for new design
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
1998-11-12
LS A672, LO A672, LY A672
LG A672, LP A672
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 55 ... + 100
˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 55 ... + 100
˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 100
˚C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
50
mA
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM
1
A
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
Ptot
190
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*) (Padgröße je ≥ 16 mm2)
mounted on PC board*) (padsize ≥ 16 mm2 each )
Rth JA
330
K/W
*) PC-board: FR4
Semiconductor Group
3
1998-11-12
LS A672, LO A672, LY A672
LG A672, LP A672
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LO
LY
LG
LP
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
(typ.)
(typ.)
λpeak
635
610
586
565
557
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 10 mA
(typ.)
(typ.)
λdom
628
605
590
570
560
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 10 mA
(typ.)
(typ.)
∆λ
45
40
45
25
22
nm
2ϕ
120
120
120
120
120
deg.
2.1
3.8
2.2
3.8
2.6
3.8
2.6 V
3.8*) V
Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % Iv
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 50 mA
(typ.)
(max.)
VF
VF
2.0
3.8
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.)
(max.)
IR
IR
0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA
10
10
10
10
10
µA
(typ.)
C0
40
35
35
60
80
pF
(typ.)
(typ.)
tr
tf
350
200
500
250
350
200
500
250
500
250
ns
ns
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω
*) VF max = 3.2 V as of Febr. 97
Semiconductor Group
4
1998-11-12
LS A672, LO A672, LY A672
LG A672, LP A672
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA
Relative Spectral Emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
OHL01698
100
%
Ι rel
80
Vλ
hyper-red
red
super-red
orange
blue
40
yellow
pure-green
green
60
20
0
400
450
500
550
600
650
nm
700
λ
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
ϕ
50˚
OHL01660
1.0
0.8
0.6
60˚
0.4
70˚
0.2
80˚
0
90˚
100˚
1.0
0.8
Semiconductor Group
0.6
0.4
0˚
20˚
5
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
1998-11-12
LS A672, LO A672, LY A672
LG A672, LP A672
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV/IV(50 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Semiconductor Group
6
1998-11-12
LS A672, LO A672, LY A672
LG A672, LP A672
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominat wavelength
IF = 10 mA
OHL02104
690
OHL02105
690
λ peak
λ dom
nm
nm
650
650
super-red
630
super-red
630
orange
610
610
590
yellow
590
570
green
570
orange
yellow
green
pure-green
pure-green
550
0
20
40
60
550
80 ˚C 100
0
20
40
60
80 ˚C 100
TA
TA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 50 mA
Semiconductor Group
Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 50 mA
7
1998-11-12
LS A672, LO A672, LY A672
LG A672, LP A672
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
0.7
2.8
2.4
4.2
3.8
(2.4)
(1.4)
3.8
3.4
(R1)
GPL06880
(2.9)
Cathode marking
Anode
(0.3)
Cathode
2.54
spacing
4.2
3.8
Kathodenkennung:
Cathode mark:
Semiconductor Group
(2.85)
1.1
0.9
abgeschrägte Ecke
bevelled edge
8
1998-11-12
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