Super SIDELED® High-Current LED LS A672, LO A672, LY A672 LG A672, LP A672 Besondere Merkmale ● ● ● ● erhöhten Betriebsstrom (≤ 50 mA DC) zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Reflow-Löttechniken geeignet gegurtet (12-mm-Filmgurt) Störimpulsfest nach DIN 40839 VPL06880 ● Gehäusefarbe: weiß ● als optischer Indikator einsetzbar ● besonders geeignet bei hohem Umgebungslicht durch Features ● color of package: white ● for use as optical indicator ● appropriate for high ambient light because of the higher ● ● ● ● operating current (≤ 50 mA DC) for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly and reflow soldering methods available taped on reel (12 mm tape) load dump resistant acc. to DIN 40839 Semiconductor Group 1 1998-11-12 LS A672, LO A672, LY A672 LG A672, LP A672 ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 50 mA IV (mcd) Luminous Flux IF = 50 mA ΦV (mlm) Ordering Code super-red colorless clear 10 25 40 25 ... 80 ... 50 ... 80 ... 200 100 (typ.) 180 (typ.) - Q62703-Q2761 Q62703-Q2849 Q62703-Q3226 Q62703-Q2850 LO A672-LP LO A672-N LO A672-P LO A672-NR orange colorless clear 10 25 40 25 ... 80 ... 50 ... 80 ... 200 100 (typ.) 180 (typ.) - Q62703-Q2548 Q62703-Q2851 Q62703-Q2852 Q62703-Q2853 LY A672-LN LY A672-N LY A672-P LY A672-MQ yellow colorless clear 10 25 40 16 ... 50 ... 50 ... 80 ... 125 100 (typ.) 180 (typ.) - Q62703-Q2553 Q62703-Q2854 Q62703-Q2855 Q62703-Q2856 LG A672-LP LG A672-N LG A672-P LG A672-MQ green colorless clear 10 25 40 16 ... 80 ... 50 ... 80 ... 125 100 (typ.) 180 (typ.) - Q62703-Q2544 Q62703-Q2857 Q62703-Q2858 Q62703-Q2859 LP A672-KN LP A672-L LP A672-M LP A672-N LP A672-LP pure green colorless clear 6.3 ... 10 ... 16 ... 25 ... 10 ... 45 (typ.) 75 (typ.) 100 (typ.) - Q62703-Q2860 Q62703-Q3838 Q62703-Q3839 Q62703-Q3148 Q62703-Q2863 Typ Emissionsfarbe Type Color of Emission LS A672-LP LS A672-N LS A672-P LS A672-NR 50 20 32 50 80 ■ Nicht für Neuentwicklungen / Not for new design Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 2 1998-11-12 LS A672, LO A672, LY A672 LG A672, LP A672 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 ... + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 ... + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 50 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 1 A Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Verlustleistung Power dissipation Ptot 190 mW Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-board*) (Padgröße je ≥ 16 mm2) mounted on PC board*) (padsize ≥ 16 mm2 each ) Rth JA 330 K/W *) PC-board: FR4 Semiconductor Group 3 1998-11-12 LS A672, LO A672, LY A672 LG A672, LP A672 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS LO LY LG LP Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 10 mA (typ.) (typ.) λpeak 635 610 586 565 557 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 10 mA (typ.) (typ.) λdom 628 605 590 570 560 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 10 mA (typ.) (typ.) ∆λ 45 40 45 25 22 nm 2ϕ 120 120 120 120 120 deg. 2.1 3.8 2.2 3.8 2.6 3.8 2.6 V 3.8*) V Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % Iv Durchlaßspannung Forward voltage IF = 50 mA (typ.) (max.) VF VF 2.0 3.8 Sperrstrom Reverse current VR = 5 V (typ.) (max.) IR IR 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA 10 10 10 10 10 µA (typ.) C0 40 35 35 60 80 pF (typ.) (typ.) tr tf 350 200 500 250 350 200 500 250 500 250 ns ns Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω *) VF max = 3.2 V as of Febr. 97 Semiconductor Group 4 1998-11-12 LS A672, LO A672, LY A672 LG A672, LP A672 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA Relative Spectral Emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve OHL01698 100 % Ι rel 80 Vλ hyper-red red super-red orange blue 40 yellow pure-green green 60 20 0 400 450 500 550 600 650 nm 700 λ Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ ϕ 50˚ OHL01660 1.0 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 0 90˚ 100˚ 1.0 0.8 Semiconductor Group 0.6 0.4 0˚ 20˚ 5 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ 1998-11-12 LS A672, LO A672, LY A672 LG A672, LP A672 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV/IV(50 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Semiconductor Group 6 1998-11-12 LS A672, LO A672, LY A672 LG A672, LP A672 Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 10 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominat wavelength IF = 10 mA OHL02104 690 OHL02105 690 λ peak λ dom nm nm 650 650 super-red 630 super-red 630 orange 610 610 590 yellow 590 570 green 570 orange yellow green pure-green pure-green 550 0 20 40 60 550 80 ˚C 100 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA TA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 50 mA Semiconductor Group Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 50 mA 7 1998-11-12 LS A672, LO A672, LY A672 LG A672, LP A672 Maßzeichnung Package Outlines (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) 0.7 2.8 2.4 4.2 3.8 (2.4) (1.4) 3.8 3.4 (R1) GPL06880 (2.9) Cathode marking Anode (0.3) Cathode 2.54 spacing 4.2 3.8 Kathodenkennung: Cathode mark: Semiconductor Group (2.85) 1.1 0.9 abgeschrägte Ecke bevelled edge 8 1998-11-12