JCT1055/JCT1255 型标准单向晶闸管芯片 ○ 芯片特征： （芯片代码：CP058） ○产品极限参数（封装成 TO-3P 后，除非另有规定，TCASE =25℃） 双面台面结构（Double Mesa）， 台面玻璃钝化工艺， 符号 ○ 器件线路符号： K 数 值 单位 Tj -40～125 ℃ 断态重复峰值电压 VDRM 1000/1200 V 反向重复峰值电压 VRRM 1000/1200 V 结温范围 背面三层金属电极。 ○ 芯片尺寸：6.1mm×6.1mm ○ 主要用途： ○ 可替换型号： A 参数名称 通态均方根电流 TC=80℃ IT（RMS） 55 A 通平均电流 TC=80℃ IT（AV） 40 A 通态浪涌电流 tp=10mS ITSM 500 A I2t 值 tp=10mS I2t 1250 A2S dI/dt 100 A/uS 通态电流临界上升率 IG=2×IGT,tr≤100nS, Tj=125℃ G ○ 芯片结构图： 门极峰值电流 tp=20uS IGM 4 A 门极平均功率 Tj=125℃ PG（AV） 2.5 W ○ 产品电性能（封装成 TO-3P 后，除非另有规定，TCASE =25℃） 特性和测试条件 符号 VTM 通态峰值电压 IT=85A, tp=380uS JCT1055 芯片结构图 值 单 位 ≤1.7 V （单位：um) K 断态峰值电流 TC=25℃ IDRM1 ≤100 uA VD=VDRM TC=125℃ IDRM2 ≤10 mA 反向峰值电流 TC=25℃ IRRM1 ≤100 uA VR=VRRM TC=125℃ IRRM2 ≤10 mA 15-60 mA 门极触发电流 IGT VD=12V, RL=30Ω G 擎住电流 IG=1.2 IGT IL ≤120 mA 维持电流 IT=1A IH ≤100 mA ≤1.5 V ≥0.25 V ≥1000 V/uS 门极触发电压 G 数 K VD=12V, RL=30Ω 门极不触发电压 A(Ti-Ni-Ag) VGT VGD VD=VDRM,Tj=125℃,RL=3.3KΩ 断态电压临界上升率 VD=2/3VDRM, Tj=125℃, 门极开路 dV/dt