Diotec EGL1K Superfast recovery smd rectifier diode Datasheet

EGL1A ... EGL1M
EGL1A ... EGL1M
IFAV = 1.0 A
VF1 < 1.25 V
Tjmax = 175°C
Superfast Recovery SMD Rectifier Diodes
SMD-Gleichrichterdioden mit superschnellem Sperrverzug
VRRM = 50...1000 V
IFSM = 25/30 A
trr
< 50...75 ns
Version 2015-10-21
Typical Applications
Rectification of higher frequencies,
High speed switching
Commercial grade 1)
1.6
0.4
RoHS
Pb
EE
WE
Features
Package compatible to SOD-87
High power dissipation
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Schnelles Schalten
Standardausführung 1)
EL
V
~ DO-213AA
Plastic MiniMELF
Besonderheiten
Gehäuse kompatibel zu SOD-87
Hohe Leistungsabgabe
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanische Daten 1)
3.5
Mechanical Data 1)
0.4
Taped and reeled
2500 / 7“
Weight approx.
Dimensions - Maße [mm]
Gegurtet auf Rolle
0.04 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Marking:
1. green ring denotes “cathode” and “superfast switching rectifier family”
2. colored ring denotes “repetitive peak reverse voltage” (see below)
Kennzeichnung:
1. grüner Ring kennzeichnet “Kathode” und “superschnelle Gleichrichter”
2. farbiger Ring kennzeichnet “Periodische Spitzensperrspannung” (siehe unten)
Maximum ratings 2)
Type
Typ
Grenzwerte 2)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
2. Cathode ring
2. Kathodenring
EGL1A
50
50
gray / grau
EGL1B
100
100
red / rot
EGL1D
200
200
orange / orange
EGL1G
400
400
yellow / gelb
EGL1J
600
600
green / grün
EGL1K
800
800
blue / blau
EGL1M
1000
1000
violett / violet
Max. average forward rectified current
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung
EGL1A...EGL1G
TA = 75°C
IFAV
1 A 3)
EGL1J...EGL1M
TA = 50°C
IFAV
1 A 3)
Repetitive peak forward current - Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
8 A 3)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
25/30 A
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
4.5 A2s
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
3
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
EGL1A ... EGL1M
Characteristics
Kennwerte
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
Tj = 25°C
Forward voltage
Durchlass-Spannung
trr [ns] 1)
VF [V]
EGL1A ... EGL1D
< 50
< 1.25
1
EGL1G
< 50
< 1.35
1
EGL1J ... EGL1M
< 75
< 1.8
1
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapzität
at / bei
IF [A]
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 50 µA
VR = 4 V
Cj
4 pF
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 75 K/W 2)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthT
< 40 K/W
10
120
[%]
[A]
EGL1A...EGL1G
100
EGL1A...D
1
80
EGL1G
EGL1J...EGL1M
EGL1J...M
60
10-1
40
10-2
20
IF
IFAV
0
0
TA
50
100
150
10-3
0.4
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
Tj = 25°C
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
2
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
Similar pages