BYZ50A22 ... BYZ50A47 | BYZ50K22 ... BYZ50K47 BYZ50A22 ... BYZ50A47 | BYZ50K22 ... BYZ50K47 IFAV = 50 A VWM VF < 1.1 V VBR Min Tjmax = 200°C IFSM Press-Fit Diodes – Protectifiers ® Einpress-Dioden – Protectifiers ® = 17.8 ... 38.1 V = 19.8 ... 42.3 V = 400/450 A Version 2018-01-08 Typical Applications On-board alternators Load dump protection Commercial grade 1) Ø 12.75 x 4.2 Press-fit Ø 12.75 A 28.5 min Features TVS (suppressor) characteristic High junction temperature Press-fit assembly into aluminum plate Two polarity versions: A = Anode to lead wire K = Cathode to lead wire Compliant to RoHS, REACH, Pb Conflict Minerals 1) RoHS K Dimensions - Maße [mm] EL V EE WE 4.2+0.3 9.3±0.2 1.3 Rändel 0.8 knurl 0.8 Ø 11 ±0.5 Typische Anwendungen Bordnetz-Generatoren “Load dump”-Schutz Standardausführung 1) Besonderheiten TVS-(Begrenzer-)Charakteristik Hohe Sperrschichttemperatur Einpressmontage in Alu-Kühlblech Zwei Polaritäten: A = Anode am Anschlussdraht K = Kathode am Anschlussdraht Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in cardboard trays 300 Verpackt in Einlagekartons Weight approx. 10 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Max. average forward current – Dauergrenzstrom Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung f > 15 Hz Half sine-wave Sinus-Halbwelle Rating for fusing – Grenzlastintegral TC = 150°C 3) IFAV 50 A TC = 150°C 3) IFRM 80 A 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 400 A 450 A t < 10 ms i2t 800 A2s Tj TS -50...+200°C -50...+200°C TjM +215°C FpM 4 kN Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Peak junction temperature in case of load dump Spitzensperrschichttemperatur im “Load dump” Fall t < 400 ms Maximum pressing force – Maximaler Einpressdruck Characteristics (Tj = 25°C) Type / Typ Wire to / Draht an 1 2 3 Kennwerte (Tj = 25°C) Breakdown voltage Abbruchspannung IT = 100 mA Reverse voltage Sperrspannung IR = 5 µA Max. clamping voltage Max. Begrenzerspanng. at / bei Ipp, tp = 1 ms Anode Cathode VBRmin [V] VBRmax [V] VR [V] VC [V] Ipp [A] BYZ50A22 BYZ50K22 19.8 24.2 > 17.8 31.9 235 BYZ50A33 BYZ50K33 29.7 36.3 > 26.8 47.7 157 BYZ50A39 BYZ50K39 35.1 42.9 > 31.6 56.4 133 BYZ50A47 BYZ50K47 42.3 51.7 > 38.1 67.8 111 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Temperature measured at the metallic base – Temperatur am Metallsockel gemessen © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BYZ50A22 ... BYZ50A47 | BYZ50K22 ... BYZ50K47 Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 50 A VF < 1.1 V VR = 4 V Cj 430 pF IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns RthC < 0.6 K/W 1) Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazität Reverse recovery time Sperrverzug Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse 120 103 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 2 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10 400a-(50a-1,1v) -1 0 TC 50 100 150 200 [°C] Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. 0.4 VF 1.0 0.8 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 103 [A] 102 îF 10 1 2 10 10 [n] 10 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 3 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Temperature measured at the metallic base – Temperatur am Metallsockel gemessen http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG