DIODE MODULE DD200KB220 UL; E76102（M） DD200KB220は、整流用ダイオード 94.0 モジュールで、2個のダイオードを内 蔵しております。 80.0±0.25 24.5 〈Advantages〉 〈特長〉 • VRRM＝2200V • 超高耐圧 VRRM＝2200V • Bridgeconnections（single and three phase） • ブリッジ結線（単相、三相）が容易 are Available. に行なえます。 • Isolated mounting base • 絶縁型です。 • Highly reliable glass passivated chips • ガラスパッシベーションタイプのチ ップを採用しているので高い信頼性 が得られます。 • High surge current capability • 高サージ耐量です。 33.9 3 13.0 VRRM VRSM 項 IF（AV） IF（RMS） IFSM I2t Tj Tstg VISO 目 Item 項 目 30 max Unit V 2300 V 定格ピーク非繰返し逆電圧 Conditions 条 件 Ratings 定格値 Unit 単位 Average Forward Current Single phase, half wave, 180° , conduction, Tc＝105℃ 単相半波平均値，180° , 導通角，ケース温度105℃ 200 A R.M.S. Forward Current 定格実効順電流 Single phase, half wave, 180° , conduction, Tc＝105℃ 単相半波実効値，180° , 導通角，ケース温度105℃ 310 A Surge Forward Current ½cycle, 50/60Hz, Peak value, non-repetititve 5000/5500 A I2t（for fusing） Value for one cycle of surge current 125000 A 2s Operating Junction Temperature −40〜＋150 ℃ Storage Temperature −40〜＋125 ℃ 2500 V 定格平均順電流 定格サージ順電流 電流二乗時間積 50/60Hz，½サイクル正弦波，波高値，非繰返し １サイクルサージオン電流に対する値 定格接合部温度 保存温度 Isolation Breakdown Voltage（R. M.S.） 絶縁耐圧（実効値） Terminal（M6） Recommended Value 2.5〜3.9（25〜40） 推奨値 端子 Typical value 電気的特性 Item 項 目 Conditions 条 件 at VRRM, Single phase, half wave, Tj＝150℃ Forward Voltage Drop Forward current 620A, Inst. measurement Thermal Resistance Junction to case（½ module） 順電圧降下 熱抵抗 N・m （kgf・㎝） 4.7（48） g （Unless otherwise specified Tj＝25℃ / 特にことわらない限り Tj＝25℃） Repetitive Peak Reverse Current 逆電流 4.7（48） 240 標準値 ■Electrical Characteristics 記号 A.C.１分間 Recommended Value 2.5〜3.9（25〜40） 推奨値 取付 Mass Symbol A.C. 1minute Mounting（M6） 質量 Rth Unit 単位：mm 2200 Non−Repetitive Peak Reverse Voltage 締付トルク VFM 1 単位 定格ピーク繰返し逆電圧 Mounting torque IRRM 2 DD200KB220 Repetitive Peak Reverse Voltage Symbol 記号 3 NAME PLATE Ratings 定格値 Item 記号 1 （Unless otherwise specified Tj＝25℃／特にことわらない限りTj＝25℃） 最大定格 Symbol 2 3-M6×10 〈Applications〉 〈用途〉 • Various rectifiers（VVVF, CVCF） , DC motor • 各 種 整 流 回 路（VVVF, CVCF） 、直 drives 流モーター用電源 ■Maximum Ratings 24.5 2-φ6.5 16.9 DD200KB220 is designed for various rectifier circuits. has two diode chips. 定格ピーク繰返し逆電圧に於て，単相半波，Tj＝150℃ 電流波高値，620A，瞬時測定 接合部―ケース間（½モジュール） Ratings 定格値 Min. Typ. Max. Unit 単位 50 mA 1.40 V 0.17 ℃/W DD200KB220 10000 Maximum Forward Characteristics 最大順特性 Average Forward Current vs Power Dissipation 最大電力損失特性 500 450 Tj＝150℃ 順 1000 電 流 Power Dissipation Forward Current D.C. 直流 400 Tj＝25℃ Per One Element 単位エレメント当り IF （A）100 350 電 力 300 損 失 250 Three Phase 三相全波 Single Phase 単相半波 Ploss 200 （W）150 Per One Element 単位エレメント当り 100 50 10 160 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 Forward Voltage Drop 順電圧降下 VF（V） 3.5 0 4 Average Forward Current vs Maximum Allowable Case Temperature 平均順電流対最大許容ケース温度 6000 Case Temperature Per One Element 単位エレメント当り 90 70 Three Phase 三相全波 60 過渡熱インピーダンス Transient Thermal Impedance 50 0.2 0 50 100 150 D.C. 直流 200 250 300 Average Forward Current 平均順電流 IF（AV） （A） 50 100 150 200 250 Average Forward Current （A） 平均順電流 IF（av） 300 350 Surge Forward Current Rating〈Non-Repetitive〉 サージ順電流耐量〈非繰返し〉 5000 Per One Element 単位エレメント当り 4000 60Hz 3000 IFSM 2000 （A） Single Phase 単相半波 Tc 80 （℃） サージ順電流 140 許 容 130 ケ 120 ー ス 110 温 100 度 Surge Forward Current 150 0 50Hz Single phase half wave Tj＝25℃ start 1000 0 350 1 10 100 Times 通電サイクル数 n（cycles） Transient Thermal Impedance 過渡熱インピーダンス特性 0.18 Junction to Case 接合部−ケース間 0.16 0.14 0.12 Maximum 最大値 0.1 0.08 Per One Element 単位エレメント当り 0.06 θj-c 0.04 （℃/W） 0.02 1.00E＋00 Time t（sec） 時間 1.00E＋01 1.00E＋02 Interface Thermal Impedance:0.09℃/W per Module Rth:Heat Sink Thermal Impedance ID（AV） 80 B6 600 90 95 100 105 （W） 400 110 （℃） 115 200 120 100 200 300 Output Current（A） 出力電流（A） 400 −30 −5 20 45 70 95 120 125 Ambient Temperature（℃） 周囲温度（℃） 1400 ID（AV） 80 85 90 1200 1000 総損失 Rth:0.5℃/W Rth:0.3℃/W Rth:0.2℃/W Rth:0.1℃/W Rth:0.05℃/W Interface Thermal Impedance:0.09℃/W per Module Rth:Heat Sink Thermal Impedance Rth:0.5℃/W Rth:0.3℃/W Rth:0.2℃/W Rth:0.1℃/W Rth:0.05℃/W 800 （W）600 95 100 105 110 400 115 200 120 0 0 100 200 300 400 500 −30 −5 Output Current （A） 出力電流 （A） 20 45 70 95 120 125 Ambient Temperature （℃） 周囲温度 （℃） 許容ケース温度 85 800 0 0 75 Output Current（B6；Six pulse bridge connection） 許容出力電流（B6；三相ブリッジ接続） 許容ケース温度 1000 総損失 Total Power Dissipation （W） Output Current（B2；Two pulse bridge connection） 許容出力電流（B2;単相ブリッジ接続） Allowable Case Temperature（℃） 1.00E−01 Total Power Dissipation（W） 1.00E−02 Allowable Case Temperature（℃） 0 1.00E−03 （℃）