Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GA 170 DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current VCES 1700 V TC = 80 °C IC,nom. 200 A TC = 25 °C IC 400 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current tP = 1 ms, TC=80°C ICRM 400 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC=25°C, Transistor Ptot 1920 W VGES +/- 20V V IF 200 A IFRM 400 A 2 It 11.000 A2s VISOL 3,4 kV Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tp = 1 ms Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. - 2,6 3,2 V - 3,1 3,6 V VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage IC = 200A, VGE = 15V, Tvj = 25°C VCE sat IC = 200A, VGE = 15V, Tvj = 125°C Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage IC = 10mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung gate charge VGE = -15V ... +15V QG - 2,4 - µC Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies - 15 - nF Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cres - 0,7 - nF VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C ICES - 0,1 0,4 - 6 - - Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C prepared by: Regine Mallwitz date of publication: 28.11.2000 approved by: Christoph Lübke; 28.11.2000 revision: 2 (Series) 1(8) IGES mA mA 200 BSM200GA170DLC nA Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GA 170 DLC Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. - 0,1 - µs - 0,1 - µs - 0,1 - µs - 0,1 - µs - 0,8 - µs - 0,9 - µs - 0,03 - µs - 0,03 - µs Eon - 90 - mWs Eoff - 65 - mWs ISC - 800 - A LsCE - 15 - nH RCC’+EE’ - 0,5 - mΩ min. typ. max. - 2,1 2,5 V - 2,1 2,5 V - 160 - A - 220 - A - 60 - µAs - 105 - µAs - 25 - mWs - 50 - mWs Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) IC = 200A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 7,5Ω, Tvj = 25°C td,on VGE = ±15V, RG = 7,5Ω, Tvj = 125°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC = 200A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 7,5Ω, Tvj = 25°C tr VGE = ±15V, RG = 7,5Ω, Tvj = 125°C Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 200A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 7,5Ω, Tvj = 25°C td,off VGE = ±15V, RG = 7,5Ω, Tvj = 125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) IC = 200A, VCE = 900V VGE = ±15V, RG = 7,5Ω, Tvj = 25°C tf VGE = ±15V, RG = 7,5Ω, Tvj = 125°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data IC = 200A, VCE = 900V, VGE = 15V RG = 7,5Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH IC = 200A, VCE = 900V, VGE = 15V RG = 7,5Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, RG = 7,5Ω TVj≤125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip pro Zweig / per arm Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 200A, VGE = 0V, Tvj = 25°C VF IF = 200A, VGE = 0V, Tvj = 125°C IF = 200A, - diF/dt = 2300A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C IRM VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge IF = 200A, - diF/dt = 2300A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Qr VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = 200A, - diF/dt = 2300A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C 2(8) Erec BSM200GA170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GA 170 DLC Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. - - 0,065 K/W - - 0,14 K/W RthCK - - 0,012 K/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj - - 150 °C Betriebstemperatur operation temperature Top -40 - 125 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40 - 125 °C Transistor / transistor, DC Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Diode/Diode, DC Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per Module dPaste ≤ 50µm / dgrease ≤ 50µm RthJC Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Al2O3 Kriechstrecke creepage distance 20 mm Luftstrecke clearance 11 mm CTI comperative tracking index max. 5 Nm terminals M4 max. 2 Nm terminals M6 max. 5 Nm Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight G 420 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3(8) BSM200GA170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GA 170 DLC Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) I C = f (VCE) VGE = 15V 450 400 350 IC [A] 300 250 200 150 Tj = 25°C Tj = 125°C 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 4,5 5,0 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) I C = f (VCE) Tvj = 125°C 450 400 VGE = 19V 350 VGE = 15V VGE = 13V 300 IC [A] VGE = 11V VGE = 9V 250 200 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VCE [V] 4(8) BSM200GA170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GA 170 DLC Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) I C = f (VGE) VCE = 20V 450 400 Tj = 25°C 350 Tj = 125°C IC [A] 300 250 200 150 100 50 0 5 6 7 8 9 10 11 12 13 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) I F = f (VF) 450 400 Tj = 25°C Tj = 125°C 350 IF [A] 300 250 200 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VF [V] 5(8) BSM200GA170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GA 170 DLC Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , E off = f (IC) , E rec = f (IC) Rgon = Rgoff =7,5Ω, VCE = 900V, Tj = 125°C Switching losses (typical) 350 300 Eoff Eon Erec E [mJ] 250 200 150 100 50 0 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on = f (RG) , E off = f (RG) , E rec = f (RG) IC = 200A , VCE = 900V , Tj = 125°C 250 Eoff Eon E [mJ] 200 Erec 150 100 50 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 RG [Ω] 6(8) BSM200GA170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GA 170 DLC Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z thJC = f (t) 1 ZthJC [K / W] 0,1 Zth:Diode Zth:IGBT 0,01 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [sec] i ri [K/kW] : IGBT τi [sec] : IGBT 1 2 3 4 7,25 20,98 31,26 5,5 0,0047 0,0356 0,0613 0,4669 ri [K/kW] : Diode 26,06 51,63 51,63 10,69 0,0062 0,0473 0,0473 0,2322 τi [sec] : Diode Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) Rg = 7,5 Ohm, Tvj= 125°C 450 400 IC,Modul IC [A] 350 IC,Chip 300 250 200 150 100 50 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 VCE [V] 7(8) BSM200GA170DLC Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GA 170 DLC 8(8) BSM200GA170DLC Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.