MMFTN170 MMFTN170 ID = 500 mA RDS(on) < 1 Ω Tjmax = 150°C N-Channel Enhancement Mode FET N-Kanal FET – Anreicherungstyp VDSS = 60 V Ptot = 300 mW Version 2017-06-26 Typical Applications Signal processing, Drivers, Logic level converter Commercial grade 1) +0.1 1.1 -0.2 2.9 ±0.1 3 1 1.3±0.1 Type Code 2 RoHS Pb Mechanische Daten 1) 3000 / 7“ Weight approx. 2=S 3=D Dimensions - Maße [mm] Besonderheiten Schnelle Schaltzeiten Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Taped and reeled 1.9±0.1 1=G Features Fast switching times Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) EE WE 2.4 ±0.2 0.4 +0.1 -0.05 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Treiberstufen, Logikpegelwandler Standardausführung 1) EL V SOT-23 (TO-236) Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Type Code = JD Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) MMFTN170 Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung G short VDS 60 V RGS < 1 MΩ VDGR 60 V Gate-Source-voltage continuos Gate-Source-Spannung dauernd VGSS ± 20 V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 300 mW ID 500 mA Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom IDM 800 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS 150°C -55…+150°C Drain-Gate-voltage – Drain-Gate-Spannung Drain current – Drainstrom dc Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. V(BR)DSS 60 V – – IDSS – – 0.5 µA IGSS – – 10 nA Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung ID = 100 µA Drain-Source leakage current – Drain-Source Leckstrom VDS = 25 V, G short Gate-Body leakage current – Gate-Substrat Leckstrom VGS = 15 V 1 2 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MMFTN170 Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. VGS(th) 0.8 V – 3V RDS(on) – – 5Ω gFS – 320 mS – Ciss – 40 pF – Coss – 30 pF – Crss – 10 pF – td(on) – – 10 ns td(off) – – 10 ns Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VGS = VDS, ID = 1 mA Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand VGS = 10 V, ID = 200 mA Forward Transconductance – Übertragungssteilheit VDS > 2 VDS(on), ID = 200 mA Input Capacitance – Eingangskapazität VDS = 10 V, f = 1 MHz Output Capacitance – Ausgangskapazität VDS = 10 V, f = 1 MHz Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität VDS = 10 V, f = 1 MHz Turn-On Time – Einschaltzeit VDD = 25 V, ID = 500 mA, VGS = 10 V, RG = 50 Ω Turn-Off Delay Time – Ausschaltverzögerung VDD = 25 V, ID = 500 mA, VGS = 10 V, RG = 50 Ω Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 500 K/W 1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG