ES3A ... ES3J ES3A ... ES3J IFAV = 3.0 A VF1 < 0.9 V Tjmax = 150°C Superfast Efficient SMD Rectifier Diodes Superschnelle SMD-Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad VRRM = 50...600 V IFSM = 115/125 A trr < 20...35 ns Version 2015-10-26 ±0.2 2.2±0.3 2.1±0.2 7.9 0.15 RoHS Pb Besonderheiten Extrem niedrige Sperrverzugszeit Niedrige Fluss-Spannung Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) 3 Type Typ Features Extremely low reverse recovery time Low forward voltage drop Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) EE WE 5.8±0.2 1.2 Typische Anwendungen Gleichrichtung hoher Frequenzen Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad Standardausführung 1) EL V ~ SMC / ~ DO-214AB Typical Applications Rectification of higher frequencies High efficient switching stages Commercial grade 1) Taped and reeled Weight approx. 7.2 ±0.5 Dimensions - Maße [mm] Mechanische Daten 1) 3000 / 13“ Gegurtet auf Rolle 0.21 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] ES3A 50 50 ES3B 100 100 ES3C 150 150 ES3D 200 200 ES3F 300 300 ES3G 400 400 ES3J 600 600 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 3A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 15 A 3) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 115/125 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 50 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 ES3A ... ES3J Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] ES3A...ES3D < 20 < 0.9 3 ES3F...ES3G < 25 < 1.3 3 ES3J < 35 < 1.5 3 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 5 µA < 500 µA Cj 20 pF Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 40 K/W 2) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthL < 10 K/W Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapzität VR = 4 V 10 120 [%] [A] ES3A...D 100 1 80 ES3F...G 60 ES3J 0.1 40 10-2 20 IF IFAV 0 10-3 0 TT 50 100 150 [°C] Tj = 25°C VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG