GSME GMDTA114E Pnp digital transistor Datasheet

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMDTA114E
&EQUIVALENT CIRCUIT
DESCRIPTION&EQUIVALENT
■DESCRIPTION
功能和等效電路
PNP DIGITAL TRANSISTOR(BUILT-IN RESISTORS)數字晶體管(内置電阻)
■MAXIMUM RATINGS 最大額定值
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Rating
額定值
Unit
單位
Supply Voltage
供给電壓
VCC
-50
V
Input Voltage
輸入電壓
VIN
-40 ~ 10
V
IO(MAX)
-100
mA
Power Dissipation
耗散功率
PD
200
mW
Junction Temperature
结溫
Tj
125
℃
Storage Temperature
儲存溫度
Tstg
-55 ~ +125
℃
Output Current
輸出電流
■DEVICE
MARKING 打標
DTA114E
GM
GMDTA114E
DTA114E((DTA114E
DTA114E))=14
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GMDTA114E
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(TA=25
=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃))
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Test Condition
測試條件
Min
最小值
Typ
典型值
Max
最大值
VI(OFF)
VCC=-5V,
IO=-100uA
—
—
-0.5
Input Voltage
輸入電壓
Unit
單位
V
VI(ON)
VO=-0.3V,
IO=-10mA
-3
—
—
VO(ON)
IO=-10mA,
II=-0.5mA
—
—
-0.3
V
II
VI=-5V
—
—
-0.88
mA
IO(OFF)
VCC=-50V,
VI=0V
—
—
-0.5
uA
DC Current Gain
直流電流增益
GI
VO=-5V,
IO=-5mA
30
—
—
—
Input Resistance
輸入電阻
R1
—
7
10
13
KΩ
Resistance Ratio
電阻比率
R2/R1
—
0.8
1
1.2
—
Output Voltage
輸出電壓
Input Current
輸入電流
Output Current
輸出電流
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GMDTA114E
■DIMENSION
外形封裝尺寸
單位(UNIT):mm
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