LS4148, LS4448 LS4148, LS4448 IFAV = 150...300 mA VRRM = 50...100 V VF < 1.0 V IFSM = 2000...4000 mA Tjmax = 200°C trr < 4 ns Small Signal SMD Switching Diodes Ultraschnelle SMD-Kleinsignaldioden Version 2015-10-27 0.3 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schnelles Schalten Standardausführung 1) Features Quadro glass body Very high switching speed Low junction capacitance Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) RoHS Pb Mechanische Daten 1) Mechanical Data 1) Taped and reeled Dimensions - Maße [mm] Besonderheiten Quadro-Gehäusekörper Extrem schnelles Schalten Niedrige Sperrschichtkapazität Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) EL V Type Typ Typical Applications Signal processing, High-speed switching Commercial grade 1) EE WE 3.5±0.1 0.3 ~ SOD-80C Glass Quadro-MiniMELF 2500 / 7“ Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.04 g Solder & assembly conditions Gewicht ca. 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) LS4148, LS4448 Power dissipation − Verlustleistung Ptot 500 mW 2) Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 150 mA 3) Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA 3) IFSM IFSM 500 mA 3) 2A VR 75 V VRRM 100 V Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s tp ≤ 1 µs Reverse voltage – Sperrspannung Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS Characteristics (Tj = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung -55...+175°C -55…+175°C Kennwerte (Tj = 25°C) LS4148 IF = 50 mA VF < 1.0 V LS4448 IF = 5 mA IF = 100 mA VF VF 0.62...0.72 V <1V Leakage current – Sperrstrom 3) VR = 20 V VR = 75 V IR IR < 25 nA < 5 µA Leakage current – Sperrstrom, Tj = 125°C 4) VR = 20 V VR = 75 V IR IR < 30 µA < 50 µA 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 LS4148, LS4448 Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT 4 pF Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 4 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA These diodes are also available in other case styles Diese Dioden sind auch in anderen Gehäuseformen lieferbar < 300 K/W 3) DO-35 MiniMELF Q-MicroMelf SOD-123 SOD-323 SOT-363 = = = = = = 1N4148 LL4148 MCL4148' 1N4148W 1N4148WS MMBD4448SDW 1 120 [%] [A] 100 10-1 80 Tj = 125°C -2 10 60 40 Tj = 25°C 10-3 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 10-4 [°C] 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG