Diotec FT2000B Fast silicon rectifier Datasheet

FT 2000 A … FT 2000 G
Fast Silicon Rectifiers
Schnelle Silizium Gleichrichter
Version 2004-06-24
Nominal current – Nennstrom
20 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50…400 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-220AC
Weight approx. – Gewicht ca.
2.2 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
1/Tab = Cathode 2 = Anode
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
FT 2000 A
FT 2000 B
FT 2000 D
FT 2000 G
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
50
100
200
400
50
100
200
400
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 100°C
IFAV
20 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Preliminary
f > 15 Hz
IFRM
80 A 1)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Vorläufig
TA = 25°C
IFSM
375 A
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
390 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
680 A2s
Tj
TS
– 50…+150°C
– 50…+175°C
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
1
FT 2000 A … FT 2000 G
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlaßspannung
Tj = 25°C
IF = 20 A
VF
< 0.94 V
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 25 µA
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
trr
< 200 ns
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
120
RthC
< 2.0 K/W
100
[%]
[A]
100
10
80
60
Tj = 25°C
1
40
10
20
-1
IF
IFAV
0
TC
[°C]
Rated forward current versus case temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
10
-2
VF
[V]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Preliminary
Vorläufig
2
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