Infineon D1600U Full blocking capability 50/60hz over a wide temperature range Datasheet

Technische Information /
technical information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D1600U
Key Parameters
VRRM
4500 V
IFAVM
1560 A (TC=65 °C)
IFSM
VT0
28000 A
3570A (TC=55°C)
1,8 V
rT
0,994 mΩ
RthJC
7,5 K/W
Clamping Force
36 … 65 kN
Max. Diameter
121 mm
Contact Diameter
86 mm
Height
26 mm
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features

Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Hohe DC Sperrstabilität


Full blocking capability 50/60Hz over a wide
temperature range
High DC blocking stability
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Hoher Gehäusebruchstrom
Sanftes Ausschaltverhalten bei hohen
Stromsteilheiten



High surge current capability
High case non-rupture current
Soft turn-off behavior at high turn-off di/dt




Typische Anwendungen
Typical Applications








Mittelspannungsumrichter
Freilaufdiode für IGCT - Applikationen
Freilaufdiode für IGBT - Applikationen
Pulsed Power - Applikationen
content of customer DMX code
serial number
SP material number
datecode (production day)
datecode (production year)
datecode (production month)
vT class (optional)
QR class (optional)
Date of Publication: 2017-03-27
DMX code
digit
1..7
8..16
17..18
19..20
21..22
23..26
27..30
Medium voltage converters
Freewheeling Diode for IGCT - applications
Freewheeling Diode for IGBT - applications
Pulsed power applications
DMX code
digit quantity
7
9
2
2
2
4
4
Revision: 1.1
1
2
www.ifbip.com
[email protected]
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Technische Information /
technical information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D1600U
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
Elektrische Eigenschaften
repetitive peak reverse voltage
Tvj = 0°C... Tvj max
VRRM
4500 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Tc = 65°C
IFRMSM
2450 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 65°C, f=50Hz
TC = 55°C, f=50Hz
IFAVM
1560 A
1680 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
IFSM
A
28000 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
Max. Ausschaltverluste
max. turn-off losses
Tvj = Tvjmax
IFM=4500A, -di/dt=5000A/us,
VDC=3000V, Ls<240nH, ton=40us
PRQ
failure rate  < 100
VR(D)
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 2500A
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage
1000A  iF  3000A
10³ A²s
3920 10³ A²s
9 MW
estimate
value
2800 V
vF
typ.
max.
4,0 V
4,3 V
Tvj = Tvj max
V(TO)
typ.
max.
1,72 V
1,8 V
Tvj = Tvj max
rT
typ.
max.
0,926 mΩ
0,994 mΩ
Tvj = Tvj max
typ.
Spitzenwert der Durchlassverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
Tvj = Tvjmax, diF/dt = 5000A/µs
IFM = 4000A
VFRM
0,70113084
0,00011385
-0,0503671
0,06879726
0,69909626
0,00012249
-0,0512452
0,07368193
typ.
250 V
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max, vR = VRRM
iR
max.
Qr
max.
IRM
max.
3600 A
WRQ
max.
13,5 Ws
FRRS
typ.
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
v F  A  B  i F  C  Ln ( i F  1)  D 
iF
max.
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Tvj = Tvjmax
IFM=4500A, -di/dt=5000A/us,
VDC=3000V, Ls<240nH, ton=40us
Ausschaltverlust Energie
turn-off energy
Abklingsanftheit
reverse recovery softness factor
Tvj = Tvjmax
IFM = 2500A, VR = 2800 V,
-dirr/dt(i=0) = 1000A/s, Δtrf = 200ns
prepared by: TM
date of publication:
approved by: JP
revision:
Date of Publication: 2017-03-27
Revision: 1.1
A
B
C
D
A
B
C
D
150 mA
6 mAs
1,6
2017-03-27
1.1
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Technische Information /
technical information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D1600U
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
/ two-sided, θ = 180°sin
Thermischebeidseitig
Eigenschaften
beidseitig / two-sided, DC
/ anode, DC
MechanischeAnode
Eigenschaften
Kathode / cathode, DC
RthJC
max.
max.
max.
max.
8,55
7,5
13,3
17,2
K/kW
K/kW
K/kW
K/kW
max.
max.
2,5 K/k/W
5,0 K/k/W
140 °C
RthCH
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
0...+140 °C
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
Gewicht
weight
G
36...65
typ.
kN
1500 g
Kriechstrecke
creepage distance
33 mm
Luftstrecke
air distance
17 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
Date of Publication: 2017-03-27
Revision: 1.1
C
50 m/s²
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Technische Information /
technical information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D1600U
Maßbild
1: Anode/Anode
1
2
2: Kathode/Cathode
Date of Publication: 2017-03-27
Revision: 1.1
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Technische Information /
technical information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D1600U
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
R,t – Werte
R
Pos. n
1
2
3
4
5
Rthn [K/kW]
2,95
2
1,54
0,98
0,03
τn [s]
0,78
0,131
0,0217
0,00514
0,00104
Rthn [K/kW]
8,04
0,81
2,39
1,6
0,46
τn [s]
5,11
0,359
0,0962
0,012
0,00332
Rthn [K/kW]
12,1
0,4
2,44
1,55
0,71
τn [s]
4,97
0,489
0,121
0,0153
0,00427
R,T-Werte
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Z thJC 
Analytische Funktion / Analytical function:
thJC
6
n max

7
R thn 1  e
-t
n
n=1
20
cl
18
16
al
14
ZthJC [K/kW]
12
10
bl
8
6
4
2
0,001
0,01
0,1
1
10
0
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z
thJC
= f(t) for DC
a : Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b : Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c : Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Revision: 1.1
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Technische Information /
technical information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D1600U
3500
Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
3000
typ.
max.
2500
2000
i F [A]
1500
1000
500
0
0
1
2
3
4
5
vF [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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Revision: 1.1
Seite/page: 6/8
Technische Information /
technical information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D1600U
300
250
typ.
200
VFRM [V]
150
100
50
0
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
di F /dt [A/µs]
Spitzenwert-Durchlassverzögerungsspannung / peak value forward recovery voltage V FRM = f(diF/dt)
Tvj=Tvjmax, IFM = 4000A
Date of Publication: 2017-03-27
Revision: 1.1
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Technische Information /
technical information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D1600U
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Revision: 1.1
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