FT2000AA ... FT2000KG FT2000AA ... FT2000KG Superfast Silicon Rectifiers – Single Diode / Two Polarities Superschnelle Silizium-Gleichrichter – Einzeldiode / Zwei Polaritäten Version 2013-05-07 Nominal current Nennstrom ±0.3 2.8 4 3 1 ±0.3 3.9 4 ±0.1 1.3 13.9 ±0.1 0.42 8.7 Type Typ 1 2.67±0.2 ±0.2 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...400 V A Plastic case Kunststoffgehäuse TO-220AC 3 K Weight approx. Gewicht ca. 3 Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert ±0.3 Ø 3.8 4 ±0.3 10.1 ±0.3 ±0.2 4.5 14.9±0.7 1.2±0.2 ±0.2 0.8 1 5.08±0.1 20 A 1.8 g Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type / Typ Polarity / Polarität Grenz- und Kennwerte Repet. peak reverse voltage Surge peak reverse volt. Period. Spitzensperrspanng. Stoßspitzensperrspanng. VRRM [V] VRSM [V] K (Standard) A (Reverse) FT2000KA FT2000AA 50 FT2000KB FT2000AB FT2000KC Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5 A IF = 20 A 50 < 0.84 < 0.96 100 100 < 0.84 < 0.96 FT2000AC 150 150 < 0.84 < 0.96 FT2000KD FT2000AD 200 200 < 0.84 < 0.96 FT2000KG FT2000AG 400 400 < 0.84 < 0.96 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 100°C IFAV 20 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 70 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 350/385 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 612 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+150°C +200°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C 1 2 Tj = 25°C Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 FT2000AA ... FT2000KG Characteristics Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 125°C IR < 5 µA typ. 40µA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über trr IR = 1 A to IR = 0.25 A < 200 ns Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC 120 < 1.5 K/W 3 10 [%] [A] 100 Tj = 125°C 102 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses 2 400a-(5a-0,8v) -1 http://www.diotec.com/ 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) © Diotec Semiconductor AG