NPN SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HE13005 █ ＨＩＧＨ ＶＯＬＴＡＧＥ ＳＷＩＴＣＨ ＭＯＤＥ ＡＰＰＬＩＣＩＣＡＴＩＯＮ High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Montor Control █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-220AB T stg ——Storage Temperature………………………… －65~150℃ T j ——Junction Temperature……………………………… 150℃ PC——Collector Dissipation（T c=25℃）…………………… 75W VCBO ——Collector-Base Voltage…………………………… 700V VCEO——Collector-Emitter Voltage………………………… 400V 1―Base，B VEBO ——Emitter-Base Voltage……………………………… 9V 2―Collector，C 3―Emitter, E IC——Collector Current（DC）………………………………… 4A IC——Collector Current（Pulse）……………………………… 8A IB——Base Current……………………………………………2A █ 电参数（Ta=25℃） Symbol BVCEO IEBO Characteristics Collector-Emitter Breakdown Voltage Min Typ Max ４００ Emitter Cut-off Current １ Unit Test Conditions Ｖ ＩＣ＝１０ｍＡ，ＩＢ＝０ ｍＡ ＶＥＢ＝９Ｖ， ＩＣ＝０ HFE（1） DC Current Gain １０ ４０ ＶＣＥ＝５Ｖ， ＩＣ＝１０Ａ HFE（2） ８ ４０ ＶＣＥ＝５Ｖ， ＩＣ＝２Ａ VCE(sat1) Collector- Emitter Saturation Voltage ０．５ Ｖ ＩＣ＝１Ａ， ＩＢ＝０．２Ａ VCE(sat2) ０．６ Ｖ ＩＣ＝２Ａ， ＩＢ＝０．５Ａ VCE(sat3) １ Ｖ ＩＣ＝４Ａ， ＩＢ＝１Ａ １．２ Ｖ ＩＣ＝１Ａ， ＩＢ＝０．２Ａ １．６ Ｖ ＩＣ＝２Ａ， ＩＢ＝０．５Ａ ｐＦ ＶＣＢ＝１０Ｖ，ｆ＝０．１ＭＨｚ ＭＨｚ ＶＣＥ＝１０Ｖ， ＩＣ＝０．５Ａ VBE(sat1) Base-Emitter Saturation Voltage VBE(sat2) Cob fT Output Capacitance Current Gain-Bandwidth Product tON Turn-On Time tSTG Storage tF Fall Time Time ６５ ４ ０．８ μＳ ４ μＳ ＶＣＣ＝１２５Ｖ， ＩＣ＝２Ａ ０．９ μＳ ＩＢ１＝－ＩＢ２＝０．４Ａ hFE Classification： H1（10--16） H2（14--21） H3（19--26） H4（24--31） H5（29--40） Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. NPN SILICON TRANSISTOR HE13005 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. NPN SILICON TRANS ISTOR HE13005