NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 13002 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：D142AG-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1420×1420µm 2 焊位尺寸：B 极 300×245µm 2，E 极 350×245µm 2 电极金属：铝 背面金属：银或金 典型封装：KSE13002，HE13002 █ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-126） Tstg——贮存温度…………………………………… -65~150℃ Tj——结温………………………………………………… 150℃ PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）……………………… 30W VCBO——集电极—基极电压……………………………… 600V VCEO——集电极—发射极电压…………………………… 400V V EBO ——发射极—基极电压…………………………………9V IC——集电极电流（DC）……………………………………1.5A █ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-126） 参数符号 BVCBO BVCEO BVEBO 符 号 说 明 hFE VCE(sat) 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 VBE(sat) ICBO IEBO fT 基极—发射极饱和电压 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 特征频率 tON tSTG tF 导通时间 贮存时间 下降时间 最小值 典型值 最大值 600 400 9 10 单位 V V V 40 1.8 0.8 1.2 10 10 8 1.1 4.0 0.7 V V V µA µA MHz µS µS µS 测 试 条 件 IC=1mA，IE=0 IC=10mA，IB=0 IE=1mA，IC=0 VCE=10V，IC=0.1A IC=1A，IB=200mA IC=0.5A，IB=100mA IC=0.5A，IB=100mA VCB=500V，IE=0 VEB=9V，IC=0 VCE=10V，IC=0.1A， f=1MHz VCC=125V，IC=1A IB1=-IB2=0.2A RL=125Ω