HUASHAN D142AG-00 Npn silicon transistor Datasheet

NPN
汕头华汕电子器件有限公司
SILICON
TRANSISTOR
13002 晶体管芯片说明书
█ 芯片简介
█ 管芯示意图
芯片尺寸:4 英寸(100mm)
芯片代码:D142AG-00
芯片厚度:240±20µm
管芯尺寸:1420×1420µm 2
焊位尺寸:B 极 300×245µm 2,E 极 350×245µm 2
电极金属:铝
背面金属:银或金
典型封装:KSE13002,HE13002
█ 极限值(Ta=25℃)(封装形式:TO-126)
Tstg——贮存温度…………………………………… -65~150℃
Tj——结温………………………………………………… 150℃
PC——集电极功率耗散(Tc=25℃)……………………… 30W
VCBO——集电极—基极电压……………………………… 600V
VCEO——集电极—发射极电压…………………………… 400V
V EBO ——发射极—基极电压…………………………………9V
IC——集电极电流(DC)……………………………………1.5A
█ 电参数(Ta=25℃)(封装形式:TO-126)
参数符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
符
号
说
明
hFE
VCE(sat)
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
VBE(sat)
ICBO
IEBO
fT
基极—发射极饱和电压
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
特征频率
tON
tSTG
tF
导通时间
贮存时间
下降时间
最小值 典型值 最大值
600
400
9
10
单位
V
V
V
40
1.8
0.8
1.2
10
10
8
1.1
4.0
0.7
V
V
V
µA
µA
MHz
µS
µS
µS
测
试
条
件
IC=1mA,IE=0
IC=10mA,IB=0
IE=1mA,IC=0
VCE=10V,IC=0.1A
IC=1A,IB=200mA
IC=0.5A,IB=100mA
IC=0.5A,IB=100mA
VCB=500V,IE=0
VEB=9V,IC=0
VCE=10V,IC=0.1A,
f=1MHz
VCC=125V,IC=1A
IB1=-IB2=0.2A
RL=125Ω
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