Diotec BAV18 Superfast switching si-planar diode Datasheet

BAV18 ... BAV21
BAV18 ... BAV21
Superfast Switching Si-Planar Diodes
Superschnelle Si-Planar-Dioden
Version 2005-08-15
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Ø 1.9
50...200 V
Glass case
Glasgehäuse
3.9
62.5
500 mW
DO-35
(SOD-27)
Weight approx.
Gewicht ca.
0.13 g
Equivalent SMD-version
Äquvalente SMD-Ausführung
Ø 0.52
BAV100...BAV102
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings (TA =25°C)
Type
Typ
Grenzwerte (TA =25°C)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] 1)
BAV18
50
60
BAV19
100
120
BAV20
150
200
BAV21
200
250
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
TA = 25°C
Ptot
500 mW 2)
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 25°C
IFAV
250 mA 2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
650 mA 2)
Peak forward surge current, t ≤ 1 s
Stoßstrom, t ≤ 1 s
TA = 25°C
IFSM
1A
Peak forward surge current, t ≤ 1 µs
Stoßstrom, t ≤ 1 µs
TA = 25°C
IFSM
5A
Tj
TS
-50...+200°C
-50...+200°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
Tested with pulses IR = 100 µA, tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen IR = 100 µA, tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BAV18 ... BAV21
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 0.1 A
VF
< 1.0 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 100 nA
< 15 µA
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 30 mA through/über
IR = 30 mA to IR = 1 mA
trr
< 50 ns
RthA
< 300 K/W 1)
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
10
120
[%]
[A]
100
1
80
Tj = 125°C
60
-1
10
40
Tj = 25°C
-2
10
20
IF
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
10-3
Power dissipation versus ambient temperature 1)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
1
2
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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