Siemens BPW21 Silicon photodiode for the visible spectral range Datasheet

BPW 21
BPW 21
fmo06011
Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich
Silicon Photodiode for the visible spectral range
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 350 nm bis 820 nm
● Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
● Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich
TO-5)
Features
● Especially suitable for applications from
350 nm to 820 nm
● Adapted to human eye sensitivity (Vλ)
● Hermetically sealed metal package (similar
to TO-5)
Anwendungen
Applications
● Belichtungsmesser für Tageslicht
● Für Kunstlicht mit hoher Farbtemperatur in
● Exposure meter for daylight
● For artificial light of high color temperature in
der Fotografie und Farbanalyse
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPW 21
Q62702-P885
Semiconductor Group
photographic fields and color analysis
1
1998-11-13
BPW 21
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
– 40 ... + 80
°C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
TS
235
°C
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
10
V
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Ptot
250
mW
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V
Spectral sensitivity
S
10 (≥ 5.5)
nA/lx
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max
550
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
λ
350 ... 820
nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
7.34
mm2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L×B
2.73 × 2.73
mm × mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
H
1.9 ... 2.3
mm
Halbwinkel
Half angle
ϕ
± 55
Grad
deg.
Semiconductor Group
2
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
L×W
1998-11-13
BPW 21
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) (cont’d)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Dunkelstrom
Dark current
VR = 5 V
VR = 10 mV
IR
IR
2 (≤ 30)
8 (≤ 200)
nA
pA
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 550 nm
Spectral sensitivity
Sλ
0.34
A/W
Quantenausbeute, λ = 550 nm
Quantum yield
η
0.80
Electrons
Photon
Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix
Open-circuit voltage
VO
400 (≥ 320)
mV
Kurzschlußstrom, Ev = 1000 Ix
Short-circuit current
ISC
10
µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 1 kΩ; VR = 5 V; λ = 550 nm; Ip = 10 µA
tr, tf
1.5
µs
Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0
Forward voltage
VF
1.2
V
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
C0
580
pF
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV
– 2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
TCI
– 0.05
%/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR = 5 V, λ = 550 nm
NEP
7.2 × 10– 14
W
√Hz
Nachweisgrenze, VR = 5 V, λ = 550 nm
Detection limit
D*
1 × 1012
cm · √Hz
W
Semiconductor Group
3
1998-11-13
BPW 21
Relative spectral sensitivity
Srel = f (λ)
Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit voltage VO = f (Ev)
Total power dissipation
Ptot = f (TA )
Dark current
IR = f (VR)
Capacitance
C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0
Dark current
IR = f (TA), VR = 5 V
Directional characteristics Srel = f (ϕ)
Semiconductor Group
4
1998-11-13
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