高压整流二极管芯片(芯片代码:DVW30M1A/DVW30M2A) JZDW3016 1. 芯片特征 (1) SIPOS和GPP双层钝化保护工艺 (2) 单台面外沟槽工艺 (3) VRRM≥1600V (4) 正面金属层:AL或Ti-Ni-Ag (5) 背面金属层:Ti-Ni-Ag 2. 芯片尺寸 (1) 5.4mm×5.4mm 3. 主要用途 (1) 整流电源 (2) 其他整流应用 K A 4. 产品极限参数 参数名称 反向重复峰值电压 反向不重复峰值电压 正向平均电流 正向浪涌电流 电流时间积分 结温范围 符号 VRRM VRSM IF(AV) IFSM I2t Tj 单位 V V A A A2s ℃ 数值 1600 1700 30 360 640 测试条件 Tj=25°C,IRRM=5uA Tj=25°C,IRRM=5uA TS=80°C,Tj=150°C tp=10ms, sin 180°,Tj=150°C Tj = 150 °C, tp=10ms, sin 180° -40～150 5. 其他检查标准 参数名称 符号 单位 反向漏电流 IR 正向压降 VF 外观检验 mA 测试条件 Tj=25℃ VR=1600V Tj=145℃ V IF=5A,Tj=25℃，芯片测试 (1) 玻璃裂纹 (2) 金属层侵蚀 标准数值 最小值平均值 － － 最大值 0.1 － - － 0.9 2 － － － － － － 检验数量 抽检(5%) 1 6.芯片结构 名称 芯片尺寸 沟槽尺寸 金属尺寸 芯片厚度 沟槽深度 AL金属层厚度 Ti-Ni-Ag金属层厚度 符号 U W X Y Z 单位 尺寸 mm 5.4±0.05 mm 4.5±0.1 mm 4.4±0.1 μm 300±10 μm 140±20 μm 7±1 μm 1.5~2.0 说明 Jiangsu JieJie Micro-electronic Co., Ltd. http://www.jjwdz.com 1/1 全数