面実装デバイス Rectifier Diode 単体型 Surface Mounting Device Single Diode ■外観図 OUTLINE D3F60 Unit : mm Weight : 0.16g （typ.） Package：2F 600V 3A 特長 ① • 小型 SMD • 耐湿性に優れ高信頼性 • 高 IFSM 3FV 60 82 カソードマーク Cathode mark 品名略号 Type No. Feature 4 ＋① ② − ② ロット記号（例） 級表示（例） Date code Class • Small SMD • High-Reliability • Large IFSM 7.6 2.8 外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下 さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。 'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOT SFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS 4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOH SFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH 5FSNJOBM$POOFDUJPOu ■定格表 RATINGS 項 目 Item 保存温度 Storage Temperature 接合部温度 Operation Junction Temperature せん頭逆電圧 Maximum Reverse Voltage 出力電流 Average Rectified Forward Current せん頭サージ順電流 Peak Surge Forward Current 順電圧 Forward Voltage 逆電流 Reverse Current D3F60 単位 Unit Tstg −55〜150 ℃ Tj 150 ℃ VRM 600 V 3 A 150 A IO IFSM VF IR θjl 熱抵抗 Thermal Resistance 202 （J534） 品 名 Type No. 記号 条 件 Symbol Conditions θja 50Hz 正弦波，抵抗負荷，Tl = 80℃ 50Hz sine wave, Resistance load, Tl = 80℃ 50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃ 50Hz sine wave , Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃ パルス測定 Pulse measurement VR = VRM, パルス測定 Pulse measurement 接合部・リード間 Junction to Lead IF = 3A, 接合部・周囲間 Junction to Ambient アルミナ基板実装 On alumina substrate プリント基板実装 On glass-epoxy substrate MAX 1.05 MAX 10 MAX 23 MAX 80 MAX 115 V μA ℃/W Small SMD D3F60 ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS 150 100 50 0 ＊ Sine wave は 50Hz で測定しています。 ＊ )[TJOFXBWFJTVTFEGPSNFBTVSFNFOUT ＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。 Typical は統計的な実力を表しています。 ＊ 4FNJDPOEVDUPSQSPEVDUTHFOFSBMMZIBWFDIBSBDUFSSJTUJDWBSJBUJPO 5ZQJDBMJTBTUBUJTUJDBMBWFSBHFPGUIFEFWJDFhTBCJMJUZ （J534） 203 Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Shindengen: D3F60-5103 D3F60-4073 D3F60-4063 D3F60-5063 D3F60-5073 D3F60-4103