NTE NTE3091 Optoisolator scr output Datasheet

NTE3091
Optoisolator
SCR Output
Description:
The NTE3091 is a gallium arsenide, infrared emitting diode coupled with a light activated silicon
controlled rectifier in a 6–Lead DIP type ppackage.
Absolute Maximum Rating: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Infrared Emitting Diode
Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Forward Current
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60mA
Peak (Pulse Width = 1µs PPs) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A
LED Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mW
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.33mW/°C
Photo–SCR
Peak Forward Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
RMS Forward Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mA
Peak Forward Current (Pulse Width = 100µs, Duty Cycle = 1%) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Surge Current (10ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A
Reverse Gate Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Power Dissipation (TA = +25°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mW
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.3mW/°C
Power Dissipation (TC = +25°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000mW
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13.3mW/°C
Total Device
Isolation Surge Voltage (Input–to–Output)
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3535V
RMS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2500V
Steady–State Isolation Voltage (Input–to–Output)
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2100V
RMS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V
Operating Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +100°C
Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Lead Temperature (During Soldering, 10sec) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +260°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Infrared Emitting Diode
Forward Voltage
VF
IF = 10mA
–
1.2
1.5
V
Reverse Leakage Current
IR
VR = 3V
–
–
10
µA
Capacitance
CJ
V = 0, f = 1MHz
–
50
–
pF
Electrical Characteristics (Cont’d): (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
400
–
–
V
400
–
–
V
Photo–SCR
Off–State Voltage
VDM
ID = 150µA, RGK = 10kΩ, TA = +100°C
Reverse Voltage
VRM
On–State Voltage
VTM
ITM = 0.3A
–
1.1
1.3
V
Off–State Current
IDM
VDM = 400V, RGK = 10kΩ, TA = +100°C
–
–
150
mA
Reverse Current
IRM
VRM = 400V, RGK = 10kΩ, TA = +100°C
–
20
–
mA
V = 0, f = 1MHz (Gate–Cathode)
–
350
–
pF
VAK = 50V, RGK = 10kΩ
–
–
20
mA
VAK = 100V, RGK = 27kΩ
–
–
11
mA
100
–
–
GΩ
–
–
2
pF
500
–
–
V/s
Capacitance (Anode–Gate)
Coupled
Input Current to Trigger
Isolation Resistance
Input–to–Output Voltage = 500VDC
Input–to–Output Capacitance
Input–to–Output Voltage = 0, f = 1MHz
Coupled dv/dt, Input–to–Output
Pin Connection Diagram
Anode
1
6 Gate
Cathode
2
5 Anode
N.C.
3
4 Cathode
6
1
5
4
2
3
.260
(6.6)
Max
.070 (1.78) Max
.350 (8.89)
Max
.200 (5.08)
Max
.085 (2.16) Max
.300 (7.62)
.350
(8.89)
Max
.100 (2.54)