N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET R JCS620T 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID VDSS Rdson-max （@Vgs=10V） Qg-typ 5A 封装 Package 200 V 0.8Ω 7.39nC 用途 APPLICATIONS 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS 产品特性 FEATURES 低栅极电荷 低 Crss 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS 产品 Low gate charge Low Crss Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 Order codes 印 记 Marking 封 装 Package 无卤素 Halogen Free 包 装 Packaging 器件重量 Device Weight JCS620VT-O-V-N-B JCS620VT IPAK 否 NO 条管 Tube 0.35 g(typ) JCS620RT-O-R-N-B JCS620RT DPAK 否 NO 条管 Tube 0.35 g(typ) JCS620RT-O-R-N-A JCS620RT DPAK 否 NO 编带 Brede 0.35 g(typ) JCS620CT-O-C-N-B JCS620CT TO-220C 否 NO 条管 Tube 2.06 g(typ) JCS620FT-O- F-N-B JCS620FT TO-220MF 否 NO 条管 Tube 2.22 g(typ) 版本：201511A 1/12 JCS620T R 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项 目 Parameter 符 号 Symbol 数 值 Value JCS620VT/RT/CT JCS620FT 单 位 Unit 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage VDSS 连续漏极电流 Drain Current -continuous ID T=25℃ T=100℃ 5 5* A 4 4* A 最大脉冲漏极电流（注 1） Drain Current -pulse （note 1） IDM 20 20* A 最高栅源电压 Gate-Source Voltage VGSS ±30 V 单脉冲雪崩能量（注 2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） EAS 31.25 mJ 5 A 200 雪崩电流（注 1） IAR Avalanche Current （note 1） 重复雪崩能量（注 1） Repetitive Avalanche Current （note 1） EAR 二极管反向恢复最大电压变 化速率（注 3） Peak Diode Recovery dv/dt （note 3） dv/dt 耗散功率 Power Dissipation PD TC=25℃ -Derate above 25℃ 最高结温及存储温度 Operating and Storage Temperature Range TJ，TSTG 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes TL 8.3 V 3.6 mJ 5 V/ns 83 36 W 0.67 0.29 W/℃ -55～+150 ℃ 300 ℃ *漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature 版本：201511A 2/12 JCS620T R 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 典型 最 大 单 位 Min Typ Max Units 关态特性 Off –Characteristics 漏－源击穿电压 Drain-Source Voltage BVDSS 击穿电压温度特性 Breakdown Voltage Temperature Coefficient ΔBVDSS ID=250μA, referenced to 25℃ /ΔTJ 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, forward 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, reverse ID=250μA, VGS=0V 200 - - - 0.2 - V/℃ VDS=200V, VGS=0V, TC=25℃ - - 1 μA VDS=160V, TC=125℃ - - 10 μA IGSSF VDS=0V, VGS =30V - - 100 nA IGSSR VDS=0V, VGS =-30V - - -100 nA 阈值电压 Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS , ID=250μA 2.0 - 静态导通电阻 Static Drain-Source On-Resistance RDS(ON) VGS =10V , ID=2.5A 正向跨导 Forward Transconductance gfs V 通态特性 On-Characteristics VDS = 40V , ID=2.5A（note 4） 4.0 V - 0.55 0.8 Ω - 2.4 S - 216 pF - 58 pF - 9.3 pF - 动态特性 Dynamic Characteristics 输入电容 Input capacitance Ciss 输出电容 Output capacitance Coss 反向传输电容 Reverse transfer capacitance Crss 版本：201511A VDS=25V, VGS =0V, f=1.0MHZ 3/12 JCS620T R 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 典型 最大 单位 Min Typ Max Units 开关特性 Switching –Characteristics 延迟时间 Turn-On delay time td(on) 上升时间 Turn-On rise time tr 延迟时间 Turn-Off delay time td(off) 下降时间 Turn-Off Fall time tf 栅极电荷总量 Total Gate Charge Qg 栅－源电荷 Gate-Source charge Qgs 栅－漏电荷 Gate-Drain charge Qgd VDD=100V,ID=5A,RG=25Ω VGS =10V （note 4，5） VDS =160V , ID=5A VGS =10V（note 4，5） - 11.5 17 ns - 23.5 35 ns - 26.4 40 ns - 10.7 16 ns - 7.39 10 nC - 1.89 - nC - 4.19 - nC 漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current IS - - 5 A 正向最大脉冲电流 Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current ISM - - 20 A 1.4 V 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current VSD 反向恢复时间 Reverse recovery time trr 反向恢复电荷 Reverse recovery charge Qrr VGS=0V, IS=5A - VGS=0V, IS=5A dIF/dt=100A/μs (note 4) 120 ns 430 nC 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case Rth(j-c) 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient Rth(j-A) 注： 最大值 Value JCS620VT/RT/CT JCS620FT 1.5 3.5 单 位 Unit ℃/W ℃/W 62.5 Notes: 1：脉冲宽度由最高结温限制 2：L=2.5mH, IAS=5A, VDD=50V, 1：Pulse width limited by maximum junction temperature RG=25 Ω,起始结温 TJ=25℃ 2：L=2.5mH, IAS=5A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting TJ=25℃ 3：ISD ≤5A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS,起始结温 TJ=25℃ 3：ISD ≤5A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃ 4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％ 4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2％ 5：基本与工作温度无关 5：Essentially independent of operating temperature 版本：201511A 4/12 JCS620T R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Typical Output Characteristics, TC = 25 °C Transfer Characteristics ID [A] 100 150℃ 25℃ 10 Notes: 1.250μs pulse test 2.VDS=40V 1 4 6 8 10 12 VGS [V] Breakdown Voltage Variation vs. Temperature Body Diode Forward Voltage Variation vs. Source Current and Temperature Capacitance Characteristics 12 Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd 2 4.5x10 2 4.0x10 2 3.5x10 2 2 2.5x10 10 VDS=100V 8 Ciss 3.0x10 VDS=40V VGS Gate Source Voltage[V] 2 5.0x10 Capacitance [pF] Gate Charge Characteristics 6 Coss 2 2.0x10 VDS=160V 4 2 1.5x10 Crss 2 1.0x10 2 Notes: ID=5A 1 5.0x10 0.0 0 0 10 1 10 V DS Drain-Source Voltage [V] 版本：201511A 0 2 4 6 8 Qg Toltal Gate Charge [nC] 5/12 10 JCS620T R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) On-Resistance Variation Maximum Drain Current vs. Case Temperature vs. Temperature 6 ID Drain Current [A] 5 4 3 2 1 0 25 50 75 100 125 150 TC Case Temperature [℃] Maximum Safe Operating Area For JCS620CT/VT/RT 2 2 10 10 10μs 1 100μs 10 1 1ms 10 100μs 10ms DC 0 Note: 1 TC=25℃ 2 TJ=150℃ 3 Single Pulse 10ms 100ms 0 DC Note: 1 TC=25℃ 2 TJ=150℃ 3 Single Pulse -1 10 -1 10μs 1ms 10 100ms 10 Operation in This Area is Limited by RDS(ON) ID Drain Current [A] ID Drain Current [A] Operation in This Area is Limited by RDS(ON) 10 Maximum Safe Operating Area For JCS620FT -2 0 10 1 10 VDS Drain-Source Voltage [V] 版本：201511A 2 10 10 0 10 1 10 2 10 VDS Drain-Source Voltage [V] 6/12 JCS620T R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) 1 D = 0 .5 0 .2 0 .1 0 .0 5 0 .1 N 1 2 3 0 .0 2 0 .0 1 s in g le θ JC (t) Thermal Response Transient Thermal Response Curve For JCS620CT/VT/RT o te s : Z θ J C (t)= 1 .5 ℃ /W M a x D u t y F a c t o r , D = t 1 /t 2 T J M -T c = P D M * Z θ J C (t) p u ls e Z P D M t1 0 .0 1 t2 1 E -5 1 E -4 1 E -3 t1 S q u a r e 0 .0 1 W a v e P u ls e 0 .1 1 D u r a tio n 1 0 [s e c ] Transient Thermal Response Curve For JCS620FT D = 0 .5 1 0 .2 0 .1 N 1 2 3 0 .0 5 0 .0 2 0 .1 0 .0 1 s in g le Z θ JC (t) Thermal Response 1 0 p u ls e P o te s : Z θ J C (t)= 3 .5 ℃ /W M a x D u t y F a c t o r , D = t 1 /t 2 T J M -T c = P D M * Z θ J C(t) D M t1 t2 0 .0 1 1 E -5 1 E -4 1 E -3 0 .0 1 0 .1 1 1 0 t 1 S q u a r e W a v e P u ls e D u r a t io n [s e c ] 版本：201511A 7/12 R JCS620T 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220C 版本：201511A 单位 Unit：mm 8/12 R JCS620T 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220MF 版本：201511A 单位 Unit：mm 9/12 R JCS620T 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA IPAK 版本：201511A 单位 Unit：mm 10/12 R JCS620T 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA DPAK 版本：201511A 单位 Unit：mm 11/12 JCS620T R 注意事项 NOTE 1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分 为直销和销售代理，无论哪种方式，订货 时请与公司核实。 2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公 司本部联系。 3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大 额定值，否则会影响整机的可靠性。 4.本说明书如有版本变更不另外告知 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 CONTACT 吉林华微电子股份有限公司 JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site： www.hwdz.com.cn 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址： www.hwdz.com.cn HTU UTH 市场营销部 地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 邮编：132013 电话： 86-432-64675588 64675688 64678411 传真: 86-432-64671533 版本：201511A HTU UTH MARKET DEPARTMENT ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel: 86-432-64675588 64675688 64678411 Fax: 86-432-64671533 12/12