桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM2907 GM2907A IMUM ■MAX MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 GM2907 GM2907A Unit 單位 Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 VCEO -40 -60 Vdc Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 VCBO -60 -60 Vdc Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 VEBO -5.0 -5.0 Vdc Ic -600 -600 mAdc Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 PD 225 mW 1.8 mW/℃ 300 mW 2.4 mW/℃ 417 ℃/W Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 ■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性 Characteristic 特性參數 Total Device Dissipation 總耗散功率 FR-5 Board(1) TA=25℃溫度爲 25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Total Device Dissipation 總耗散功率 Alumina Substrate 氧化鋁襯底,(2)TA=25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 PD Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 RΘJA Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度 TJ,Tstg ■DEVICE MARKING 打標 =M2 B;GM A= 2F GM22907 GM 907= M2B;GM B;GM22907 907A= A=2F -55to+150℃ 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM2907 GM2907A ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25 =25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)) Characteristic 特性參數 Collector-Emitter Breakdown Voltage(3) 集電極-發射極擊穿電壓(Ic=-10mAdc,IB=0) Symbol 符號 V(BR)CEO GM2907 GM2907A Min Max 最小值 最大值 Unit 單位 -30 -60 — — Vdc Collector-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓(Ic=-10μAdc,IE=0) V(BR)CBO -60 __ Vdc Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓(IE=-10μAdc,Ic=0) V(BR)EBO -5.0 — Vdc ICEX — -50 nAdc — — — — -0.02 -0.01 -20.0 -10.0 μAdc — -50 nAdc Collector Cutoff Current 集電極截止電流 (VCE=-30Vdc, VEB(Off)=-0.5Vdc) Collector Cutoff Current 集電極截止電流 (VCB=-50Vdc,IE=0) ICBO GM2907 GM2907A (VCB=-50Vdc,IE=0,TA=125℃) GM2907 GM2907A Base Cutoff Current 基極截止電流 (VCE=-30Vdc, VEB(Off)=-0.5Vdc) DC Current Gain 直流電流增益 IB HFE — 35 75 50 100 75 100 100 30 50 300 — — VCE(sat) — — -0.4 -1.6 VBE(sat) — — -1.3 -2.6 GM2907 (Ic=-0.1mAdc,VCE=-10.0Vdc) GM2907A GM2907 (Ic=-1.0mAdc,VCE=-10.0Vdc) GM2907A (Ic=-10mAdc,VCE=-10.0Vdc) GM2907A GM2907 (Ic=-150mAdc,VCE=-10.0Vdc)(3) GM2907 (Ic=-500mAdc,VCE=-10.0Vdc)(3) Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極發射極飽和壓降 (Ic=-150mAdc, IB=-15mAdc) (Ic=-500mAdc, IB=-50mAdc) Base-Emitter Saturation Voltage 基極發射極飽和壓降 (Ic=-150mAdc, IB=-15mAdc) (Ic=-500mAdc, IB=-50mAdc) GM2907A — — — Vdc Vdc 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM2907 GM2907A ■SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS 小信號特性 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Max 最大值 Unit 單位 fT 200 — MHz Output Capacitance 輸出電容 (VCB=-10.0Vdc, IE=0, f=1.0MHz) Cobo — 80 pF Input Capacitance 輸入電容 (VEB=-2.0Vdc, IC=0, f=1.0MHz) Cibo — 30 pF ton — 45 td — 10 Rise Time 上升時間 tr — 40 Turn-Off time 截止時間 toff — 100 ts — 80 tf — 30 Current-Gain-Bandwidth Product 電流增益帶寬乘積 (Ic=-50mAdc,VCE=-20Vdc,f=100MHz) ■SWITCHING CHARACTERISTICS 開關特性 Turn-On Time 導通時間 Delay Time 延遲時間 Storage Time 儲存時間 (Vcc=-30Vdc Ic=-150mAdc,IB1=-15mAdc) (Vcc=-6.0Vdc,Ic=-150mAdc, IB1=IB2=-15mAdc) Fall Time 下降時間 1. FR-5=1.0×0.75×0.062in. 2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina. 3. Pulse Width<300us;Duty Cycle<2.0%. 4. fT is defined as the frequency at which (hfe) extrapolates to unity. ns ns 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM2907 GM2907A ■DIMENSION 外形封裝尺寸