SDM56Z## 江苏捷捷微电子股份有限公司 JCT070 ○ 概述： JCT070 是双面台面结构反向阻断高压晶闸管芯片； 主要工艺技术：台面玻璃钝化工艺技术、多层金属化技术等。 ○ 产品主要用途： 无功补偿，固态继电器，电力模块等。 ○产品极限参数（封装成模块后，除非另有规定，TCASE =25℃） 参数名称 测试条件 符号 数值 -16 -18 Tj 结温范围 -20 -40-125 单位 ℃ 断态重复峰值电压 Tj=25℃ VDRM 1600 1800 2000 V 反向重复峰值电压 Tj=25℃ VRRM 1600 1800 2000 V 通态平均电流 TC=80℃ IT（AV） 70 A 通态浪涌电流 tp=10mS ITSM 1500 A tp=10mS 2 It 11250 A2S dI/dt 150 A/uS 2 I t值 VD=2/3VDRM tp=200uS 通态电流临界上升率 IG=0.3A dIG/dt=0.3A/uS Tj=125℃ ○产品电特性（封装成模块后，除非另有规定，TCASE =25℃） 特性 通态峰值电压 测试条件 符号 数值 单位 VTM ≤1.8 V TC=25℃ IDRM1 ≤50 uA TC=125℃ IDRM2 ≤10 mA TC=25℃ IRRM1 ≤50 uA TC=125℃ IRRM2 ≤10 mA IGT 10-80 mA IT=150A tp=380uS VD=VDRM 断态峰值电流 VR=VRRM 反向峰值电流 门极触发电流 VD=12V RL=30Ω 擎住电流 IG=1.2 IGT IL ≤200 mA 维持电流 I T=1A IH ≤150 mA 电话：+86-513-83639777 - 1 / 2- 网址：http://www.jjwdz.com SDM56Z## 江苏捷捷微电子股份有限公司 VD=12V RL=30Ω 门极触发电压 VGT ≤1.5 V VGD ≥0.25 V dV/dt ≥1000 V/uS VD=VDRM 门极不触发电压 Tj=125℃ VD=2/3VDRM 断态电压临界上升率 Tj=125℃ 门极开路 ○产品尺寸及特征 硅片尺寸 4inch 硅片厚度 420um 芯片尺寸 9.8mm×9.8mm 正面（门极、阴极）金属电极 AL 或 Ti-Ni-Ag 背面（阳极）金属电极 Ti-Ni-Ag 满版芯片个数 61 只 7110 9800 9800 8620 A K 1080 470 G 器件线路符号 420 K G 8700 ) g A i N i T ( A 8700 JCT070 芯片结构图（单位：um） ○产品信息 电话：+86-513-83639777 - 2 / 2- 网址：http://www.jjwdz.com