Diotec BAS35 Smd small signal diode Datasheet

BAS31, BAS35
BAS31, BAS35
IFAV = 200 mA
VF1
< 0.750 V
Tjmax = 150°C
SMD Small Signal Diodes
SMD Kleinsignal-Dioden
VRRM = 120 V
IFSM1 = 2 A
trr
< 50 ns
Version 2018-01-26
Typical Applications
Signal processing, High-speed
Switching, Rectifying
Commercial grade 1)
+0.1
1.1 -0.2
2.9 ±0.1
0.4+0.1
-0.05
1
1.3±0.1
Type
Code
RoHS
Mechanical Data 1)
2
1.9
Besonderheiten
Schnelles Schalten
Sperr-Abbruch getestet mit 1 mA
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Pb
EE
WE
2.4 ±0.2
3
Features
Fast switching speed
Reverse breakdown tested at 1 mA
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
EL
V
SOT-23
(TO-236)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung, Schnelles
Schalten, Gleichrichten
Standardausführung 1)
Taped and reeled
±0.1
3000 / 7“
Weight approx.
Dimensions - Maße [mm]
Mechanische Daten 1)
Gegurtet auf Rolle
0.01 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
BAS31
BAS35
3
Series
Connection
1
2
Type
Code
L21
3
Type
Code
L22
Common
Anode
1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2
1
2
1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Power dissipation (per device)
Verlustleistung (pro Bauteil)
Maximum average forward current
Dauergrenzstrom
single diode loaded – eine Diode belastet
both diodes loaded – beide Dioden belastet
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Reverse voltage
Sperrspannung
DC
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
3
Ptot
350 mW 3)
IFAV
200 mA 3)
100 mA 3)
IFRM
600 mA 3)
IFSM
1A
2A
VRRM
120 V
VR
90 V
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben
Mounted on 3 mm2 copper pads per terminal – Montage auf 3 mm2 Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BAS31, BAS35
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
1
)
Tj = 25°C
Leakage current
Sperrstrom
1
)
Reverse avalanche breakdown voltage
Sperrspannung im Durchbruch
Junction capacitance – Sperrschichtkapazität
Reverse recovery time
Sperrverzug
10
50
IF = 100
200
400
mA
mA
mA
mA
mA
VF
< 750 mV
< 840 mV
< 900 mV
< 1.00 V
< 1.25 V
Tj = 25°C
Tj = 150°C
VR =
90 V
IR
< 100 nA
< 100 µA
Tj = 25°C
IRSM =
1 mA
VRSM
> 120 V
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
typ. 35 pF
IF = 10 mA über/through
IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr
< 50 ns
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
< 400 K/W 2)
RthA
10
120
[%]
[A]
100
1
80
Tj = 125°C
60
10
-1
40
Tj = 25°C
10-2
20
IF
Ptot
0
0
TA
50
100
150
10-3
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature 2)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.2)
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
2
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Mounted on 3 mm2 copper pads per terminal
Montage auf 3 mm2 Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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