桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9012(销售型號 S9012) ■FEATURES 特點 PNP Low Frequency Amplifier Transistor ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值(Ta=25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 Collector-Base voltage 集電極-基極電壓 VCBO -40 Vdc -Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 VCEO -30 Vdc Emitter-Base voltage 發射極-基極電壓 VEBO -5.0 Vdc Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 Ic -500 mAdc Base-Current 基極電流 IB -50 mAdc Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 PC 300 mW Junction Temperature 結溫 Tj 150 ℃ Storage Temperature Range 儲存溫度 Tstg -55〜150 ℃ ■DEVICE MARKING 打標 GM9012(销售型號 S9012)=2T1 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9012(销售型號 S9012) ■ELECTRICAL CHARACRTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Test Condition 測試條件 Min 最小值 TYP 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO VCB= -35V,IE=0 — — -0.1 μA Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 IEBO VEB= -5V,IC=0 — — -0.1 μA V(BR)CBO IC= -100μA -40 — — V V(BR)CEO IC= -1.0mA -30 — — V V(BR)EBO IE= -100μA -5 — — V hFE(1) VCE= -1V, IC= -50mA 70 — 400 hFE(2) VCE= -6V, IC= -400mA 25 — — VCE(sat) IC= -500mA, IB= -50mA — — -0.6 V VBE(sat) IC=-500mA, IB=-50mA — — -1.2 V Base-Emitter Voltage 基極-發射極電壓 VBE VCE= -1V, IC= -100mA — -0.8 -1.0 V Transition Frequency 特徵頻率 fT VCE= -6V, IC= -20mA 150 300 — MHz Collector Output Capacitance 輸出電容 Cob VCB= -6V,IE=0, f=1MHz — 7.0 10 pF Collect-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 Collect-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓 DC Current Gain 直流電流增益 Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 Base-Emitter Saturation Voltage 基極-發射極飽和壓降 —