MMFTN3018W MMFTN3018W ID = 100 mA RDS(on)1 < 8 Ω Tjmax = 150°C N-Channel Enhancement Mode FET N-Kanal FET – Anreicherungstyp VDSS = 60 V Ptot = 200 mW Version 2017-06-26 Typical Applications Signal processing, Drivers, Logic level converter Commercial grade 1) SOT-323 2±0.1 1 ±0.1 ±0.1 2.1 2 Features Fast switching times Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) RoHS Mechanical Data 1) 1.3 Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. 1=G 2=S Besonderheiten Schnelle Schaltzeiten Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Pb EE WE Type Code 1 1.25±0.1 3 EL V 0.3 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Treiberstufen, Logikpegelwandler Standardausführung 1) 3=D Dimensions - Maße [mm] Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Type Code = KN Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) MMFTN3018W Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung VDS 60 V VGSS ± 20 V Ptot 200 mW ID 100 mA Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom IDM 400 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS 150°C -55…+150°C Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung D open Power dissipation – Verlustleistung Drain current – Drainstrom dc Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. V(BR)DSS 30 V – – IDSS – – 1 µA ±IGSS – – 1 µA VGS(th) 0.8 V – 1.5 V Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung ID = 10 µA Drain-Source leakage current – Drain-Source Leckstrom VDS = 30 V, G short Gate-Source leakage current – Gate-Source Leckstrom VGS = 20 V Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VDS = 3 V, ID = 100 µA 1 2 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MMFTN3018W Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. RDS(on) – – 8Ω 13 Ω gFS 20 mS – – Ciss – 13 pF – Coss – 9 pF – Crss – 4 pF – Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand VGS = 4 V, ID = 10 mA VGS = 2.5 V, ID = 1 mA Forward Transfer Admittance – Übertragungssteilheit VDS = 3 V, ID = 10 mA Input Capacitance – Eingangskapazität VDS = 5 V, f = 1 MHz Output Capacitance – Ausgangskapazität VDS = 5 V, f = 1 MHz Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität VDS = 5 V, f = 1 MHz Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 625 K/W 1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG