eupec BYM300B170DN2 Igbt-module Datasheet

Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BYM 300 B 170 DN2
vorläufige Daten
preliminary data
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Sperrspannung der Diode
Diode rerverse voltage
Tvj = 25°C
VCES
1700
V
Dauergleichstrom
DC forward current
TC = 80 °C
IF
300
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
tp = 1 ms
IFRM
600
A
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C
2
I t
23,5
k A2s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
4,0
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IF = 300A, V GE = 0V, Tvj = 25°C
IF = 300A, V GE = 0V, Tvj = 125°C
VF
VR = 900V, V GE = -15V, Tvj = 25°C
IRM
max.
2,2
2,6
V
-
2
-
V
-
220
-
A
-
330
-
A
-
34
-
µAs
-
75
-
µAs
-
16
-
mWs
-
31
-
mWs
IF = 300A, - diF/dt = 4500A/µs
VR = 900V, V GE = -15V, Tvj = 25°C
Qr
VR = 900V, V GE = -15V, Tvj = 125°C
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
typ.
-
IF = 300A, - diF/dt = 4500A/µs
VR = 900V, V GE = -15V, Tvj = 125°C
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
min.
IF = 300A, - diF/dt = 4500A/µs
VR = 900V, V GE = -15V, Tvj = 25°C
VR = 900V, V GE = -15V, Tvj = 125°C
prepared by: Alfons Wiesenthal
date of publication: 2002-11-25
approved by: Christoph Lübke
revision: 2.2
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Erec
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BYM 300 B 170 DN2
vorläufige Daten
preliminary data
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Diode/Diode, DC
RthJC
-
-
0,120
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
lPaste = 1 W/m*K / lgrease = 1 W/m*K
RthCK
-
0,012
-
K/W
Tvj max
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
Tvjop
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40
-
125
°C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Al2O3
Kriechstrecke
creepage distance
20
mm
Luftstrecke
clearance
11
mm
CTI
comperative tracking index
425
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Schraube / screw M6
M
3
-
6
Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Anschlüsse / terminals M6
M
2
-
5
Nm
Gewicht
weight
G
340
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BYM 300 B 170 DN2
vorläufige Daten
preliminary data
Ü
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
IF = f (VF)
600
550
Tvj = 25°C
500
Tvj = 125°C
450
IF [A]
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
VF [V]
3(4)
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Technische Information / Technical Information
BYM 300 B 170 DN2
vorläufige Daten
preliminary data
4(4)
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lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
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- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
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- the conclusion of Quality Agreements;
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