ES1A ... ES1J ES1A ... ES1J Superfast Efficient Surface Mount Rectifier Diodes Superschnelle Hocheffizienz-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2014-08-22 Nominal current – Nennstrom ± 0.2 2.2 ± 0.2 2.1 ± 0.2 5 0.15 Type Typ 4.5 1.5 ±0.1 2.7 ± 0.2 1 ± 0.3 ± 0.3 Dimensions - Maße [mm] 1A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...600 V Plastic case Kunststoffgehäuse ~ SMA ~ DO-214AC Weight approx. – Gewicht ca. 0.07 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] ES1A 50 50 ES1B 100 100 ES1C 150 150 ES1D 200 200 ES1F 300 300 ES1G 400 400 ES1J 600 600 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 1A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 6 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 30/33 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 4.5 A2s TS Tj -50...+150°C -50...+150°C Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 70 K/W 2) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthT < 30 K/W Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 ES1A ... ES1J Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] ES1A...ES1D < 15 < 0.92 1 ES1F...ES1G < 25 < 1.3 1 ES1J < 35 < 1.7 1 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 100°C VR = VRRM Typ. junction capacitance – Typ. Sperrschichtkapazitat 4.0V, 1MHz IR IR < 5 µA < 100 µA CJ 10 pF 10 120 [%] [A] 100 ES1A...D 1 ES1F...G 80 60 ES1J 0.1 40 10-2 20 IF IFAV 0 10 Tj = 25°C -3 0 TA 100 50 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1 ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 10 VF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Tj = 125°C [µA] Tj = 25°C f = 1.0 MHz [pF] Tj = 85°C 1 [V] Tj = 25°C 10-1 10-2 Cj IR 10-3 0 VRRM 40 60 [%] VR 100 Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung 1 2 [V] Junction capacitance vs. reverse voltage (typical) Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.) IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG