OKI MSM10S0570 0.8um cmo Datasheet

J2N0007-38-81
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¡ 電子デバイス
作成:1998年 8月
MSM10S0000 l
前回作成:1996年10月
MSM10S0000ファミリ
0.8mm CMOS ゲートアレイ
n 概要
MSM10S0000ファミリは0.8mmCMOSプロセスを用いた2層メタル構造のシーオブゲート(SOG)タ
イプのゲートアレイです。
このファミリは、6シリーズ構成で使用可能ゲート数は2,310〜37,240ゲートまであり、用途に合わ
せた最適なLSIの選択が可能です。
n 特長
l 使用可能ゲート数:2,310〜37,240ゲート
l 最大総パッド数:280
l 動作電圧:2.7V〜5.5V
l 動作温度範囲:−40〜+85℃
l 内部ゲート遅延時間:0.36ns(VDD=5V),0.63ns(VDD=3V)
[2入力NANDゲート高速タイプ,F/O=2,標準配線長]
l 入出力バッファ遅延時間:2.89ns(VDD=5V),5.02ns(VDD=3V)
[入力バッファ+出力バッファ,CL=20pF]
l 入力端子のプルアップ/プルダウンが可能
プルアップ抵抗値:約3k/50kW,プルダウン抵抗値:約50kW(VDD=5V)
プルアップ抵抗値:約6k/100kW,プルダウン抵抗値:約100kW(VDD=3V)
l 全端子プログラマブル:VDD/VSS/入力/出力/双方向
l 入出力レベル:TTL/CMOS,SCHMITT回路可能
l 出力形式:プッシュプル,3ステート,双方向バス,オープンドレイン,カレントフォース
l 出力駆動能力:2/4/8/12/16/24/48mA(VDD=5V),1/2/4/6/8/12/24mA(VDD=3V)
l オシレータ最大発振周波数:32MHz(VDD=5V),24MHz(VDD=3V)
l スルーレートコントロール付き出力バッファ
l 多種多様なパッケージ
l 豊富なマクロライブラリ
ベーシックセル:337種
メモリセル:RAM(1〜6ポート各種)/ROM
I/Oセル:215種
メガセル:4種(UART,DMAコントローラ他)
PCMCIAカードコントローラ
l JTAG Boundary Scan
1/7
MSM10S0000 l
n ファミリ一覧
l シリーズ構成[注1]
シリーズ名
10S0050
10S0110
10S0210
10S0300
10S0570
10S0980
使用可能ゲート数
2,310
4,880
9,590
13,620
23,370
37,240
総パッド数
72
100
136
160
216
280
10S0300
10S0570
10S0980
◯
◯
l パッケージメニュー[注2]
ピン数
SSOP
32
◯
44
◯
56
◯
60
64
パ
ッ
ケ
ー
シリーズ名
形状
QFP
ジ
10S0050
10S0110
10S0210
◯
◯
◯
◯
◯
◯
◯
◯
80
◯
◯
100
◯
◯
◯
◯
◯
◯
◯
144
◯
◯
◯
160
◯
◯
◯
◯
◯
128
208
240
44
TQFP
◯
◯
◯
64
◯
◯
◯
80
◯
◯
◯
◯
100
◯
◯
◯
◯
◯
◯
◯
144
LQFP
◯
◯
176
◯
◯
208
◯
◯
注記: 1. 使用可能ゲート数はロジックゲートのみ搭載した場合ですので目安としてお考えください。
なお、回路によって違ってくることもありますのでご注意ください。
2. 上記パッケージメニューにつきましては予告なしに変更することがありますので、最新情報
は弊社までお問い合わせください。
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MSM10S0000 l
n 絶対最大定格
項目
電源電圧
記号
条件
定格値
入力電圧
VI
Tj=25℃
−0.5〜VDD+0.5
出力電圧
VO
VSS=0V
−0.5〜VDD+0.5
入力電流
II
IO
−25〜+25
IPAD
保存温度
TSTG
mA
−50〜+50
16, 24mAバッファ
−100〜+100
48mAバッファ
電源パッド当り流出入電流
V
−10〜+10
2, 4, 8, 12mAバッファ
出力電流
単位
−0.5〜+6.5
VDD
−72〜+72
―
℃
−65〜+150
n 推奨動作条件
VSS=0V
項目
電源電圧
トランジスタ
ジャンクション温度
入力立ち上がり/
立ち下がり時間[注2]
発振周波数
記号
最小
標準
最大
3V系
2.7
3.0
3.6
5V系
4.5
5.0
5.5
Tj[注1]
−40
―
85
℃
tr, tf
―
2
20
ns
fOSC[注3]
―
32.768
―
kHz
fOSC[注4]
2
―
24
MHz
fOSC[注5]
2
―
32
MHz
VDD
単位
V
注記: 1. Tjの許容最大値:125℃を超えない範囲で使用してください。(チップ設計に当ってのTjの詳
細な見積りについては、弊社発行のASICデザインマニュアルをご参照ください。また、特殊
な場合として、Tj>85℃で使用する場合は弊社までご連絡ください。)
2. 応用上、遅い入力が必要な場合は弊社までご連絡ください。なお、その場合端子周辺の環境
に依存しますので出力バッファの同時動作など考慮の上ご使用ください。
3. 発振用マクロセルWOSC2F使用時。3V系、5V系共通。
4. 発振用マクロセルWOSC5F,WOSC8H使用時。VDD=2.7〜3.6Vの場合。
5. 発振用マクロセルWOSC5F,WOSC8H使用時。VDD=4.5〜5.5Vの場合。
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MSM10S0000 l
n 電気的特性
l 直流特性(VDD=4.5V〜5.5V,VSS=0V,Tj=−40℃〜+85℃)
項目
記号
"H"レベル入力電圧
VIH
"L"レベル入力電圧
VIL
TTLレベル
Vt+
シュミットトリガ
入力しきい値電圧
条件
最小
標準 [注1]
最大
TTLレベル入力
2.2
―
VDD+0.5
CMOSレベル入力
0.7×VDD
―
VDD+0.5
TTLレベル入力
−0.5
―
0.8
CMOSレベル入力
−0.5
―
0.3×VDD
―
―
1.7
2.2
Vt−
―
0.8
1.3
―
DVt
Vt+−Vt−
0.2
0.4
―
CMOSレベル
Vt+
―
―
3.1
0.76×VDD
シュミットトリガ
Vt−
―
0.24×VDD
1.8
―
入力しきい値電圧
DVt
Vt+−Vt−
0.1×VDD
1.3
―
"H"レベル出力電圧
VOH
3.7
―
―
"L"レベル出力電圧
VOL
IOL=2, 4, 8, 12, 16mA
―
―
0.4
IOL=24, 48mA[注2]
―
―
0.5
"H"レベル入力電流
IIH
IOH=−2, −4, −8,
−12, −16, −24mA
VIH=VDD
―
0.01
10
20
100
250
−10
−0.01
―
(50kW pull up) −250
−100
−20
(3kW pull up)
−5
−1.6
−0.5
(50kW pull down)
VIL=VSS
"L"レベル入力電流
IIL
IOZH
3‐state出力
静止時
リーク電流
電源電流[注3]
VOH=VDD
(50kW pull down)
VOL=VSS
IOZL
IDDS
―
0.01
10
20
100
250
単位
V
mA
mA
mA
−10
−0.01
―
(50kW pull up) −250
−100
−20
(3kW pull up)
−5
−1.6
−0.5
mA
―
0.1
100
mA
出力開放
VIH=VDD, VIL=VSS
注記: 1. 標準は、VDD=5.0V,Tj=25℃です。
2. 48mAはオープンドレインのみです。
3. メモリを搭載していない場合の値です。
4/7
MSM10S0000 l
l 直流特性(VDD=2.7V〜3.6V,VSS=0V,Tj=−40℃〜+85℃)
項目
記号
最小 標準 [注1] 最大
TTLレベル入力
1.8
―
VDD+0.5
0.7×VDD
―
VDD+0.5
TTLレベル入力
−0.5
―
0.5
CMOSレベル入力
−0.5
―
0.3×VDD
―
―
1.3
1.8
―
0.5
1
―
DVt
Vt+−Vt−
0.1
0.3
―
Vt+
―
―
2.0
0.76×VDD
Vt−
―
0.24×VDD
1.0
―
DVt
Vt+−Vt−
0.1×VDD
1.0
―
2.2
―
―
IOL=1, 2, 4, 6, 8mA
―
―
0.3
IOL=12, 24mA[注2]
―
―
0.4
VIH=VDD
―
0.01
1
5
35
120
−1
−0.01
―
VIH
"L"レベル入力電圧
VIL
TTLレベル
Vt+
シュミットトリガ
Vt−
入力しきい値電圧
CMOSレベル
シュミットトリガ
入力しきい値電圧
"H"レベル出力電圧
VOH
"L"レベル出力電圧
VOL
IIH
IOH=−1, −2, −4,
−6, −8, −12mA
(100kW pull down)
VIL=VSS
"L"レベル入力電流
IIL
(100kW pull up) −120
(6kW pull up)
IOZH
VOH=VDD
(50kW pull down)
VOL=VSS
3‐state出力 リーク電流
IOZL
IDDS
出力開放
VIH=VDD, VIL=VSS
−35
−2000 −550
−5
―
0.01
1
100
250
−1
−0.01
―
−35
−5
−2000 −550
―
0.1
V
−120
20
(100kW pull up) −120
(6kW pull up)
静止時 電源電流[注3]
単位
CMOSレベル入力
"H"レベル入力電圧
"H"レベル入力電流
条件
mA
−120
10
注記: 1. 標準は、VDD=3.0V,Tj=25℃です。
2. 24mAバッファはオープンドレインのみです。
3. メモリを搭載していない場合の値です。
l 入出力端子容量
項目
記号
最小
標準
最大
単位
CI
―
6
―
pF
出力端子
CO
―
9
―
pF
入出力端子
CIO
―
10
―
pF
入力端子
注記: 端子容量は、パッケージのピン容量、チップ内部のパッド容量を含んだ平均的な値です。
条件:VDD=VI=VO=VSS, f=1MHz, Tj=25℃
5/7
MSM10S0000 l
l 交流特性(VDD=5.0V,VSS=0V,Tj=25℃)
項目
内部ゲート
ドライブタイプ
条件
標準値[注1]
インバータ
1×
入力立ち上がり、
0.20
2入力NAND
1×
立ち下がり時間
0.31
5V/1ns
2入力NOR
1×
1×
0.57
インバータ
2×
0.44
遅延時間
2入力NAND
F/O=2, L=0mm
入力立ち上がり、
0.30
1×
立ち下がり時間
0.68
2×
5V/1ns
0.46
1×
2入力NOR
F/O=2, 標準配線長
CMOSレベル
F/O=2, 標準配線長
4mA
出力バッファ
遅延時間
出力バッファ
遷移時間
0.61
F/O=1, L=0mm
TTLレベル
プッシュプル
CL=20pF
スルーレート
[注2]
プッシュプル
注記: 1. 遅延時間
tpLH
と
575
MHz
0.83
0.61
2.06
8mA
CL=50pF
2.10
16mA
CL=100pF
2.20
24mA
CL=150pF
2.50
ns
3.93(r)
プッシュプル
(10‐90%)
0.84
0.60
4×
遅延時間
ns
0.35
2×
トグル周波数
入力バッファ
0.34
4×
4×
単位
24mA
CL=150pF
3.76(f)
6.34(r)
5.97(f)
tpHL
の平均として算出。
2. 立ち上がり時間:(r),立ち下がり時間:(f)
6/7
MSM10S0000 l
l 交流特性(VDD=3.0V,VSS=0V,Tj=25℃)
ドライブタイプ
条件
インバータ
1×
入力立ち上がり、
0.31
2入力NAND
1×
立ち下がり時間
0.47
2入力NOR
1×
1×
0.87
インバータ
2×
0.67
項目
内部ゲート
遅延時間
2入力NAND
3V/0.6ns
F/O=2, L=0mm
入力立ち上がり、
0.46
1×
立ち下がり時間
1.04
2×
3V/0.6ns
0.70
1×
TTLレベル
遅延時間
CMOSレベル
遅延時間
0.92
0.93
F/O=2, 標準配線長
出力バッファ
遷移時間
プッシュプル
CL=20pF
スルーレート
[注2]
プッシュプル
注記: 1. 遅延時間
tpLH
と
330
MHz
1.27
0.93
3.15
8mA
CL=50pF
3.21
16mA
CL=100pF
3.37
24mA
CL=150pF
3.82
ns
6.01(r)
プッシュプル
(10‐90%)
1.29
4×
4mA
出力バッファ
F/O=2, 標準配線長
F/O=1, L=0mm
入力バッファ
ns
0.54
2×
トグル周波数
単位
0.52
4×
4×
2入力NOR
標準値[注1]
24mA
CL=150pF
5.75(f)
9.70(r)
9.13(f)
tpHL
の平均として算出。
2. 立ち上がり時間:(r),立ち下がり時間:(f)
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