シングルインライン型 Bridge Diode Single In-line Package ■外観図 OUTLINE D15XB100 Unit : mm Weight : 7.1g （typ.） Package：5S 1000V 15A 管理番号（例） Control No. 品名 Type No. 特長 ロット記号（例） 4.6 Date code 30 • 薄型 SIP パッケージ • UL E142422 • 大電流容量 • 高耐圧・高 IFSM • 高放熱伝導性 D15XB100 0264 20 ＋ ① 〜 〜 ② ③ − ④ + 〜 〜 − Feature • • • • • 17.5 Thin-SIP UL E142422 Large Io High Voltage・Large IFSM High Thermal Radiation ① ② ③ ④ 外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下 さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。 'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOT SFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS 4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOH SFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH 5FSNJOBM$POOFDUJPOu ■定格表 RATINGS ●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合 Tc = 25℃／unless otherwise speci 項 目 記号 条 件 Symbol Conditions Item 保存温度 Storage Temperature 接合部温度 Operation Junction Temperature せん頭逆電圧 Maximum Reverse Voltage ●電気的・熱的特性 順電圧 Forward Voltage 逆電流 Reverse Current 単位 Unit Tstg −55〜150 ℃ Tj 150 ℃ 1000 V IO IFSM Vdis TOR VF IR θjl θja 78 （J534） フィン付き Tc = 110℃ 50Hz 正弦波，抵抗負荷 With heatsink 50Hz sine wave, フィンなし Resistance load Ta = 25℃ Without heatsink 50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値， Tj = 25℃ 50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃ 一括端子・ケース間，AC１分間印加 Terminals to Case, AC 1 minute （推奨値：0.5 N・m） （Recommended torque : 0.5 N・m） 15 A 3.1 200 A 2.5 kV 0.8 N・m Electrical Characteristics（指定のない場合 Tc = 25℃／unless otherwise speci θjc 熱抵抗 Thermal Resistance ） D15XB100 VRM 出力電流 Average Rectified Forward Current せん頭サージ順電流 Peak Surge Forward Current 絶縁耐圧 Dielectric Strength 締め付けトルク Mounting Torque 品 名 Type No. IF=7.5A, パルス測定, １素子当たりの規格値 Pulse measurement, per diode １素子当たりの規格値 VR=VRM, パルス測定, Pulse measurement, per diode 接合部・ケース間，フィン付き Junction to Case, With heatsink 接合部・リード間，フィンなし Junction to Lead, Without heatsink 接合部・周囲間，フィンなし Junction to Ambient, Without heatsink ） MAX 1.1 V MAX 10 μA MAX 1.2 MAX 5 MAX 23 ℃/W Thin SIP UL Bridge D15XB100 ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS 1 0.1 〔 0 0.5 1 Pulse measurement per diode TYP 〔 1.5 2 25 20 15 10 5 0 2.5 0 4 sine wave R-load free in air 3 2 1 40 80 120 Ambient Temperature Ta〔℃〕 5 10 15 Average Rectified Forward Current IO〔A〕 Average Rectified Forward Current IO〔A〕 Average Rectified Forward Current IO〔A〕 Forward Voltage VF〔V〕 0 0 〕 160 250 200 150 sine wave 100 0 I FSM Tc=25℃ Tc=150℃ Forward Power Dissipation P F〔W〕 Forward Current I F〔A〕 10 〔 30 sine wave Tj=150℃ Peak Surge Forward Current I FSM〔A〕 35 100 10ms 10ms 1cycle non-repetitive Tj=25℃ 〔 50 1 2 5 〕 10 20 50 100 Number of Cycles 20 15 heatsink Tc Tc 10 5 sine wave R-load with heatsink 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 Case Temperature Tc〔℃〕 ＊ Sine wave は 50Hz で測定しています。 ＊ )[TJOFXBWFJTVTFEGPSNFBTVSFNFOUT ＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。 Typical は統計的な実力を表しています。 ＊ 4FNJDPOEVDUPSQSPEVDUTHFOFSBMMZIBWFDIBSBDUFSSJTUJDWBSJBUJPO 5ZQJDBMJTBTUBUJTUJDBMBWFSBHFPGUIFEFWJDFhTBCJMJUZ （J534） 79