Shindengen D15XB100 Bridge diode Datasheet

シングルインライン型
Bridge Diode
Single In-line Package
■外観図 OUTLINE
D15XB100
Unit : mm
Weight : 7.1g
(typ.)
Package:5S
1000V 15A
管理番号(例)
Control No.
品名
Type No.
特長
ロット記号(例) 4.6
Date code
30
• 薄型 SIP パッケージ
• UL E142422
• 大電流容量
• 高耐圧・高 IFSM
• 高放熱伝導性
D15XB100 0264
20
+
①
〜 〜
② ③
−
④
+
〜
〜
−
Feature
•
•
•
•
•
17.5
Thin-SIP
UL E142422
Large Io
High Voltage・Large IFSM
High Thermal Radiation
①
②
③
④
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOT SFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS
4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOH SFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH 5FSNJOBM$POOFDUJPOu
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings(指定のない場合 Tc = 25℃/unless otherwise speci
項
目
記号
条 件
Symbol Conditions
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
●電気的・熱的特性
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
単位
Unit
Tstg
−55〜150
℃
Tj
150
℃
1000
V
IO
IFSM
Vdis
TOR
VF
IR
θjl
θja
78
(J534)
フィン付き
Tc = 110℃
50Hz 正弦波,抵抗負荷
With heatsink
50Hz sine wave,
フィンなし
Resistance load
Ta = 25℃
Without heatsink
50Hz 正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値, Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃
一括端子・ケース間,AC1分間印加
Terminals to Case, AC 1 minute
(推奨値:0.5 N・m)
(Recommended torque : 0.5 N・m)
15
A
3.1
200
A
2.5
kV
0.8
N・m
Electrical Characteristics(指定のない場合 Tc = 25℃/unless otherwise speci
θjc
熱抵抗
Thermal Resistance
)
D15XB100
VRM
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
絶縁耐圧
Dielectric Strength
締め付けトルク
Mounting Torque
品 名
Type No.
IF=7.5A,
パルス測定, 1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
1素子当たりの規格値
VR=VRM, パルス測定,
Pulse measurement, per diode
接合部・ケース間,フィン付き
Junction to Case, With heatsink
接合部・リード間,フィンなし
Junction to Lead, Without heatsink
接合部・周囲間,フィンなし
Junction to Ambient, Without heatsink
)
MAX
1.1
V
MAX
10
μA
MAX
1.2
MAX
5
MAX
23
℃/W
Thin SIP UL Bridge
D15XB100
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
1
0.1
〔
0
0.5
1
Pulse measurement
per diode
TYP
〔
1.5
2
25
20
15
10
5
0
2.5
0
4
sine wave
R-load
free in air
3
2
1
40
80
120
Ambient Temperature Ta〔℃〕
5
10
15
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Forward Voltage VF〔V〕
0
0
〕
160
250
200
150
sine wave
100
0
I FSM
Tc=25℃
Tc=150℃
Forward Power Dissipation P F〔W〕
Forward Current I F〔A〕
10
〔
30
sine wave
Tj=150℃
Peak Surge Forward Current I FSM〔A〕
35
100
10ms
10ms
1cycle
non-repetitive
Tj=25℃
〔
50 1
2
5
〕
10
20
50
100
Number of Cycles
20
15
heatsink
Tc
Tc
10
5
sine wave
R-load
with heatsink
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Case Temperature Tc〔℃〕
* Sine wave は 50Hz で測定しています。
* )[TJOFXBWFJTVTFEGPSNFBTVSFNFOUT
*半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。
Typical は統計的な実力を表しています。
* 4FNJDPOEVDUPSQSPEVDUTHFOFSBMMZIBWFDIBSBDUFSSJTUJDWBSJBUJPO
5ZQJDBMJTBTUBUJTUJDBMBWFSBHFPGUIFEFWJDFhTBCJMJUZ
(J534)
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