Mini TOPLED® LS M670, LO M670, LY M670 LG M670, LP M670 Besondere Merkmale Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet gegurtet (8-mm-Filmgurt) Störimpulsfest nach DIN 40839 VPL06927 ● ● ● ● ● ● Features ● ● ● ● ● ● color of package: white for use as optical indicator for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly and soldering methods available taped on reel (8 mm tape) load dump resistant acc. to DIN 40839 Semiconductor Group 1 1998-11-12 LS M670, LO M670, LY M670 LG M670, LP M670 Typ Emissionsfarbe Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Type Color of Emission Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) Luminous Flux IF = 10 mA ΦV (mlm) Ordering Code LS M670-HK LS M670-J LS M670-K LS M670-JM super-red colorless clear 2.5 … 12.5 4.0 … 8.0 6.3 … 12.5 4.0 … 32.0 18 (typ.) 30 (typ.) - Q62703-Q3380 Q62703-Q3381 Q62703-Q3382 Q62703-Q3383 LO M670-HK LO M670-J LO M670-K LO M670-JM orange colorless clear 2.5 … 12.5 4.0 … 8.0 6.3 … 12.5 4.0 … 32.0 18 (typ.) 30 (typ.) - Q62703-Q3384 Q62703-Q3385 Q62703-Q3386 Q62703-Q3387 LY M670-HK LY M670-J LY M670-K LY M670-JM yellow colorless clear 2.5 … 12.5 4.0 … 8.0 6.3 … 12.5 4.0 … 32.0 18 (typ.) 30 (typ.) - Q62703-Q3388 Q62703-Q3389 Q62703-Q3390 Q62703-Q3391 LG M670-HK LG M670-J LG M670-K LG M670-JM green colorless clear 2.5 … 12.5 4.0 … 8.0 6.3 … 12.5 4.0 … 32.0 18 (typ.) 30 (typ.) - Q62703-Q3392 Q62703-Q3393 Q62703-Q3394 Q62703-Q3395 LP M670-FJ LP M670-G LP M670-H LP M670-GK pure green colorless clear 1.0 … 8.0 1.6 … 3.2 2.5 … 5.0 1.6 … 12.5 8 (typ.) 12 (typ.) - Q62703-Q3396 Q62703-Q3397 Q62703-Q3398 Q62703-Q3399 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 2 1998-11-12 LS M670, LO M670, LY M670 LG M670, LP M670 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 ... + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 ... + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 30 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 0.5 A Sperrspanung Reverse voltage VR 5 V Verlustleistung Power dissipation Ptot 80 mW Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm2) mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2) Rth JA 4801) K/W *) PC-board: FR4 1) vorläufig/preliminary Semiconductor Group 3 1998-11-12 LS M670, LO M670, LY M670 LG M670, LP M670 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS LO LY LG LP Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 10 mA (typ.) (typ.) λpeak 635 610 586 565 557 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 10 mA (typ.) (typ.) λdom 628 605 590 570 560 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 10 mA (typ.) (typ.) ∆λ 45 40 45 25 22 nm 2ϕ 120 120 120 120 120 Grad deg. 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 V V Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % Iv Durchlaßspannung Forward voltage IF = 10 mA (typ.) (max.) VF VF 2.0 2.6 Sperrstrom Reverse current VR = 5 V (typ.) (max.) IR IR 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA 10 10 10 10 10 µA (typ.) C0 12 8 10 15 15 pF (typ.) (typ.) tr tf 300 150 300 150 300 150 450 200 450 200 ns ns Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω Semiconductor Group 4 1998-11-12 LS M670, LO M670, LY M670 LG M670, LP M670 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve OHL01698 100 % Ι rel 80 Vλ hyper-red red super-red orange blue 40 yellow pure-green green 60 20 0 400 450 500 550 600 650 nm 700 λ Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ ϕ 50˚ OHL01660 1.0 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 0 90˚ 100˚ 1.0 0.8 Semiconductor Group 0.6 0.4 0˚ 20˚ 5 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ 1998-11-12 LS M670, LO M670, LY M670 LG M670, LP M670 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C OHL02145 10 2 OHL02146 10 1 Ι F mA ΙV Ι V (10 mA) 10 0 10 1 5 5 10 -1 5 pure-green 10 0 green red yellow super-red orange pure-green 10 -2 5 5 10 -1 1.0 super-red orange/yellow green 1.4 1.8 2.2 2.6 10 -3 10 3.0 V 3.4 -1 5 10 0 5 10 1 mA 10 ΙF VF Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) OHL01686 10 3 D= mA tP Ι F mA 30 ΙF T OHL00231 35 tP ΙF 2 T D = 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 25 20 10 2 0.2 15 5 0.5 10 DC 5 10 1 -5 10 10 -4 10 -3 Semiconductor Group 10 -2 10 -1 0 10 0 s 10 1 tp 6 0 20 40 60 80 C 100 TA 1998-11-12 LS M670, LO M670, LY M670 LG M670, LP M670 Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 10 mA Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 10 mA OHL02104 690 OHL02105 690 λ peak λ dom nm nm 650 650 super-red 630 super-red 630 orange 610 610 590 yellow 590 570 green 570 orange yellow green pure-green pure-green 550 0 20 40 60 550 80 ˚C 100 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA TA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA OHL02106 2.4 VF Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C ) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA OHL02150 2.0 ΙV V Ι V (25 ˚C) 2.2 2.0 1.6 1.2 yellow green green super-red orange yellow 1.8 0.8 orange super-red pure-green pure-green 1.6 1.4 0.4 0 20 40 60 0.0 80 ˚C 100 TA Semiconductor Group 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA 7 1998-11-12 LS M670, LO M670, LY M670 LG M670, LP M670 (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) 1.0 0.8 1.5 1.3 Cathode marking GPL06928 Cathode marking 0.5 0.3 2.3 2.1 2.1 1.9 0.15 0.05 1.4 1.2 typ. 1.5 x 1.0 Maßzeichnung Package Outlines Kathodenkennung: Cathode mark: Semiconductor Group abgeschrägte Ecke bevelled edge 8 1998-11-12