Siemens LS3386-M Hyper 3 mm t1 led, diffused hyper-bright, wide-angle led Datasheet

Hyper 3 mm (T1) LED, Diffused
Hyper-Bright, Wide-Angle LED
LS 3386, LA 3386, LO 3386
LY 3386
Besondere Merkmale
●
●
●
●
●
●
eingefärbtes, diffuses Gehäuse
zur Einkopplung in Lichtleiter
als optischer Indikator einsetzbar
Lötspieße mit Aufsetzebene
gegurtet lieferbar
Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
●
●
●
●
●
●
colored, diffused package
optical coupling into light pipes
for use as optical indicator
solder leads with stand-off
available taped on reel
load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
1998-09-18
LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386
Lichtstärke
Luminous
Intensity
IF = 20 mA
IV (mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
LS 3386-LP
LS 3386-M
LS 3386-N
LS 3386-P
LS 3386-MQ
super-red
red diffused
10
16
25
40
16
...
...
...
…
…
80
32
50
80
125
Q62703-Q3579
Q62703-Q3581
Q62703-Q3582
Q62703-Q3709
Q62703-Q3580
LA 3386-MQ
LA 3386-N
LA 3386-P
LA 3386-Q
LA 3386-NR
amber
orange diffused
16
25
40
63
25
…
…
…
…
…
125
50
80
125
200
Q62703-Q3886
Q62703-Q3887
Q62703-Q3888
Q62703-Q3889
Q62703-Q3890
LO 3386-MQ
LO 3386-N
LO 3386-P
LO 3386-Q
LO 3386-NR
orange
orange diffused
16
25
40
63
25
…
…
…
…
…
125
50
80
125
200
Q62703-Q3891
Q62703-Q3892
Q62703-Q3893
Q62703-Q3894
Q62703-Q3895
LY 3386-MQ
LY 3386-N
LY 3386-P
LY 3386-Q
LY 3386-NR
yellow
yellow diffused
16
25
40
63
25
…
…
…
…
…
125
50
80
125
200
Q62703-Q3896
Q62703-Q3897
Q62703-Q3898
Q62703-Q3899
Q62703-Q3900
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
1998-09-18
LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
LS, LO, LA
Einheit
Unit
LY
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 55... + 100
˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 55... + 100
˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 100
˚C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
30
20
mA
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM
1
0.2
A
Sperrspanung1)
Reverse voltage1)
VR
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 ˚C
Ptot
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Rth JA
1)
1)
3
80
V
55
500
mW
K/W
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
Reverse biasing should be avoided.
Semiconductor Group
3
1998-09-18
LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LA
LO
LY
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
645
622
610
591
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
632
615
605
587
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max
Spectral bandwidth at 50% Irel max
IF = 20 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
16
16
16
15
nm
2ϕ
100
100
100
100
Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 20 mA
(typ.) VF
(max.) VF
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 3 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
µA
µA
Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50% Iv
Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA)
Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA)
TCλ
0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K
Temperaturkoeffizient von λpeak,
IF = 20 mA
Temperature coefficient of λpeak,
IF = 20 mA
TCλ
0.14
0.13
0.13
nm/K
(typ.)
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) TCV
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)
Semiconductor Group
0.13
(typ.)
4
– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K
1998-09-18
LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
OHL00235
100
Ι rel
%
80
Vλ
60
yellow
orange
amber
super-red
40
20
0
400
450
500
550
600
650
nm
λ
700
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
40
30
20
10
0
φ
50
OHL01681
1.0
0.8
0.6
60
0.4
70
0.2
80
0
90
100
1.0
0.8
Semiconductor Group
0.6
0.4
0
20
5
40
60
80
100
120
1998-09-18
LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
OHL00232
10 2
mA
ΙF 5
OHL00248
35
Ι F mA
30
25
10 1
yellow
20
5
15
10 0
10
5
5
10 -1
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
0
3.0 V 3.4
VF
Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25˚C
20
40
60
80 C 100
ΤA
Relative Lichtstärke IV / IV(25˚C ) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 20 mA
OHL00233
10 1
0
OHL00238
Ι V 2.0
ΙV
Ι V (20 mA)
Ι V (25 C)
1.6
10 0
orange
yellow
amber
super-red
5
1.2
10 -1
5
0.8
superred
yellow
orange/amber
10 -2
0.4
5
10 -3 -1
10
orange
yellow
amber
super-red
5 10 0
Semiconductor Group
5 10 1
0
-20
mA 10 2
ΙF
6
0
20
40
60
C
TA
100
1998-09-18
LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LS, LA, LO
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LY
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
OHL00322
10 1
A
ΙF 5
tp
tp
D=
T
ΙF
ΙF
5
T
0.5
10 -1
0.2
5
0.5
ΙF
T
D=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
10 -1
tp
tp
D=
T
5
D=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
10 0
OHL00316
10 0
A
5
10 -2
10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2
tp
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
4.8
4.4
2.7
2.1
0.7
0.4
0.8
0.4
1.1
0.9
2.54 mm
spacing
0.6
0.4
Area not flat
1.8
1.2
3.7
3.5
6.1
5.7
29.0
27.0
Kathodenkennzeichnung:
Cathode mark:
3.4
3.1
0.6
0.4
Chip position
Collector/
Cathode
Semiconductor Group
10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2
tp
ø2.9
ø2.7
10 -2
GEX06710
Kürzerer Lötspieß
Short solder lead
7
1998-09-18
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