AKM EW-6672 Ew-6672 Datasheet

ハイブリッド型
ホールIC
EWシリーズ
EW6672
梱包は3000個/巻のテ−ピングとなります。
EW6672は、
InSb高感度ホール素子と波形整形用ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したものです。
ホール素子はパルス駆動されているため、
Vdd=3V時平均消費電流5μAときわめて低消費電力です。
片極検知
電源電圧
ホール素子
超高感度
出力形式
薄型表面実装
2.4〜3.3V
パルス駆動
Bop:1.5mT
CMOS出力
パッケージ
●磁電変換特性
Vout
S
VOH
H
マーク面
1:Vcc
Bh
2:Vss
3
1
3:OUT
N
L
VOL
N極
Brp
0
印加磁束の方向
Bop
S極
●回路構成
磁束密度
1:Vdd
Switch
項 目
記号
定
格
単
位
電
源
電
圧 Vdd
−0.1 〜 5
V
出
力
電
圧 Iout
±1
mA
−30 〜 85
℃
動 作 周 囲 温 度 Topr
保
存
温
度 Tstg
Dynamic
Offset Cancellator
●最大定格(Ta=25℃)
2:Vss
Pulse
Hall
Chopper Amplifier
Regulator Element Stabilizer
℃
−40 〜 125
●電気的特性(Ta=25℃ Vdd=3V)
項 目
記号
測
定
条
標準
最大
単位
動 作 電 圧 範 囲 Vdd
2.4
3.0
3.3
V
動 作 磁 束 密 度 BOP
1.0*
1.5
2.3
復帰磁束密度
Brp
0.8
1.2
ヒ ス テリシ ス 幅
Bh
0.1*
パルス駆動周期
Tp
出 力 L o w 電 圧 VOL
電
源
電
圧
Idd
標準
最大
単位
動 作 磁 束 密 度 BOP
0.9
1.5
2.9
mT
mT
復帰磁束密度
Brp
0.8
1.2
2.3
mT
1.9*
mT
ヒ ス テリシ ス 幅
Bh
0.1
0.3
0.8
mT
0.3
0.6*
mT
50
100
ms
V
Vdd −0.4
5
0.4
V
10
μA
1[mT]=10[Gauss]
「*」印の特性値は設計保証値になります。
Output
Stage
最小
Io=+1.0mA
平均値
Schmitt
trigger
&Latch
●磁界特性(Ta=30℃〜85℃ Vdd=3V)
最小
出 力 H i g h 電 圧 VOH Io=−1.0mA
件
3:OUT
項 目
記号
測
注)本特性は設計保証となります。
定
条
件
EW6672
•製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、
自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財
産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。
•本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。
a
●外形寸法図(単位:mm)
●(参考)ランド形状(単位:mm)
3
0.3
0.95
1.00
0.3
2.60
0.0±0.05
1:Vdd
2:Vss
3:OUT
5°
1.0±0.1
0.75
5°
0.95
g
0.95
※注 センサに中心はφ0.3mmの
円内に位置します。
5°
5°
●使用電圧範囲
●パルス駆動消費電流(Vdd=3V)
3.4
i
50ms
Idd
12μs
3.2
入力電圧[V]
0.70
1.00
1
0.95
0.70
5°
0.3
0.70
3.1±0.1
5°
0.48
φ0.3
Sensor Center
5°
0.11
5°
2.2±0.1
3.0±0.1
0.4
2
Idd on
(typ : 3mA)
3
2.8
2.6
Idd
(typ : 5μA)
2.4
Idd off
(typ : 4μA)
time
2.2
−40
−20
0
20
40
60
80
100
周囲温度[℃]
●動作磁束密度温度特性
●動作タイミング
Idd
6
Idd
Vdd=3V
動作磁束密度[mT]
5
o
4
B
3
Bop
2
B
t
Brp
Bop
1
0
−40
t
Vout
High
Brp
−20
0
20
40
周囲温度[℃]
60
80
100
t
Vout
High
t
Low
Low
t
Operate Point Timing
t
Release Point Timing
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