ハイブリッド型 ホールIC EWシリーズ EW6672 梱包は3000個/巻のテ−ピングとなります。 EW6672は、 InSb高感度ホール素子と波形整形用ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したものです。 ホール素子はパルス駆動されているため、 Vdd=3V時平均消費電流5μAときわめて低消費電力です。 片極検知 電源電圧 ホール素子 超高感度 出力形式 薄型表面実装 2.4〜3.3Ｖ パルス駆動 Bop：1.5mT CMOS出力 パッケージ ●磁電変換特性 Vout S VOH H マーク面 1：Vcc Bh 2：Vss 3 1 3：OUT N L VOL N極 Brp 0 印加磁束の方向 Bop S極 ●回路構成 磁束密度 1:Vdd Switch 項 目 記号 定 格 単 位 電 源 電 圧 Vdd −0.1 〜 5 V 出 力 電 圧 Iout ±1 mA −30 〜 85 ℃ 動 作 周 囲 温 度 Topr 保 存 温 度 Tstg Dynamic Offset Cancellator ●最大定格（Ta=25℃） 2:Vss Pulse Hall Chopper Amplifier Regulator Element Stabilizer ℃ −40 〜 125 ●電気的特性（Ta=25℃ Vdd=3V） 項 目 記号 測 定 条 標準 最大 単位 動 作 電 圧 範 囲 Vdd 2.4 3.0 3.3 V 動 作 磁 束 密 度 BOP 1.0* 1.5 2.3 復帰磁束密度 Brp 0.8 1.2 ヒ ス テリシ ス 幅 Bh 0.1* パルス駆動周期 Tp 出 力 L o w 電 圧 VOL 電 源 電 圧 Idd 標準 最大 単位 動 作 磁 束 密 度 BOP 0.9 1.5 2.9 mT mT 復帰磁束密度 Brp 0.8 1.2 2.3 mT 1.9* mT ヒ ス テリシ ス 幅 Bh 0.1 0.3 0.8 mT 0.3 0.6* mT 50 100 ms V Vdd −0.4 5 0.4 V 10 μA 1［mT］=10［Gauss］ 「*」印の特性値は設計保証値になります。 Output Stage 最小 Io=＋1.0mA 平均値 Schmitt trigger &Latch ●磁界特性（Ta=30℃〜85℃ Vdd=3V） 最小 出 力 H i g h 電 圧 VOH Io=−1.0mA 件 3:OUT 項 目 記号 測 注）本特性は設計保証となります。 定 条 件 EW6672 •製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、 自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財 産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。 •本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。 a ●外形寸法図（単位：ｍｍ） ●（参考）ランド形状（単位：mm） 3 0.3 0.95 1.00 0.3 2.60 0.0±0.05 1：Vdd 2：Vss 3：OUT 5° 1.0±0.1 0.75 5° 0.95 g 0.95 ※注 センサに中心はφ0.3mmの 円内に位置します。 5° 5° ●使用電圧範囲 ●パルス駆動消費電流（Vdd=3V） 3.4 i 50ms Idd 12μs 3.2 入力電圧［V］ 0.70 1.00 1 0.95 0.70 5° 0.3 0.70 3.1±0.1 5° 0.48 φ0.3 Sensor Center 5° 0.11 5° 2.2±0.1 3.0±0.1 0.4 2 Idd on （typ : 3mA） 3 2.8 2.6 Idd （typ : 5μA） 2.4 Idd off （typ : 4μA） time 2.2 −40 −20 0 20 40 60 80 100 周囲温度［℃］ ●動作磁束密度温度特性 ●動作タイミング Idd 6 Idd Vdd＝3V 動作磁束密度［mT］ 5 o 4 B 3 Bop 2 B t Brp Bop 1 0 −40 t Vout High Brp −20 0 20 40 周囲温度［℃］ 60 80 100 t Vout High t Low Low t Operate Point Timing t Release Point Timing