Diotec ESD3Z12 Esd protection diodes in smd Datasheet

ESD3Z5V0, ESD3Z12
ESD3Z5V0, ESD3Z12
PPPM = 350 W
Tjmax = 125°C
ESD Protection Diodes in SMD
ESD-Schutzdioden in SMD
VWM = 5 V, 12 V
VBRmin = 6 V, 13.3 V
VPP
= ± 30 kV
Version 2018-03-23
Typical Applications
ESD protection
Data line and I/O port
protection
Commercial grade 1)
2.5
±0.2
Dimensions - Maße [mm]
Type Code see next page
Type Code siehe nächste Seite
Features
Low junction capacitance
Low leakage current
Miniature case outline
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
RoHS
Pb
EE
WE
Type
Code
1.25±0.1
0.3±0.1
1
±0.1
1.7±0.1
Typische Anwendungen
ESD-Schutz
Schutz von Datenleitungen
und Ein-/Ausgängen
Standardausführung 1)
EL
V
SOD-323F
Besonderheiten
Niedrige Sperrschicht-Kapazität
Niedriger Sperrstrom
Miniatur-Gehäusebauform
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1)
Taped and reeled
Weight approx.
Mechanische Daten 1)
3000 / 7“
Gegurtet auf Rolle
0.005 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Peak pulse power dissipation (8/20 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (8/20 µs Impuls)
PPPM
350 W 3)
Peak pulse power current (8/20 µs waveform)
Impuls-Strom (8/20 µs Impuls)
IPPM
24 A 3)
VPP
± 30 kV
Tj
TS
-50...+125°C
-50...+150°C
ESD immunity (HBM, air discharge)
ESD-Festigkeit (HBM, Luftentladung)
IEC 61000-4-2
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics
Junction capacitance
Sperrschichtkapazität
Kennwerte
VR = 0 V, f = 1 MHz
ESD3Z5V0
ESD3Z12
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
1
2
3
4
CT
< 350 pF
< 150 pF
RthA
< 400 K/W 4)
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
ESD3Z5V0, ESD3Z12
Type
Typ
Type
Code
Stand-off
voltage
Sperrspannung
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at / bei VWM
Breakdown voltage
Abbruch-Spannung
at / bei IT = 1 mA
Max. clamping voltage
Max. Begrenzer-Spannung
at / bei IPPM (8/20 µs)
VWM [V]
ID [µA]
VBRmin [V]
VBRtyp [V]
VBRmax [V]
VC [V]
IPPM [A]
VC [V]
IPPM [A]
ESD3Z5V0
5-
5.0
10
6
6.6
8.8
9.8
5
14.5
24
ESD3Z12
12-
12
1
13.3
-
-
19
5
25
15
120
[%]
tr = 8 µs
100
100
[%]
80
80
60
60
40
40
IPP
IPP
20
20
PPP
PPP
0
0
0
TA
100
50
150
[°C]
IPPM/2
PPPM/2
tP
0
t
20
40
60
[µs]
8/20µs - pulse waveform
8/20µs - Impulsform
1
Peak pulse power/current vs. ambient temperature )
Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp.1)
10
[kW]
1
0.1
PPP
0.01
0.1µs
tP
1µs
10µs
100µs
1ms
10ms
Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form)
Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls)
1
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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