N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET R JCS12N50C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID 13 A VDSS 500 V Rdson（@Vgs=10V） 0.49Ω Qg 27 nC 用途 APPLICATIONS 高频开关电源 High frequency 电子镇流器 UPS 电源 封装 Package switching mode power supply Electronic ballast UPS 产品特性 FEATURES 低栅极电荷 Low gate charge 低 Crss (典型值 14pF) 开关速度快 Low Crss (typical 14pF ) Fast switching 产品全部经过雪崩测试 100% avalanche tested 高抗 dv/dt 能力 Improved dv/dt capability RoHS 产品 RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 印 记 Order codes Marking 封 装 Package 无卤素 Halogen Free 包 装 器件重量 Packaging Device Weight JCS12N50CC-O-C-N-B JCS12N50SC-O-S-N-B JCS12N50CC JCS12N50SC TO-220C TO-263 否 否 NO NO 条管 Tube 条管 Tube 2.15 g(typ) 1.37 g(typ) JCS12N50SC-O-S-N-A JCS12N50SC TO-263 否 NO 编带 Reel 1.37 g(typ) JCS12N50FC-O-F-N-B JCS12N50FC TO-220MF 否 NO 条管 Tube 2.20 g(typ) 版本：201508B 1/11 JCS12N50C R 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项 目 Parameter 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流 Drain Current -Continuous 符 号 Symbol 数 值 Value JCS12N50CC/SC JCS12N50FC 单 位 Unit 500 V VDSS ID T=25℃ 13.0 13.0* A ℃ 8 8* A IDM 52 52* A T=100 最大脉冲漏极电流（注 1） Drain Current -Pulse （note 1） 最高栅源电压 Gate-Source Voltage VGSS ±30 V EAS 840 mJ 13.0 A EAR 4.8 mJ 二极管反向恢复最大电压变 化速率（注 3） Peak Diode Recovery dv/dt （note 3） dv/dt 4.5 V/ns 耗散功率 Power Dissipation PD T C =25℃ -Derate above 25℃ 最高结温及存储温度 Operating and Storage Temperature Range T J ，T STG 单脉冲雪崩能量（注 2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） 雪崩电流（注 1） IAR Avalanche Current （note 1） 重复雪崩能量（注 1） Repetitive Avalanche Energy （note 1） 引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature 190 49 W 1.57 0.39 W/℃ TL -55～+150 ℃ 300 ℃ for Soldering Purposes *漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature 版本：201508B 2/11 JCS12N50C R 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 典型 最 大 单 位 Min Typ Max Units 关态特性 Off –Characteristics 漏－源击穿电压 - - - 0.5 - V/℃ VDS=500V, VGS=0V, T C =25℃ - - 10 μA VDS=400V, T C =125℃ - - 100 μA 正向栅极体漏电流 IGS SF Gate-body Leakage Current, Forward VDS=0V, VGS =30V - 100 nA 反向栅极体漏电流 IGS SR Gate-body Leakage Current, Reverse VDS=0V, VGS =-30V - 击穿电压温度特性 Breakdown Voltage Temperature Coefficient 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current BVDSS ID =250μA, VGS=0V 500 Drain-Source Voltage ΔBVDSS ID =250μA, referenced to /ΔT J IDSS 25℃ - V -100 nA 通态特性 On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS , ID =250μA 2.0 静态导通电阻 Static Drain-Source On-Resistance RDS(ON) VGS =10V , ID =6.5A - 正向跨导 Forward Transconductance gf s - VDS = 40V , ID =6.5A（note 4） - 4.0 V 0.41 0.49 Ω 14 - S 动态特性 Dynamic Characteristics 输入电容 Input Capacitance Ciss 输出电容 Output Capacitance Coss 反向传输电容 Reverse Transfer Capacitance Crss 版本：201508B VDS=25V, VGS =0V, f=1.0MHZ - 1870 2155 pF - 170 225 pF - 14 pF 20 3/11 JCS12N50C R 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 典型 最大 单位 Min Typ Max Units 开关特性 Switching –Characteristics 延迟时间 Turn-On delay time td(on) VDD =250V,ID =13A,RG=25Ω - 70 160 ns 上升时间 Turn-On rise time tr （note 4，5） - 145 240 ns 延迟时间 Turn-Off delay time td(off) - 135 230 ns 下降时间 Turn-Off Fall time tf - 45 120 ns 栅极电荷总量 Total Gate Charge Qg - 27 35 nC 栅－源电荷 Gate-Source charge Qgs VDS =400V , ID =13A - 9 - nC Qgd VGS =10V（note 4，5） - 12 - nC 栅－漏电荷 Gate-Drain charge 漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current IS - - 13 A IS M - - 52 A 1.5 V 正向最大脉冲电流 Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain-Source VSD VGS=0V, IS=13A - Diode Forward Current 反向恢复时间 Reverse Recovery Time trr 反向恢复电荷 Reverse Recovery Charge Qrr VGS=0V, IS=13A dIF /dt=100A/μs (note 4) 400 ns 4.3 μC 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项 目 Parameter 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient 符 号 Symbol 最大值 Value JCS12N50CC/SC JCS12N50FC 单 位 Unit Rth(j-c) 0.79 2.55 ℃/W Rth(j-A) 62.5 62.5 ℃/W 注 1：脉冲宽度由最高结温限制 Notes: 注 2：L=9.0mH, IAS=13A, VDD=50V, R G=25 Ω,起始 1：Pulse width limited by maximum junction temperature 结温 TJ=25℃ 注 3：ISD ≤13A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS,起始结 温 TJ=25℃ 注 4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％ 2：L=9.0mH, IAS=13A, VDD=50V, R G=25 Ω,Starting TJ=25℃ 3：ISD ≤13A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃ 4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2％ 5：Essentially independent of operating temperature 注 5：基本与工作温度无关 版本：201508B 4/11 JCS12N50C R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) On-Region Characteristics Transfer Characteristics IR vs VR IF vs VF Vgs 15.0V 10.0V 9.0V 8.0V 7.0V 6.5V Buttom : 5.5V 1 10 10 25℃ ID Drain Current[A] ID Drain Current[A] Top: 150℃ 1 Notes： 1.250μs pulse test 2.VDS=40V 0.1 0 10 0 1 10 10 VDS Drain-Source Voltage[V] 2 IF(AV) 8 10 Body Diode Forward Voltage Variation vs. Source Current and Temperature TC IF(AV) vs TC 10 IDR Reverse Drain Current[A] VGS=10V 0.4 VGS=20V 1 0.2 0 5 10 15 20 150℃ 25℃ 0.1 0.2 0.3 ID Drain Current [A] Capacitance Characteristics IF(AV) vs 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 VSD Source-Drain voltage[V] Capacitance Characteristics TC IF(AV) vs TC 12 VDS=400V 10 VDS=250V VGS Gate Source Voltage[V] RDS(on) Drain-Source On Resistance [Ω] vs 6 VGS Gate-Source Voltage[V] On-Resistance Variation vs Drain Current and Gate Voltage 0.6 4 VDS=100V 8 6 4 2 0 0 版本：201508B 10 20 30 Qg Toltal Gate Charge [nC] 5/11 JCS12N50C R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Breakdown Voltage Variation On-Resistance Variation vs. Temperature vs. Temperature 3.0 1.2 1.1 R D(on)(Normalized) BVDS(Normalized) 2.5 1.0 0.9 Notes： 1. VGS=0V 2. ID=250 A -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 Tj [ ℃ ] 2 ID Drain Current [A] 1.0 Notes： 1. VGS=10V 2. ID=6.5A 0.0 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 Tj [ ℃ ] Maximum Safe Operating Area For JCS12N50CC/SC Operation in This Area is Limited by RDS(ON) 10 1.5 0.5 0.8 -75 2.0 Maximum Safe Operating Area For JCS12N50FC 10μs 100μs 1 10 1ms 10ms 0 10 DC 100ms Note: 1 TC=25℃ 2 TJ=150℃ 3 Single Pulse -1 10 -2 0 1 10 2 10 3 10 10 VDS Drain-Source Voltage [V] Maximum Drain Current vs. Case Temperature 14 12 ID Drain Current [A] 10 10 8 6 4 2 0 25 50 75 100 125 150 TC Case Temperature [℃ ] 版本：201508B 6/11 JCS12N50C R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) Transient Thermal Response Curve For JCS12N50CC/SC Zθ JC (t) Thermal Response Transient Thermal Response Curve For JCS12N50FC 1 D=0.5 0.2 Notes: 1 Zθ JC(t)=2.5℃ /W Max 2 Duty Factor, D=t1/t2 3 TJM-Tc=PDM* Zθ JC(t) 0.1 0.05 0.1 0.02 0.01 PDM single pulse t1 0.01 t2 1E-5 1E-4 1E-3 0.01 0.1 1 10 t1 Square Wave Pulse Duration [sec] 版本：201508B 7/11 R JCS12N50C 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220C 版本：201508B 单位 Unit：mm 8/11 R JCS12N50C 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-263 编带 单位 Unit：mm REEL 版本：201508B 9/11 R JCS12N50C 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220MF 版本：201508B 单位 Unit：mm 10/11 JCS12N50C R 注意事项 NOTE 1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分 为直销和销售代理，无论哪种方式，订货 1. 时请与公司核实。 Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公 2. 司本部联系。 We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please 3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大 额定值，否则会影响整机的可靠性。 3. 4.本说明书如有版本变更不另外告知 4. don’t be hesitate to contact us. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 CONTACT 吉林华微电子股份有限公司 JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址： www.hwdz.com.cn HTU Tel： 86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 UTH Web Site： www.hwdz.com.cn HTU UTH 市场营销部 MARKET DEPARTMENT 地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. 邮编：132013 电话： 86-432-64675588 64675688 Post Code: 132013 Tel: 86-432-64675588 64678411-3098/3099 传真: 86-432-64671533 版本：201508B 64675688 64678411-3098/3099 Fax: 86-432-64671533 11/11