面実装デバイス 一般整流ダイオード Rectifier Diode 単体型 Surface Mounting Device Single Diode ■外形寸法図 OUTLINE DIMENSIONS Package：G1F Unit : mm Weight：0.011g（typ.） DG0R7E40 品名略号 Type No. 400V 0.6 / 0.7A ① ロット記号（例） Date code 3.50±0.15 2.60±0.10 ② ソルダーリングパッドの参考パターン Soldering pad （2.80） ② E 69 ●耐湿性に優れ高信頼 ●静電気耐性に優れている ●自動実装対応 （1.20） 特長 1.2±0.10 ＋0.15 1.6−0.10 ① （1.20） カソードマーク Cathode mark 0.80±0.1 0.3±0.1 ●High-Reliability ●High ESD Capability ●for Auto-Mount 0.15±0.05 Feature （製品上の表示については、捺印仕様をご確認ください） ■定格表 RATINGS ●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合は Tl = 25℃／unless otherwise specified ） 項 目 Item 保存温度 Storage Temperature 接合部温度 Operation Junction Temperature せん頭逆電圧 Maximum Reverse Voltage 出力電流 Average Rectified Forward Current せん頭サージ順電流 Peak Surge Forward Current 電流二乗時間積 Current Squared Time 品 名 Type No. 記号 条 件 Symbol Conditions DG0R7E40 単位 Unit Tstg −55〜150 ℃ Tj 150 ℃ VRM 400 V IO IFSM I2t 50Hz 正弦波，抵抗負荷 50Hz sine wave, Resistance load Ta＝25℃ *2 0.6 Ta＝64℃ *3 0.7 A 50Hz 正弦波，非繰り返し1サイクルせん頭値，Tj=25℃ 50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃ 20 A 1ms≦ t＜ 10ms 0.8 A2 s Tj= 25℃ ●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合は Tl = 25℃／unless otherwise specified ） 順電圧 Forward Voltage VF IF =0.7A, 逆電流 Reverse Current IR VR =400V, 静電気耐性 Electrostatic Discharge Capability 熱抵抗 Thermal Resistance VESD θja θjl パルス測定 Pulse measurement パルス測定 Pulse measurement C=150pF, R=150Ω, 極性±，気中放電 Polarity±, Aerial discharge 接合部・周囲間 Junction to Ambient 接合部・リード間 Junction to Lead *1：IEC-61000-4-2規定に準拠 It is based on IEC-61000-4-2 2 *2：ガラエポ基板実装（1インチ基板）銅箔パターン総面積32.6mm Measured on the 1x1 inch On glass-epoxi substrate（pattern area: 32.6mm2） 2 *3：ガラエポ基板実装（1インチ基板）銅箔パターン総面積160mm Measured on the 1x1 inch On glass-epoxi substrate（pattern area: 160mm2） 2 4：アルミナ基板実装（2インチ基板）銅箔パターン総面積2100mm * Measured on the 2x2 inch alumina substrate（pattern area: 2100mm 2） 184 （J 514 - 6） www.shindengen.co.jp/product/semi/ MAX 1.1 V MAX 10 μA *1 TYP 30 kV *2 MAX 210 *3 MAX 120 *4 MAX 70 *4 MAX 20 ℃/W DG0R7E40 ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS 順方向特性 順電力損失曲線 せん頭サージ順電流耐量 Forward Voltage Forward Power Dissipation Peak Surge Forward Current Capability 2 1 0.5 0.2 〔 0.1 0 0.5 〔 Pulse measurement 1 1.5 DC 1 0.6 0.4 Average Rectified Forward Current IO〔A〕 Average Rectified Forward Current IO〔A〕 D=tp/T on glass-epoxy substrate Soldering land : 1.2 mm conductor layer : 35μ Pattern area : 32.6 mm2 0.5 0.2 0.4 〔 V ＝400V〕 R 0.1 0.3 0.05 0.2 0.1 0 0 20 40 60 80 Io 0 tp 0.2 T Tj=150℃ 0.2 0.4 0.6 Derating Curve TaーIo VR tp T 0.3 0.05 0.8 D=tp/T 1 15 10 5 lcycle 〔 0 1.2 10ms 10ms non-repetitive sine wave Tj=25℃ 1 2 〔 5 10 20 50 Number of Cycles ディレーティングカーブTaーIo Io D=0.8 SIN 0.6 0.2 0.1 Average Rectified Forward Current IO〔A〕 0 0 DC 0.7 0.5 SIN 0.3 0 0 2 ディレーティングカーブTaーIo 0.8 0.5 0.8 Forward Voltage VF〔V〕 Derating Curve TaーIo D=0.8 20 ＩＦＳＭ Tl =150℃ 〔MAX〕 Tl =150℃ 〔TYP〕 Tl =25℃ 〔MAX〕 Tl =25℃ 〔TYP〕 Forward Power Dissipation PF〔W〕 Forward Current IF〔A〕 5 Peak Surge Forward Current IFSM〔A〕 1.2 10 100 120 140 Ambient Temperature Ta〔℃〕 160 Io 0 0 1.2 VR tp T DC 1 D=0.8 D=tp/T on glass-epoxy substrate 0.8 0.5 SIN Soldering land : 1.2 mm conductor layer : 35μ Pattern area : 160 mm2 0.3 0.6 〔 V ＝400V〕 R 0.2 0.4 0.1 0.05 0.2 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 Ambient Temperature Ta〔℃〕 ・Sine waveは50Hzで測定しています。 ・50Hz sine wave is used for measurements. ・半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。Typicalは統計的な実力を表しています。 ・Semiconductor products generally have characteristic variation. Typical is a statistical average of the device’s ability. www.shindengen.co.jp/product/semi/ （J 514 - 6） 185