Order this document by MRF166W/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA The RF MOSFET Line Power Field Effect Transistor MRF166W N–Channel Enhancement–Mode MOSFET Designed primarily for wideband large–signal output and driver stages to 30 – 500 MHz. • Push–Pull Configuration Reduces Even Numbered Harmonics • Guaranteed Performance at 500 MHz, 28 Vdc Output Power = 40 Watts Gain = 14 dB Efficiency = 50% 40 W, 500 MHz TMOS BROADBAND RF POWER FET • Typical Performance at 175 MHz, 28 Vdc Output Power = 40 Watts Gain = 17 dB Efficiency = 60% • Excellent Thermal Stability, Ideally Suited for Class A Operation • Facilitates Manual Gain Control, ALC and Modulation Techniques • 100% Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 30:1 VSWR • Low Crss — 4.0 pF @ VDS = 28 Volts CASE 412–01, Style 1 1 3 5 FLANGE 4 2 MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise noted) Symbol Value Unit Drain–Gate Voltage VDSS 65 Vdc Drain–Gate Voltage (RGS = 1.0 MΩ) VDGR 65 Vdc VGS ± 20 Adc Drain Current — Continuous ID 8.0 ADC Total Device Dissipation @ TC = 25°C Derate above 25°C PD 175 1.0 Watts °C/W Storage Temperature Range Tstg – 65 to +150 °C TJ 200 °C RθJC 1.0 °C/W Rating Gate–Source Voltage Operating Junction Temperature THERMAL CHARACTERISTICS Thermal Resistance — Junction to Case NOTE — CAUTION — MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and packaging MOS devices should be observed. REV 3 1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Typ Max 65 — — — — 0.5 — — 1.0 1.5 3.0 4.5 0.9 1.1 — — 28 — — 30 — — 4.0 — 14 16 — 50 55 — Unit OFF CHARACTERISTICS (1) Drain–Source Breakdown Voltage (VGS = 0 Vdc, ID = 5.0 mA) V(BR)DSS Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 28 Vdc, VGS = 0 Vdc) IDSS Gate–Source Leakage Current (VGS = 20 Vdc, VDS = 0 Vdc) IGSS Vdc mA µA ON CHARACTERISTICS (1) Gate Threshold Voltage (VDS= 10 Vdc, ID = 25 mA) VGS(th) Forward Transconductance (VDS= 10 Vdc, ID = 1.5 A) gfs Vdc mS DYNAMIC CHARACTERISTICS (1) Input Capacitance (VDS = 28 Vdc, VGS = 0 Vdc, f = 1.0 MHz) Ciss Output Capacitance (VDS = 28 Vdc, VGS = 0 Vdc, f = 1.0 MHz) Coss Reverse Transfer Capacitance (VDS = 28 Vdc, VGS = 0 Vdc, f = 1.0 MHz) Crss pF pF pF FUNCTIONAL CHARACTERISTICS (2) Common Source Power Gain (VDD = 28 Vdc, Pout = 40 W, f = 500 MHz, IDQ = 100 mA) Gps Drain Efficiency (VDD = 28 Vdc, Pout = 40 W, f = 500 MHz, IDQ = 100 mA) η Electrical Ruggedness (VDD = 28 Vdc, Pout = 40 W, f = 500 MHz, IDQ = 100 mA) Load VSWR = 30:1, All phase angles at frequency of test Ψ Series Equivalent Input Impedance (VDD = 28 Vdc, Pout = 40 W, f = 500 MHz, IDQ = 100 mA) Zin Series Equivalent Output Impedance (VDD = 28 Vdc, Pout = 40 W, f = 500 MHz, IDQ = 100 mA) Zout (1) Each transistor chip measured separately. (2) Both transistor chips operating in a push–pull amplifier. REV 3 2 dB % No Degradation in Output Power Ohms — 2.88 –j7.96 — — 6.12 –j9.43 — Ohms BIAS SUPPLY R1 C12 R2 C11 + C13 – VDD = 28 Vdc C14 R3 L1 RF INPUT B2 B1 C7 C2 D.U.T. C3 C5 C4 RF OUTPUT C6 C8 C1 R4 L2 C9 Inputs Line 70 mils x 2460 mils C10 Output Lines 70 mils x 2380 mils C4 C3 490 mils C5 680 mils C1, C2, C7, C8 220 pF, 100 mil Chip Capacitor, ATC C3, C6 0 – 10 pF, Johanson C4 27 pF, 100 mil Chip Capacitor, ATC C5 22 pF, 100 mil Chip Capacitor, ATC C9, C10, C11, C12 0.01 µF Blue Capacitor C13 470 pF, 100 mil Chip Capacitor, ATC C14 50 F, 50 V Electrolytic Capacitor L1, L2 8 Turns #20 AWG, 0.100 mils ID B1, B2 6″ long, ID = 550 mils, 50 Semi–Rigid Coax R1 1.0 k 1/2 Watt R2 10 k 1/2 Watt R3, R4 45 1/2 Watt Board Material – Teflon Fiberglass Dielectric Thickness = 0.30″, εr = 2.55 Copper Clad, 2.0 oz. Copper m W W W W Figure 1. MRF166W 500 MHz Test Circuit Schematic REV 3 3 C6 24 f = 500 MHz Pout , OUTPUT POWER (WATTS) Pout , OUTPUT POWER (WATTS) 60 55 50 45 40 35 30 25 20 15 10 5 0 VDD = 28 Vdc IDQ = 100 mA 0.5 0 2.5 1 1.5 2 Pin, INPUT POWER (WATTS) 16 12 8 Figure 2. Output Power versus Input Power, 28 Vdc 0.4 0.8 1.2 1.6 2 Pin, INPUT POWER (WATTS) 40 IDQ = 100 mA f = 500 MHz Pin = 2 W Pin = 1 W 36 32 28 Pin = 0.5 W 24 20 16 35 VDD = 28 Vdc IDQ = 100 mA 30 25 f = 500 MHz 20 15 TYPICAL DEVICE SHOWN VGS(th) = 3.0 V 10 12 14 16 18 20 22 24 VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS) 26 28 0 –5 –4 –3 –2 C, CAPACITANCE (pF) 80 Coss 60 50 40 Ciss 30 20 Crss 10 0 0 4 0 1 2 Figure 5. Output Power versus Gate Voltage VGS = 0 V f = 1.0 MHz 90 70 –1 VDS, GATE–SOURCE VOLTAGE (VOLTS) 100 8 12 16 20 24 VDS, DRAIN–SOURCE VOLTAGE (VOLTS) Figure 6. Capacitance versus Voltage 4 2.8 5 Figure 4. Output Power versus Supply Voltage REV 3 2.4 45 Pout , OUTPUT POWER (WATTS) Pout , OUTPUT POWER (WATTS) 0 Figure 3. Output Power versus Input Power, 13.5 Vdc 56 52 48 44 40 12 8 VDD = 13.5 Vdc IDQ = 100 mA 4 0 3 f = 500 MHz 20 28 3 f = 500 MHz Zin 400 500 ZOL* 400 Zo = 50 Ω 175 f = 175 MHz VDD = 28 Vdc, IDQ = 100 mA, Pout = 40 W f MHz Zin Ohms ZOL* Ohms 175 3.7 – j 22.4 15.2 – j 16.6 400 3.6 – j 10.99 10.3 – j 7.99 500 2.88 – j 7.96 6.12 – j 9.43 ZOL* = Conjugate of the optimum load impedance into which the device output operates at a given output power, voltage and frequency. NOTE: Input and output impedance values given are measured from gate to gate and drain to drain respectively. Table 1. Input and Output Impedances Figure 7. Series Equivalent Input/Output Impedance REV 3 5 MRF166W–500MHZ M J B NOTES: 1) 3 X 5 inch Glass Teflon 32 Mil Board, Copper Both Sides NOTES: 2) Small Holes are 40 Mils ID and Plated Through NOTES: 3) Large Holes are 140 Mils ID and Plated Through Figure 8. MRF166W Circuit Board Photomaster Figure 9. MRF166W Test Fixture REV 3 6 (Scale 1:1) ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ Table 1. Common Source S–Parameters (VDS = 24 V, ID = 230 mA) S21 S12 S22 |S11| φ |S21| φ |S12| φ |S22| 30 0.554 –85 20.30 128 0.044 28 0.628 –121 40 0.775 –113 20.00 113 0.040 26 0.632 –123 50 0.758 –124 17.50 107 0.041 20 0.652 –135 60 0.711 –132 14.60 100 0.050 20 0.570 –135 70 0.751 –139 12.70 100 0.042 11 0.666 –145 80 0.742 –143 11.30 95 0.043 9 0.666 –149 90 0.724 –146 10.00 92 0.042 8 0.657 –151 100 0.730 –149 8.97 90 0.042 6 0.663 –154 110 0.735 –151 8.29 87 0.043 3 0.683 –156 120 0.732 –153 7.53 84 0.042 2 0.666 –158 130 0.734 –155 7.01 83 0.042 1 0.688 –159 140 0.740 –156 6.57 81 0.043 0 0.701 –160 150 0.747 –157 6.01 78 0.042 –2 0.688 –162 160 0.748 –159 5.66 76 0.041 –4 0.715 –162 170 0.741 –160 5.22 76 0.040 –4 0.690 –161 180 0.746 –160 4.94 74 0.041 –4 0.719 –164 190 0.753 –161 4.67 73 0.041 –6 0.725 –165 200 0.756 –162 4.51 70 0.040 –7 0.729 –166 210 0.755 –162 4.15 69 0.039 –8 0.727 –165 220 0.759 –163 3.91 68 0.039 –8 0.724 –166 230 0.767 –163 3.75 65 0.039 –10 0.751 –169 240 0.769 –164 3.56 64 0.038 –12 0.733 –167 250 0.766 –164 3.41 63 0.037 –12 0.726 –167 260 0.767 –165 3.26 63 0.035 –10 0.725 –167 270 0.773 –165 3.07 61 0.035 –10 0.725 –167 280 0.777 –165 3.03 61 0.035 –11 0.753 –167 290 0.777 –166 2.89 58 0.034 –13 0.732 –169 300 0.782 –166 2.80 57 0.034 –11 0.744 –169 310 0.788 –166 2.66 57 0.034 –12 0.764 –169 320 0.794 –167 2.54 55 0.033 –12 0.760 –167 330 0.796 –167 2.47 54 0.032 –13 0.787 –169 340 0.795 –168 2.38 54 0.031 –13 0.753 –170 350 0.799 –168 2.27 52 0.030 –11 0.772 –168 360 0.804 –168 2.17 51 0.030 –11 0.782 –169 370 0.805 –168 2.15 50 0.030 –11 0.796 –169 380 0.807 –169 2.06 48 0.029 –12 0.782 –170 390 0.812 –169 2.00 48 0.028 –12 0.796 –170 400 0.818 –170 1.91 47 0.027 –10 0.784 –168 410 0.821 –170 1.86 46 0.029 –11 0.830 –170 420 0.821 –170 1.83 44 0.028 –11 0.823 –171 430 0.822 –171 1.74 44 0.026 –9 0.791 –170 440 0.826 –171 1.67 43 0.025 –7 0.788 –170 REV 3 7 S11 f MHz φ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ Table 1. Common Source S–Parameters (VDS = 24 V, ID = 230 mA) (continued) S11 f MHz |S11| 450 0.830 460 0.831 470 S21 φ S12 |S21| φ |S12| –171 1.68 42 –172 1.64 41 0.832 –172 1.54 480 0.835 –173 490 0.835 500 600 S22 φ |S22| φ 0.025 –7 0.820 –170 0.026 –10 0.843 –174 41 0.025 –7 0.827 –173 1.50 39 0.024 –3 0.836 –172 –173 1.43 38 0.024 1 0.835 –171 0.823 –174 1.43 37 0.025 3 0.849 –172 0.874 –176 1.12 29 0.003 –171 0.873 –176 700 0.910 –179 0.86 23 0.013 89 0.867 –177 800 0.932 179 0.74 18 0.035 61 0.904 178 900 0.966 176 0.63 12 0.029 68 0.897 179 1000 0.975 172 0.54 5 0.042 49 0.953 174 Table 2. Common Source S–Parameters (VDS = 28 V, ID = 250 mA) |S11| 30 40 S21 S12 S22 φ |S21| φ |S12| φ |S22| φ 0.601 –86 22.20 128 0.040 29 0.796 –119 0.783 –112 21.20 114 0.037 27 0.616 –122 50 0.764 –122 18.50 108 0.038 21 0.637 –133 60 0.727 –131 15.50 101 0.045 21 0.574 –135 70 0.759 –138 13.50 100 0.039 12 0.648 –143 80 0.751 –142 12.10 95 0.040 9 0.649 –148 90 0.732 –146 10.70 93 0.040 8 0.641 –150 100 0.737 –149 9.55 90 0.040 6 0.648 –153 110 0.741 –150 8.81 88 0.040 4 0.670 –155 120 0.738 –153 8.01 85 0.040 3 0.654 –156 130 0.740 –154 7.47 83 0.040 2 0.675 –157 140 0.747 –156 7.01 82 0.040 1 0.684 –158 150 0.754 –157 6.43 79 0.040 –2 0.669 –161 160 0.757 –159 6.07 77 0.039 –3 0.693 –161 170 0.749 –159 5.59 76 0.038 –3 0.670 –161 180 0.753 –160 5.28 75 0.039 –4 0.701 –163 190 0.759 –161 4.99 73 0.039 –5 0.712 –164 200 0.761 –161 4.81 70 0.038 –7 0.719 –165 210 0.759 –162 4.44 70 0.037 –6 0.713 –163 220 0.762 –163 4.18 69 0.037 –7 0.709 –164 230 0.771 –164 4.03 66 0.037 –9 0.733 –167 240 0.775 –164 3.83 65 0.036 –10 0.715 –165 250 0.774 –165 3.69 64 0.035 –10 0.713 –166 260 0.775 –165 3.52 63 0.034 –10 0.715 –168 270 0.780 –165 3.29 61 0.034 –10 0.712 –168 280 0.782 –165 3.24 61 0.034 –11 0.741 –168 290 0.781 –166 3.10 59 0.032 –12 0.722 –168 300 0.785 –166 3.01 58 0.033 –11 0.733 –168 REV 3 8 S11 f MHz ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ ÁÁÁÁ ÁÁÁÁÁ Table 2. Common Source S–Parameters (VDS = 28 V, ID = 250 mA) (continued) |S11| 310 0.792 320 0.798 330 S21 φ S12 S22 |S21| φ |S12| φ |S22| –167 2.87 57 0.032 –12 0.750 –167 –167 2.75 56 0.032 –12 0.739 –166 0.801 –168 2.68 53 0.031 –13 0.760 –170 340 0.800 –168 2.58 53 0.030 –14 0.727 –172 350 0.803 –169 2.44 52 0.029 –12 0.755 –170 360 0.807 –169 2.33 50 0.029 –12 0.772 –171 370 0.808 –169 2.30 50 0.029 –12 0.787 –169 380 0.809 –169 2.19 48 0.028 –13 0.768 –170 390 0.813 –170 2.14 49 0.027 –13 0.775 –169 400 0.820 –170 2.06 47 0.026 –11 0.765 –167 410 0.823 –170 2.02 45 0.027 –12 0.805 –170 420 0.823 –171 1.98 44 0.026 –13 0.794 –173 430 0.824 –171 1.89 44 0.025 –12 0.778 –174 440 0.828 –172 1.83 43 0.024 –11 0.785 –173 450 0.832 –172 1.81 41 0.024 –10 0.812 –172 460 0.833 –172 1.75 41 0.025 –13 0.838 –175 470 0.835 –172 1.65 41 0.023 –11 0.817 –173 480 0.840 –172 1.60 40 0.022 –10 0.818 –172 490 0.844 –173 1.55 38 0.022 –10 0.819 –172 500 0.845 –173 1.56 37 0.022 –10 0.833 –173 600 0.879 –176 1.21 29 0.002 138 0.870 –176 700 0.912 –179 0.92 23 0.017 77 0.862 –176 800 0.935 179 0.79 18 0.039 58 0.887 179 900 0.966 176 0.67 11 0.030 69 0.892 179 1000 0.974 172 0.57 5 0.043 49 0.945 175 REV 3 9 S11 f MHz φ PACKAGE DIMENSIONS –A– U Q 2 PL G 0.51 (0.020) 1 2 3 4 K M T A –B– 5 D 4 PL 0.51 (0.020) J N M T A M B M E H C –T– SEATING PLANE CASE 412–01 ISSUE O Specifications subject to change without notice. n North America: Tel. (800) 366-2266, Fax (800) 618-8883 n Asia/Pacific: Tel.+81-44-844-8296, Fax +81-44-844-8298 n Europe: Tel. +44 (1344) 869 595, Fax+44 (1344) 300 020 Visit www.macom.com for additional data sheets and product information. REV 3 10 M B M NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. DIM A B C D E G H J K N Q U INCHES MIN MAX 0.965 0.985 0.245 0.265 0.165 0.185 0.050 0.070 0.070 0.080 0.254 BSC 0.095 0.105 0.003 0.006 0.625 0.675 0.495 0.520 0.120 0.140 0.725 BSC STYLE 1: PIN 1. 2. 3. 4. 5. DRAIN DRAIN GATE GATE SOURCE MILLIMETERS MIN MAX 24.52 25.01 6.23 6.73 4.20 4.69 1.27 1.77 1.78 2.03 6.45 BSC 2.42 2.66 0.08 0.15 15.88 17.14 12.58 13.20 3.05 3.55 18.42 BSC