RoHS MBR880 THRU MBR8200 COMPLIANT 肖特基二极管SCHOTTKY Diodes ■特征 ■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark Features 耐正向浪涌电流能力高 High surge forward current capability ● 低功耗，大电流 Low Power loss, High efficiency ● Io 8.0A 80-200V ● VRRM ● TO-220AC .17(4.31) .131(3.34) .429(10.9) MAX DIA .129(3.27) .087(2.22) .61(15.5) .571(14.5) PIN1 ■用途 Applications ● 快速整流用 High speed switching .200(5.10) .159(4.04) .055(1.40) .045(1.14) 2 .126(3.19) .084(2.14) .176(4.46) .124(3.16) .576(14.62) .514(13.06) .037(0.94) .027(0.68) .025(0.64) .011(0.28) .22(5.60) .179(4.55) PIN1 CASE PIN2 Dimensions in inches and (millimeters) ■极限值（绝对最大额定值） Limiting Values（Absolute Maximum Rating） 参数名称 Item 符号 单位 Symbol Unit 反向重复峰值电压 Repetitive Peak Reverse Voltage 平均整流输出电流 Average Rectified Output Current 正向（不重复）浪涌电流 Surge(Non-repetitive)Forward Current 正向浪涌电流 的平方对电流 浪 涌持 续 时间的积分值 Current Squared Time 贮存温度 Storage Temperature 结温 Junction Temperature VRRM MBR 条件 Conditions V 880 8100 8150 8200 80 100 150 200 Io A 正弦半波60Hz，电阻负载，Tc(Fig.1) 60HZ Half-sine wave, Resistance load,Tc(Fig.1) 8 IFSM A 60HZ正弦波，一个周期，Ta=25℃ 60HZ sine wave, 1 cycle, Ta=25℃ 120 I2t A2s 1ms≤t＜8.3ms Tj=25℃,单个二极管 60 1ms≤t＜8.3ms Tj=25℃,Rating of per diode Tstg Tj -55 ~ +150 ℃ ℃ 在正向直流条件下，没有施加反向压 降，通电≤1h（图示1）① IN DC Forward Mode-Forward Operations，without reverse bias, t ≤1 h (Fig. 1)① -55 ~ +150 ■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定） Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） 参数名称 Item 符号 Symbol 单位 Unit 最大值 Max MBR 测试条件 Test Condition 880 正向峰值电压 Peak Forward Voltage 反向峰值电流 Peak Reverse Current 热阻 Thermal Resistance VFM V I FM =8.0A IRRM1 mA IRRM2 RθJ-C ℃/W 8100 0.85 8150 8200 0.9 0.95 Ta=25℃ 0.05 Ta=100℃ 1 VRM =VRRM 结和壳之间 Between junction and case 2.0 ■ 备注 NOTE ① Meets the requirement of IEC 61215 Ed. 2 bypass diode thermal test S-B146 Rev.1.1, 29-Nov-14 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com MBR880 THRU MBR8200 ■ 特性曲线（典型） Characteristics(Typical) 图2：耐正向浪涌电流曲线 FIG2:Surge Forward Current Capadility IFSM(A) Io(A) 图1：正向电流降额曲线 FIG1: IF（AV）--Tc Derating 14.0 12.0 10.0 140 120 100 8.0 8.3ms Single Half Since-Wave JEDEC Method 80 TC measure point 6.0 60 IN DC 4.0 40 2.0 0 20 50 0 150 Tc(℃) 100 1 IRRM(uA) IF(A) 60 20 10 20 50 100 Number of Cycles at 60Hz 图3：正向电压曲线 FIG3:Instantaneous Forward Voltage 100 5 2 图4：反向电流曲线 FIG4:Typical Reverse Characteristics 1000 Tj=100℃ 80~100V 100 10 5.0 150V 10 200V 1.0 1.0 0.5 Tj=25℃ 0.2 0.1 Ta=25℃ 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 VF(V) 0.1 0 20 40 60 80 100 VRRM(%) S-B146 Rev.1.1, 29-Nov-14 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com