GSME GMBT4401 Npn switching transistor Datasheet

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMBT4401(销售型號 MMBT4401)
■FEATURES 特點
NPN Switching Transistor
■MAXIMUM RATINGS
最大額定值
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Rating 額定值
Unit 單位
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
VCEO
40
Vdc
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
VCBO
60
Vdc
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
VEBO
6.0
Vdc
Ic
600
mAdc
Collector Current-Continuous
集電極電流-連續
■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性
Characteristic 特性參數
Total Device Dissipation 總耗散功率
FR-5 Board(1)
TA=25℃環境溫度爲 25℃
Derate above25℃ 超過 25℃遞減
Total Device Dissipation 總耗散功率
Alumina Substrate, 氧化鋁襯底(2)
TA=25℃環境溫度爲 25℃
Derate above25℃ 超過 25℃遞減
Symbol 符號
Max 最大值
Unit 單位
PD
225
mW
1.8
mW/℃
300
mW
2.4
mW/℃
417
℃/W
PD
Thermal Resistance Junction to Ambient
熱阻
RΘJA
Junction and Storage Temperature
結溫和儲存溫度
TJ,Tstg
■DEVICE
MARKING 打標
BT
4401(销售型號 MMBT4401)=2X
GM
GMBT
BT4401
150℃, -55to+150℃
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GMBT4401(销售型號 MMBT4401)
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25
=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃))
■OFF CHARACTERISTICS 截止電特性
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Max
最大值
Unit
單位
Collector-Emitter Breakdown Voltage(3)
集電極-發射極擊穿電壓(Ic=1.0mAdc,IB=0)
V(BR)CEO
40
—
Vdc
V(BR)CBO
60
__
Vdc
V(BR)EBO
6.0
—
Vdc
IBEV
—
0.1
uAdc
ICEX
—
0.1
uAdc
Min
最小值
Max
最大值
Unit
單位
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極基極擊穿電壓(Ic=0.1mAdc,IE=0)
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極基極擊穿電壓(IE=0.1mAdc,Ic=0)
Base Cutoff Current 基極截止電流
(VCE=35Vdc, VEB=0.4Vdc)
Collector Cutoff Current 集電極截止電流
(VCE=35Vdc, VEB=0.4Vdc)
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.
3. Pulse Width<300us;Duty Cycle<2.0%.
■ON CHARCTERISTICS 導通電特性
Characteristic
特性參數
DC Current Gain 直流電流增益
(Ic=0.1mAdc,VCE=1.0Vdc)
(Ic=1.0mAdc,VCE=1.0Vdc)
(Ic=10mAdc,VCE=1.0Vdc)
(Ic=150mAdc,VCE=1.0Vdc)
(Ic=500mAdc,VCE=2.0Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極發射極飽和壓降
(Ic=150mAdc, IB=15mAdc)
(Ic=500mAdc, IB=50mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage
基極發射極飽和壓降
(Ic=150mAdc, IB=15mAdc)
(Ic=500mAdc, IB=50mAdc)
Symbol
符號
HFE
—
20
40
80
100
40
—
—
—
300
—
—
—
0.4
0.75
Vdc
0.75
—
0.95
1.2
Vdc
VCE(sat)
VBE(sat)
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■SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS 小信號特性
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Min
最小值
Max
最大值
Unit
單位
fT
250
—
MHz
Ccb
—
6.5
pF
Ceb
—
30
pF
Intput Impedance 輸入阻抗
(Ic=1.0mAdc,VCE=10Vdc,f=1.0kHz)
hie
1.0
15
kQ
Voltage Feedback Radio 電壓反饋係數
(Ic=1.0mAdc,VCE=10Vdc,f=1.0kHz)
hre
0.1
8.0
×10-4
Small-Signal Current Gain 小信號電流增益
(Ic=1.0mAdc,VCE=10Vdc,f=1.0kHz)
hfe
40
500
—
Output Admittance 輸出導納
(Ic=1.0mAdc,VCE=10Vdc,f=1.0kHz)
hoe
1.0
30
μmhos
Symbol
符號
Min
最小值
Max
最大值
Unit
單位
td
—
15
tr
—
20
ts
—
225
tf
—
30
Current-Gain-Bandwidth Product
電流增益帶寬乘積
(Ic=20mAdc,VCE=20Vdc,f=100MHz)
Collector-Base Capacitance 集電極基極電容
(VCB=5.0Vdc, IE=0, f=1.0MHz)
Emitter-Base Capacitance 發射極基極電容
(VEB=0.5Vdc, IC=0, f=1.0MHz)
■SWITCHING CHARACTERISTICS 開關特性
Characteristic
特性參數
Delay Time
延遲時間
Rise Time
上升時間
Storage Time
儲存時間
Fall Time
下降時間
(Vcc=30Vdc,VEB=2.0Vdc
Ic=150mAdc,IB1=15mAdc)
(Vcc=30Vdc,Ic=150mAdc,
IB1=IB2=15mAdc)
ns
ns
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■DIMENSION 外形封裝尺寸
單位(UNIT):mm
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