●●●●●●●●●● チップフォトトランジスタ CPT Series Chip Photo-transistor CPT Series ■ 特徴 Features 1. 全機種ともSMD（表面実装デバイス） タイプのチップ型フォトトランジス タです。 2. チップマウンターによるプリント基 板への自動実装可能。 3. リフローはんだ対応。 4. 全てのCPTシリーズは、鉛フリー対 応製品です。 ●製品コード 1. Chip-type SMD Photo-transistor 2. Automatic mounting by chip mounter available 3. Reflow soldering available 4. All CPT series are lead-free products Product code CPT - 230 S - - 〈シリーズ Series〉 シリーズ Series 230：上・下面実装可能型 230：Top and bottom surface mounting type 290：側面実装型 290：Side mounting type 使用素子 Type of element S： シングル Single 樹脂 Type of resin V： 赤外カット樹脂 Infrared-light-cutting resin C： 可視光カット樹脂 Visible-light-cutting resin X： 透明 Transparent 納入形態 Packing mode 無記入 Non-code：バルク Bulk packing TU：上面テーピング Taping upward TS：側面テーピング Taping sideways TD：下面テーピング Taping downward ●絶対最大定格 Absolute Maximum Rating Item コレクタ・エミッタ間電圧 Voltage between collecter & emitter エミッタ・コレクタ間電圧 Voltage between emitter & collector コレクタ電流 Collector current コレクタ損失 Collector dissipation 動作温度範囲 Operating temperature range 保存温度範囲 Storage temperature range 136 CITIZEN ELECTRONICS CO., LTD. JAPAN 2012.7 (Ta 25℃) Symbol Rating Unit VCEO 25 V VECO 5 V IC PC TOP TST 20 75 -25〜+80 -30〜+85 mA mW ℃ ℃ ●●●●●●●●●● CPT-290 Series ■ 用途 Applications 1. Optical touch panel 2. Position detecting of other equipment 1. 光学式タッチパネル。 2. その他の位置検出。 ●電気的光学的特性 Electro-optical characteristics Item 2.2(L)×1.45(W)×1.1（H） mm Symbol (Ta 25℃) Conditions Min Typ Max Unit 光電流 Light current IC VCE=5V ※1EV=0.1mW/cm2 55 126 197 μA 暗電流 Collector dark current ICEO VCE=5V 5 100 nA コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE (Sat) IC=100μA ※1EV=0.1mW/cm2 0.15 0.4 V Saturated voltage between collector & emitter ピーク感度波長 Peak sensitive wave length λp ※2 - 940 nm 分光感度 Spectral efficiency λ ※2 860〜1090 nm 応答時間 立上がり Rise time Tr VCE=5V IC=2mA 3.2 - μSEC Response Time 立下がり Fall time Tf RL=100Ω 4.8 - μSEC 半値角 Spectral width of half value θ1/2 - ±75 deg. ● 側面方向の受光が可能なチップ型フォトト ランジスタです。 ● Chip type photo-transistor that can receive light from the side. ※1 EV=950nmlR光による放射照度 EV=Infrared irradiance at 950 nm ※2 Cタイプ標準 Standard for C type ●外形寸法図 Outline drawing 素子中心 樹脂 はんだ付け電極 Position of die Resin Soldering terminal 0.3 1.6 1.0 (0.3) (0.55) 1.1 極性 Polarity E 0.3 2.2 (1.4) C エミッタマーク 1.45 Emitter mark 基板 PCB ■ 諸特性 Characteristics 分光感度特性（Ta=25℃） Spectral Efficiency Characteristics Ic-E 特性 Ic-E Characteristics 10000 IRC-Ta 特性 IRC-Ta Characteristics Ic-VCE 特性 Ic-VCE Characteristics VCE=3V Ta=25˚C 175 Ta=25˚C 0.5mW/cm2 700 VCE=5V RL=100Ω 150 1000 0.3 400 300 0.2 200 20 900 1000 1100 0.1 1200 1.0 100 75 0.1 0 2 4 6 1000 -50 8 10 12 14 50 -25 25 50 75 100 1 3 10 T a ( C) VCE (V) VCC=5V R=100 Ta=25˚C f (KHz) 指向特性 Directive Characteristics 応答速度測定回路 Measuring circuit for response time 20mW/Sr tr tf (μS) Ta=25˚C :VCE=5V 1 40 100 LED:CL-201IR 30 20 10 0 10 20 30 40 VCC 入力 Input 出力 RL Output R 50 50 60 60 70 70 50 5V tr d 10 0 tf 10 1 RL=1KΩ Vcc=5V Ta=25˚C 光源=CL-201IR Lighting source of CL-201IR tr/tf-RL Characteristics 100 0.1 RL=510Ω -30 tr/rf-RL 特性 CL-201IRとの組み合わせ特性 Combined Characteristics with CL-201IR 10mW/Sr -20 -40 0 10 E (mW/cm2) 波長λ（nm） Wave length Ic (mA) 120 100 100 800 -10 0.4 500 IRC (%) 40 Ic (μA) 600 60 0 tf 10 100 1 5 10 RL(K ) 138 周波数特性 Frequency response 0 80 Ic (μA) 相対感度（％） Relative efficiency 100 (dB) ※2 単位 Unit : mm CITIZEN ELECTRONICS CO., LTD. JAPAN 2012.7 100 入力パルス Input pulse 90% 10% tr 出力パルス Output pulse 80 80 90 90 100 0 100 30 100