BYZ 35A22 ... BYZ 35A47 BYZ 35K22 ... BYZ 35K47 Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes Ø 12.75 10.7 5 ±0.2 ±0.2 1.3 28.5 ±0.5 Rändel 0.8 knurl 0.8 Ø 11 ±0.1 Ø 13 ±01 Dimensions / Maße in mm Silizium Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaften Hochtemperaturdioden Nominal current – Nennstrom 35 A Nominal breakdown voltage Nominale Abbruch-Spannung 19.8 ... 51.7 V Metal press-fit case with plastic cover Metall-Einpreßgehäuse mit Plastik-Abdeckung Weight approx. – Gewicht ca. 10 g Casting compound has UL classification 94V-0 Vergußmasse UL94V-0 klassifiziert Standard packaging: bulk Standard Lieferform: lose im Karton Maximum ratings Type / Typ Wire to / Draht an Anode Cathode BYZ 35A22 BYZ 35A27 BYZ 35A33 BYZ 35A39 BYZ 35A47 BYZ 35K22 BYZ 35K27 BYZ 35K33 BYZ 35K39 BYZ 35K47 Grenzwerte Breakdown voltage Abbruch-Spannung IT = 100 mA VBRmin [V] VBRmax 19.8 24.3 29.7 35.1 42.3 Reverse voltage Sperrspannung IR = 5 :A VR [V] 24.2 29.7 36.3 42.9 51.7 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last > 17.8 > 21.8 > 26.8 > 31.6 > 38.1 TC = 150/C Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 / 60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t <10 ms Grenzlastintegral, t <10 ms Forward voltage Durchlaßspannung Tj = 25/C Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 07.01.2003 Max. clamping voltage Max. Begrenzerspanng. at / bei IPP, tp = 1m s VC [V] IPP [A] 31,9 39,1 47,7 56,4 67,8 IFAV TA = 25/C 161 128 106 89 75 35 A IFSM 360 / 400 A TA = 25/C i2t 660 A2s IF = 35 A VF < 1.1 V Tj TS – 50…+215/C – 50…+215/C 1 BYZ 35A22 ... BYZ 35A47 BYZ 35K22 ... BYZ 35K47 Max. junction temperature in case of “Load Dump” Max. Sperrschichttemperatur bei “Load Dump” Tjmax +280/C Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 0.8 K/W Maximum pressure – Maximaler Einpreßdruck 2 7 kN F:\Data\Wp\DatBlatt\Einzelblätter\byz35.wpd