Diotec BC817BPN Smd general purpose npn/pnp transistor Datasheet

BC817BPN
BC817BPN
IC
= 500 mA
hFE = 160...400
Tjmax = 150°C
SMD General Purpose NPN/PNP Transistors
SMD Universal-NPN/PNP-Transistoren
VCEO = 45 V
Ptot = 300 mW
Version 2018-02-14
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade 1)
2.9± 0.2
4
2
2.8 ±0.2
3
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Taped and reeled
0.4
3000 / 7“
Weight approx.
Dimensions - Maße [mm]
R oH S
EE
1
Besonderheiten
Zwei Komplementärtransistoren
in einem Gehäuse
Halogen
FREE
Universell anwendbar
Konform zu RoHS, REACH,
Pb
Konfliktmineralien 1
WE
Type
Code
± 0.2
5
6
1.1 ± 0.1
0.95
1.5
0.95
Features
Two complementary transistors
in one package
General Purpose
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung 1)
EL
V
SOT-26
(SOT-457)
Gegurtet auf Rolle
0.01 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
6
Dual
Transistors
T1
1 = E1 2 = B1 6 = C1
PNP
5
4
T2
T1
1
T2
3 = C2 4 = E2 5 = B2
NPN
2
Type Code
BC817BPN
tbd
3
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
BC817BPN
Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung
B open
VCEO
45 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
E open
VCBO
50 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
6V
Ptot
300 mW 3)
IC
500 mA
TS
Tj
-55...+150°C
-55...+150°C
Power dissipation (per device)
Verlustleistung (pro Bauteil)
Collector current
Kollektorstrom
DC
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
3
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C and per transistor, unless otherwise specified; for the PNP type, the parameters are to be set negative
TA = 25°C und pro Transistor, wenn nicht anders angegeben; für den PNP Typen müssen die Parameter negativ gesetzt werden
Mounted on P.C. board with 1 cm2 copper pad at each collector terminal
Montage auf Leiterplatte mit 1 cm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Kollektor-Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BC817BPN
Characteristics
Kennwerte
Tj = 25°C
Min.
Typ.
Max.
hFE
160
40
–
400
–
VCEsat
–
–
0.7 V
VBE
–
–
1.2 V
ICBO
–
–
100 nA
IEBO
–
–
100 nA
NPN
PNP
fT
100 MHz
80 MHz
–
–
NPN
PNP
CCBO
–
5 pF
9 pF
–
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
VCE = 1 V
IC = 100 mA
IC = 500 mA
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 1)
IC = 500 mA
IB = 50 mA
1
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung )
VCE = 1 V
IC = 500 mA
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
VCB = 20 V
E open
Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
VEB = 5 V
C open
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz
Thermal resistance junction to ambient (per device)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil)
RthA
< 210 K/W 2)
120
[%]
100
80
60
40
20
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature 2)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.2)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
2
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Mounted on P.C. board with 1 cm2 copper pad at each collector terminal
Montage auf Leiterplatte mit 1 cm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Kollektor-Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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