BC817BPN BC817BPN IC = 500 mA hFE = 160...400 Tjmax = 150°C SMD General Purpose NPN/PNP Transistors SMD Universal-NPN/PNP-Transistoren VCEO = 45 V Ptot = 300 mW Version 2018-02-14 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1) 2.9± 0.2 4 2 2.8 ±0.2 3 Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 0.4 3000 / 7“ Weight approx. Dimensions - Maße [mm] R oH S EE 1 Besonderheiten Zwei Komplementärtransistoren in einem Gehäuse Halogen FREE Universell anwendbar Konform zu RoHS, REACH, Pb Konfliktmineralien 1 WE Type Code ± 0.2 5 6 1.1 ± 0.1 0.95 1.5 0.95 Features Two complementary transistors in one package General Purpose Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung 1) EL V SOT-26 (SOT-457) Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 6 Dual Transistors T1 1 = E1 2 = B1 6 = C1 PNP 5 4 T2 T1 1 T2 3 = C2 4 = E2 5 = B2 NPN 2 Type Code BC817BPN tbd 3 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) BC817BPN Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 45 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 50 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 6V Ptot 300 mW 3) IC 500 mA TS Tj -55...+150°C -55...+150°C Power dissipation (per device) Verlustleistung (pro Bauteil) Collector current Kollektorstrom DC Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C and per transistor, unless otherwise specified; for the PNP type, the parameters are to be set negative TA = 25°C und pro Transistor, wenn nicht anders angegeben; für den PNP Typen müssen die Parameter negativ gesetzt werden Mounted on P.C. board with 1 cm2 copper pad at each collector terminal Montage auf Leiterplatte mit 1 cm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Kollektor-Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BC817BPN Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. hFE 160 40 – 400 – VCEsat – – 0.7 V VBE – – 1.2 V ICBO – – 100 nA IEBO – – 100 nA NPN PNP fT 100 MHz 80 MHz – – NPN PNP CCBO – 5 pF 9 pF – DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis VCE = 1 V IC = 100 mA IC = 500 mA Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 1) IC = 500 mA IB = 50 mA 1 Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung ) VCE = 1 V IC = 500 mA Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom VCB = 20 V E open Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom VEB = 5 V C open Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction to ambient (per device) Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil) RthA < 210 K/W 2) 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 2) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.2) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 1 cm2 copper pad at each collector terminal Montage auf Leiterplatte mit 1 cm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Kollektor-Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG