NTE NTE5540 Silicon controlled rectifier (scr) 55 amp Datasheet

NTE5539 & NTE5540
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
55 Amps
Features:
D High Voltage Capability
D High Surge Capability
D Glass Passivated Chip
Electrical Characteristics: (TA = +25°C, 60Hz, Resistive load unless otherwise specified)
Repetitive Peak Off–State Forward & Reverse Voltage, VDRM, VRRM
NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
Maximum RMS On–State Current, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55A
Average On–State Current, IT(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35A
DC Gate Trigger Current (VD = 12V, RL = 30Ω), IGT
Minimum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mA
Maximum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40mA
Maximum Peak Off–State Forward & Reverse Current (At rated VDRM, VRRM), IDRM, IRRM
(TC = +25°C)
NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10µA
NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20µA
(TC = +100°C)
NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0mA
NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5mA
(TC = +125°C)
NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0mA
NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0mA
Peak On–State Voltage (IT(RMS) = 55A, TC = +25°C), VTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8V
Maximum DC Gate Trigger Voltage (TC = +25°C, VD = 12V, RL = 30Ω), VGT . . . . . . . . . . . . . . 1.5V
Minimum DC Gate Trigger Voltage (TC = +125°C, VD = 12V, RL = 30Ω), VGT . . . . . . . . . . . . . . 0.2V
Maximum DC Holding Current (Gate Open, Initial On–State Current = 400mA(DC)), IH . . . . 60mA
Peak Gate Current (Pulse Width ≤ 10µs), IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A
Peak Gate Power Dissipation (Pulse Width ≤ 10µs), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W
Average Gate Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mW
Peak One Cycle Surge Forward Current, ITSM
50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550A
60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650A
Minimum Critical Rate–of–Applied Forward Voltage, dv/dt
(TC = +100°C)
NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650V/µs
NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V/µs
(TC = +125°C)
NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550V/µs
NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 475V/µs
Electrical Characteristics (Cont’d): (TA = +25°C, 60Hz, Resistive load unless otherwise specified)
RMS Surge (Non–Repetitive) On–State Current for Fusing (8.3ms), I2t . . . . . . . . . . . . . . 1750A2sec
Maximum Rate–of–Change of On–State Current (IGT = 150mA, tr = 0.1µs), di/dt . . . . . . . 175A/µs
Gate Controlled Turn–On Time (Gate Pulse = 150mA, Min Width = 15µs, tr ≤ 0.1µs), tgt . . . 2.5µs
Circuit Commutated Turn–Off Time (Note 1), tq . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35µs
Operating Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C
Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from case, 10sec max), TL . . . . . . . . . . . . . . . . . +230°C
Note 1. iT = 2A, Pulse Duration = 50µs, dv/dt = 20V/µs, di/dt = –30A/µs, IGT = 200mA at Turn–On
.060 (1.52)
.600 (15.24)
.173 (4.4)
A
.156
(3.96)
Dia.
K
A
.550
(13.97)
.430
(10.92)
G
.500
(12.7)
Min
.055 (1.4)
.015 (0.39)
.215 (5.45)
NOTE: Dotted line indicates
that case may have square
corners.