B40S ... B500S B40S ... B500S SMD Single Phase Bridge Rectifier SMD Einphasen-Brückengleichrichter IFAV = 1.0 A VF < 1.1 V Tjmax = 150°C VRRM = 80...1000 V IFSM = 45/50 A trr ~ 1500 ns Version 2017-02-08 10.2±0.4 8.3-0.1 Features UL recognized, File E175067 Slim Profile 2.5 mm Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten UL-anerkannt, Liste E175067 Schlanke Bauhöhe 2.5 mm Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE ~ Mechanical Data 1) 6.4±0.1 Type Typ Typische Anwendungen 50/60 Hz Netzgleichrichtung, Stromversorgungen Standardausführung 1) EL V 7.9±0.4 5.1 ~ Typical Applications 50/60 Hz Mains Rectification, Power Supplies Commercial grade 1) -0.1 2.7 0.25 2.5±0.1 SO-DIL “SLIM” Taped and reeled + 1500 / 13“ Weight approx. 1.3 Dimensions - Maße [mm] Mechanische Daten 1) Gegurtet auf Rolle 0.4 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type Typ Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] 3) B40S 40 80 B80S 80 160 B125S 125 250 B250S 250 600 B380S 380 800 B500S 500 1000 Max. rectified output current Dauergrenzstrom am Brückenausgang R-load C-load Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle Rating for fusing Grenzlastintegral Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 4 5 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 4) TA = 50°C IFAV 1.0 A 5) 0.8 A 5) f > 15 Hz IFRM 9A 5) 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 45 A 50 A t < 10 ms i2t 10.1 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM – Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten Valid per Diode – Gültig pro Diode Mounted on P.C. Board with 13 x 13 mm2 copper pads – Montage auf Leiterplatte mit 13 x 13 mm2 Kupferbelag (Lötpads) © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 B40S ... B500S Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A VF < 1.1 V 1) Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA 1) Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns 1) VR = 4 V Cj 25 pF 1) Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität Thermal resistance junction to ambient (per device) Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil) RthA < 40 K/W 2) Thermal resistance junction to terminal (per device) Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss (pro Bauteil) RthT < 15 K/W 2) Type Typ Rt 3) ~ _ + ~ CL 4) Recomm. protective resistance Empf. Schutzwiderstand Rt [Ω] 3) Admiss. load capacitor at Rt Zul. Ladekondensator mit Rt CL [µF] 4) B40S 1.7 2900 0.005 B80S 3.5 1400 0.005 B125S 5.5 900 0.005 B250S 13.3 350 0.005 B380S 17.7 280 0.005 B500S 22.2 220 0.005 120 102 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 40a-(1a-1.1v) -2 10 0 TA 50 100 150 0.4 [°C] Rated forward current versus ambient temperature2) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.2) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 3 4 2 Valid per Diode – Gültig pro Diode Mounted on P.C. Board with 13 x 13 mm2 copper pads – Montage auf Leiterplatte mit 13 x 13 mm2 Kupferbelag (Lötpads) Rt = VRRM / IFSM Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert CL = 5 ms / Rt If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged completely in a single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only! Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL innerhalb einer einzigen Netzhalbwelle komplett geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf! http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG