FX2000A ... FX2000G FX2000A ... FX2000G Superfast Silicon Rectifier Diodes Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2013-06-28 Nominal Current Nennstrom 7.5±0.1 62.5±0.5 Ø 8±0.1 ±0.05 Ø 1.6 Dimensions - Maße [mm] 20 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...400 V Plastic case Kunststoffgehäuse Ø 8 x 7.5 [mm] Weight approx. Gewicht ca. 2.0 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] FX2000A 50 50 FX2000B 100 100 FX2000D 200 200 FX2000F 300 300 FX2000G 400 400 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 20 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 130 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 650/715 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 2112 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+150°C +200°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 FX2000A ... FX2000G Characteristics Kennwerte Forward Voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 5 A IF = 20 A VF VF < 0.82 V < 0.94 V Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 100°C IR IR < 5 µA < 200 µA IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A trr < 200 ns Reverse recovery time Sperrverzug Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 8 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 1.5 K/W 120 10 3 [%] [A] 100 Tj = 125°C 102 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 1 2 400a-(5a-0,8v) -1 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG