SDM58Z## 江苏捷捷微电子股份有限公司 JCT135 ○ 概述: JCT135 是双面台面结构反向阻断高压晶闸管芯片; 主要工艺技术:台面玻璃钝化工艺技术、多层金属化技术等。 ○ 产品主要用途: 无功补偿,固态继电器,电力模块等。 ○产品极限参数(封装成模块后,除非另有规定,TCASE =25℃) 参数名称 测试条件 符号 数值 -16 -18 Tj 结温范围 -20 -40-125 单位 ℃ 断态重复峰值电压 Tj=25℃ VDRM 1600 1800 2000 V 反向重复峰值电压 Tj=25℃ VRRM 1600 1800 2000 V 通态平均电流 TC=80℃ IT(AV) 135 A 通态浪涌电流 tp=10mS ITSM 3000 A tp=10mS 2 It 45000 A2S dI/dt 150 A/uS 2 I t值 VD=2/3VDRM tp=200uS 通态电流临界上升率 IG=0.3A dIG/dt=0.3A/uS Tj=125℃ ○产品电特性(封装成模块后,除非另有规定,TCASE =25℃) 特性 通态峰值电压 测试条件 符号 数值 单位 VTM ≤1.8 V TC=25℃ IDRM1 ≤100 uA TC=125℃ IDRM2 ≤25 mA TC=25℃ IRRM1 ≤100 uA TC=125℃ IRRM2 ≤25 mA IGT 20-150 mA IT=420A tp=380uS VD=VDRM 断态峰值电流 VR=VRRM 反向峰值电流 门极触发电流 VD=12V RL=30Ω 擎住电流 IG=1.2 IGT IL ≤300 mA 维持电流 I T=1A IH ≤250 mA 电话:+86-513-83639777 - 1 / 2- 网址:http://www.jjwdz.com SDM58Z## 江苏捷捷微电子股份有限公司 VD=12V RL=30Ω 门极触发电压 VGT ≤1.5 V VGD ≥0.25 V dV/dt ≥1000 V/uS VD=VDRM 门极不触发电压 Tj=125℃ VD=2/3VDRM 断态电压临界上升率 Tj=125℃ 门极开路 ○产品尺寸及特征 硅片尺寸 4inch 硅片厚度 420um 芯片尺寸 14.6mm×13.1mm 正面(门极、阴极)金属电极 AL 或 Ti-Ni-Ag 背面(阳极)金属电极 Ti-Ni-Ag 满版芯片个数 30 只 13100 11940 11670 14600 K A K 520 G 420 K G 11940 器件线路符号 1250 G ) g A i N i T ( A 13 460 JCT135 芯片结构图(单位:um) ○产品信息 电话:+86-513-83639777 - 2 / 2- 网址:http://www.jjwdz.com