BC327 ... BC328 BC327 ... BC328 IC = -800 mA hFE ~ 160/250/400 Tjmax = 150°C General Purpose PNP Transistors Universal-PNP-Transistoren VCEO = -25 ... -45 V Ptot = 625 mW Version 2018-02-02 (1) 18 9 16 C BE Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung 1) Features General Purpose Three current gain groups Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Universell anwendbar Drei Stromverstärkungsklassen Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE 2 x 2.54 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1) EL V TO-92 (10D3) Mechanical Data 1) ±0.1 (2) CBE min 12.5 4.6±0.1 4.6 2 x 1.27 Mechanische Daten 1) (1) Taped in ammo pack (Raster 2.54) (2) On request: in bulk (Raster 1.27, suffix “BK”) 4000 (1) Gegurtet in Ammo-Pack (Raster 2.54) (2) Auf Anfrage: Schüttgut (Raster 1.27, Suffix “BK”) 5000 Weight approx. 0.18 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Dimensions - Maße [mm] Current gain groups Stromverstärkungsgruppen BC327-16 BC327-25 BC327-40 Recommended complementary NPN transistors Empfohlene komplementäre NPN-Transistoren BC328-16 BC328-25 BC328-40 BC337 ... BC338 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) BC327 BC328 Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short - VCES 50 V 30 V Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open - VCEO 45 V 25 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open - VEBO 5V Ptot 625 mW 3) - IC 800 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - ICM 1A Base current – Basisstrom - IB 100 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom 1 2 3 DC Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BC327 ... BC328 Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. 1 DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ) - VCE = 1 V - IC = 100 mA Group -16 Group -25 Group -40 hFE 100 160 250 160 250 400 250 400 630 - IC = 300 mA Group -16 Group -25 Group -40 hFE 60 100 170 130 200 320 – – – - VCEsat – – 0.7 V - VBE – – 1.2 V BC327 BC328 - ICES – 2 nA 100 nA BC327 BC328 - ICES – – 10 µA fT – 100 MHz – CCBO – 12 pF – Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 1) - IC = 500 mA - IB = 50 mA Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 1) - VCE = 1 V - IC = 300 mA Collector-Emitter cutoff current – Kollektor-Emitter-Reststrom - VCE = 45 V - VCE = 25 V B-E short - VCE = 45 V - VCE = 25 V B-E short Tj = 125°C Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz - VCE = 5 V, - IC = 10 mA, f = 50 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität - VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 200 K/W 2) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG