ER1A ... ER1M ER1A ... ER1M Superfast Switching Surface Mount Si-Diodes Superschnelle Si-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2007-07-02 Nominal current – Nennstrom 2.2± 0.2 2.1± 0.1 5± 0.2 0.15 Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse ~ SMA ~ DO-214AC Weight approx. – Gewicht ca. 1.5 2.7+ 0.1 1 1A 4.6± 0.2 Dimensions - Maße [mm] 0.07 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] ER1A 50 50 ER1B 100 100 ER1D 200 200 ER1G 400 400 ER1J 600 600 ER1K 800 800 ER1M 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 1A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 6 A 1) Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 30 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 4.5 A2s Tj -50...+150°C -50...+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 TS Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 ER1A ... ER1M Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] ER1A...ER1D < 35 < 1.0 1 ER1G < 35 < 1.25 1 ER1J...ER1M < 75 < 1.7 1 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 100°C VR = VRRM IR IR < 5 µA < 300 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 70 K/W 2) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthT < 30 K/W 10 120 [%] [A] 100 ER1A...D 1 80 ER1G 60 ER1J...M 0.1 40 10-2 20 IF IFAV 0 10-3 0 TT 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 1 2 2 Tj = 25°C VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG