Diotec ER1B Superfast switching surface mount si-diode Datasheet

ER1A ... ER1M
ER1A ... ER1M
Superfast Switching Surface Mount Si-Diodes
Superschnelle Si-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2007-07-02
Nominal current – Nennstrom
2.2± 0.2
2.1± 0.1
5± 0.2
0.15
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ SMA
~ DO-214AC
Weight approx. – Gewicht ca.
1.5
2.7+ 0.1
1
1A
4.6± 0.2
Dimensions - Maße [mm]
0.07 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
ER1A
50
50
ER1B
100
100
ER1D
200
200
ER1G
400
400
ER1J
600
600
ER1K
800
800
ER1M
1000
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TT = 100°C
IFAV
1A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
6 A 1)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
30 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
4.5 A2s
Tj
-50...+150°C
-50...+150°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
TS
Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
ER1A ... ER1M
Characteristics
Kennwerte
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
trr [ns] 1)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V]
at / bei
IF [A]
ER1A...ER1D
< 35
< 1.0
1
ER1G
< 35
< 1.25
1
ER1J...ER1M
< 75
< 1.7
1
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C VR = VRRM
Tj = 100°C VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 300 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 70 K/W 2)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthT
< 30 K/W
10
120
[%]
[A]
100
ER1A...D
1
80
ER1G
60
ER1J...M
0.1
40
10-2
20
IF
IFAV
0
10-3
0
TT
50
100
150
[°C]
Rated forward current vs. temp. of the terminals
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals
1
2
2
Tj = 25°C
VF
[V]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
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