MUR130 ... MUR160 MUR130 ... MUR160 Superfast Effcient Si-Rectifier Diodes Superschnelle Hocheffizienz-Si-Gleichrichterdioden Version 2011-10-24 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung -0.1 DO-41 DO-204AL Weight approx. Gewicht ca. 0.4 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Ø 0.77±0.07 Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and characteristics Type Typ 300...600 V Plastic case Kunststoffgehäuse 5.1-0.1 Type +0.5 Ø 2.6 62.5 -2.5 1A Grenz- und Kennwerte Repetitive/Surge peak reverse voltage Periodische-/ Stoßspitzensperrspannung VRRM / VRSM [V] Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 2) MUR130 300 < 50 < 1.25 MUR140 400 < 50 < 1.25 MUR160 600 < 50 < 1.25 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 75°C IFAV 1 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 6 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 32/35 A Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 5 A2s Tj TS -50...+175°C -50...+175°C IR IR < 5 µA < 100 µA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 125°C VR = VRRM Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 45 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 15 K/W 1 2 1 Tj = 25°C, IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Tj = 25°C, IF = 1A Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MUR130 ... MUR160 10 120 [%] [A] 100 Tj = 125°C 1 80 Tj = 25°C 60 0.1 40 10-2 20 IF IFAV 10-3 0 0 TA 100 50 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 102 50 [pF] [µA] 40 101 Tj = 125°C 1 Tj = 100°C 30 20 10-1 10 Tj = 25°C IR 10 Cj -2 0 VRRM 40 60 80 0 100 [%] VR [V] Junction capacitance vs. reverse voltage (typical) Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.) Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung 102 [A] 10 îF 1 1 10 10 2 [n] 10 3 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG