桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM2222 GM2222A IMUM ■MAX MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 GM2222 GM2222A Unit 單位 Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 VCEO 30 40 Vdc Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 VCBO 60 75 Vdc Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 VEBO 5.0 6.0 Vdc Ic 600 600 mAdc Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 PD 225 mW 1.8 mW/℃ 300 mW 2.4 mW/℃ 417 ℃/W Collector Current-Continuous 集電極電流-連續 ■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性 Characteristic 特性參數 Total Device Dissipation 總耗散功率 FR-5 Board(1) TA=25℃溫度爲 25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Total Device Dissipation 總耗散功率 Alumina Substrate 氧化鋁襯底,(2)TA=25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 PD Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 RΘJA Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度 TJ,Tstg ■DEVICE MARKING 打標 2222 =1B;GM 2222 A=1P GM2222 GM 2222=1B;GM =1B;GM2222 2222A=1P -55to+150℃ 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM2222 GM2222A CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25 =25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)) Characteristic Symbol Min Max Unit 特性參數 符號 最小值 最大值 單位 — V(BR)CEO GM2222 Collector-Emitter Breakdown Voltage(3) 30 Vdc GM2222A 集電極-發射極擊穿電壓(Ic=10mAdc,IB=0) 40 — — Collector-Base Breakdown Voltage V(BR)CBO GM2222 60 Vdc 集電極-基極擊穿電壓(Ic=10μAdc,IE=0) GM2222A 75 __ V(BR)EBO GM2222 Emitter-Base Breakdown Voltage 5.0 — Vdc GM2222A 發射極-基極擊穿電壓(IE=10μAdc,Ic=0) 6.0 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICEX GM2222A — 10 nAdc (VCE=60Vdc, VEB(Off)=3.0Vdc) Collector Cutoff Current 集電極截止電流 ICBO (VCB=50Vdc,IE=0) GM2222 — 0.01 (VCB=60Vdc,IE=0) GM2222A — 0.01 (VCB=50Vdc,IE=0,TA=125℃) GM2222 — 10.0 μ (VCB=60Vdc,IE=0,TA=125℃) GM2222A — 10.0 Adc Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 IEBO (VEB=3.0Vdc, IC=0) GM2222A — 100 nAdc Base Cutoff Current 基極截止電流 IBL (VCE=60Vdc, VEB(Off)=3.0Vdc) GM2222A — 20 nAdc DC Current Gain 直流電流增益 HFE — (Ic=0.1mAdc,VCE=10.0Vdc) 35 — (Ic=1.0mAdc,VCE=10.0Vdc) 50 — (Ic=10mAdc,VCE=10.0Vdc) 75 — (Ic=10mAdc,VCE=10.0Vdc,TA=-55℃) GM2222A 35 — (Ic=150mAdc,VCE=10.0Vdc)(3) 100 300 (Ic=150mAdc,VCE=1.0Vdc)(3) 50 — GM2222 30 — (Ic=500mAdc,VCE=10.0Vdc)(3) GM2222A 40 — Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) GM2222 — 0.4 集電極發射極飽和壓降 GM2222A — 0.3 Vdc (Ic=150mAdc, IB=15mAdc) GM2222 — 1.6 (Ic=500mAdc, IB=50mAdc) GM2222A — 1.0 Base-Emitter Saturation Voltage VBE(sat) GM2222 — 1.3 基極發射極飽和壓降 GM2222A 0.6 1.2 Vdc (Ic=150mAdc, IB=15mAdc) GM2222 — 2.6 (Ic=500mAdc, IB=50mAdc) GM2222A — 2.0 ■ELECTRICAL 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM2222 GM2222A ■SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS 小信號特性 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Current-Gain-Bandwidth Product 電流增益-帶寬乘積 (Ic=20mAdc,VCE=20Vdc,f=100MHz) Output Capacitance 輸出電容 (VCB=10.0Vdc, IE=0, f=1.0MHz) Intput Capacitance 輸入電容 (VEB=0.5Vdc, IC=0, f=1.0MHz) Intput Impedance 輸入阻抗 (Ic=1.0mAdc,VCE=10Vdc,f=1.0kHz) (Ic=10mAdc,VCE=10Vdc,f=1.0kHz) Voltage Feedback Radio 電壓反饋係數 (Ic=1.0mAdc,VCE=10Vdc,f=1.0kHz) (Ic=10mAdc,VCE=10Vdc,f=1.0kHz) Small-Signal Current Gain 小信號電流增益 (Ic=1.0mAdc,VCE=10Vdc,f=1.0kHz) (Ic=10mAdc,VCE=10Vdc,f=1.0kHz) Output Admittance 輸出導納 (Ic=1.0mAdc,VCE=10Vdc,f=1.0kHz) (Ic=10mAdc,VCE=10Vdc,f=1.0kHz) Collector-Base Time Constant 集電極基極時間 (IE=20mAdc,VCB=20Vdc,f=31.8MHz) Noise Figure 雜訊係數 (Ic=100uAdc,VCE=10Vdc,Rs=1.0kQ,f=1.0kHz) ■SWITCHING Min 最小值 250 300 Max 最大值 — — MHz — 80 pF — — 30 25 pF 2.0 0.25 8.0 1.25 kQ — — 8.0 4.0 ×10 50 75 300 375 — 5.0 25 35 200 μ mhos GM2222A — 150 ps GM2222A — 4.0 dB Symbol 符號 Min 最小值 Max 最大值 Unit 單位 td tr ts tf — 10 — — 25 225 — 60 fT GM2222 GM2222A Cobo Cibo GM2222 GM2222A Unit 單位 hie GM2222A GM2222A hre GM2222A GM2222A -4 hfe GM2222A GM2222A hoe GM2222A GM2222A rb,Cc NF CHARACTERISTICS 開關特性 Characteristic 特性參數 Delay Time 延遲時間 Rise Time 上升時間 Storage Time 儲存時間 Fall Time 下降時間 (Vcc=30Vdc,VBE(off)=-0.5Vdc Ic=150mAdc,IB1=15mAdc) (Vcc=30Vdc,Ic=150mAdc, IB1=IB2=15mAdc) 1. FR-5=1.0×0.75×0.062in. 2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina. 3. Pulse Width<300us;Duty Cycle<2.0%. 4. fT is defined as the frequency at which (hfe) extrapolates to unity. ns ns 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM2222 GM2222A ■DIMENSION 外形封裝尺寸